Порядок проведения экспериментов

Постановка задачи к РГЗ

В соответствии с номером варианта:

1. выполнить анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора;

2. исследовать работу биполярного транзистора в режиме отсечки;

3. получить входные и выходные характеристики транзистора;

4. определить коэффициент передачи по переменному току;

5. исследовать динамические входные сопротивления транзистора.

6. Рассчитать коэффициенты усиления по току, напряжению, мощности (K_i, K_u, K_p).

7. Вычислить КПД транзистора.

Эксперимент 1 Определение статического коэффициента передачи транзистора по постоянному току b_DC в схеме с ОЭ.

Собрать схему, изображенную на рисунке 1 с моделью транзистора соответствующей варианту задания. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора I_К, тока базы I_Б и напряжения коллектор-эмиттер U_КЭ в таблицу 1 раздела "Результаты экспериментов". Подобрать значения Eb и Ek таким образом, чтобы транзистор работал в усилительном режиме (рабочая точка находится нагрузочной прямой). По полученным результатам подсчитать статический коэффициент передачи тока b_DC транзистора. Повторить измерения и расчет коэффициента передачи для значений E_b. Результаты занести в таблицу.

Рисунок 1- Схема включения биполярного транзистора с ОЭ

Эксперимент 2 Измерение обратного тока коллектора.

На схеме рисунок 1 изменить номинал источника ЭДС E_b = О В. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора I_К для данных значений тока базы I_Б и напряжения коллектор-эмиттер U_КЭ в раздел "Результаты экспериментов".

Эксперимент 3 Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а) В схеме (рисунок 1) провести измерения тока коллектора I_К для каждого значения Е_К и Е_b и заполнить таблицу 2 в разделе "Результаты экспериментов". По данным таблицы построить семейство выходных характеристик транзистора с ОЭ, график зависимости I_К от Е_К, при различных значениях тока базы I_Б.

б) Собрать схему, изображенную на рисунке 2.

Рисунок 2 – Схема для получения выходных характеристик транзистора с ОЭ

Зарисовать осциллограмму выходной характеристики, соблюдая масштаб, в разделе "Результаты экспериментов". Повторить измерения для каждого значения Е_b из таблицы 2. Осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы зарисовать в разделе "Результаты экспериментов" на одном графике.

в) По выходной характеристике найти коэффициент передачи транзистора по переменному току b_AC при изменении базового тока с 10 м А до 30 м A, Е_К = 10 В. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов".

Эксперимент 4 Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а) Открыть файл со ewb схемой, изображенной на рисунке 1. Установить значение напряжения источника Е_К равным 10 В и провести измерения тока базы I_Б, напряжения база-эмиттер U_БЭ тока эмиттера I_Э для различных значений напряжения источника Е_b в соответствии с таблицей 3 в разделе "Результаты экспериментов". Обратить внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.

б) В разделе "Результаты экспериментов" по данным таблицы 3 построить график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.

в) Открыть файл ewb со схемой, изображенной на рисунке 3. Включить схему. Зарисовать входную характеристику транзистора, соблюдая масштаб, в разделе "Результаты экспериментов".

Рисунок 3 – Схема для получения входных характеристик транзистора с ОЭ

г) По входной характеристике найти сопротивление R_ВХ при изменении базового тока с 10 м A до 30 м A. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов".

Дата добавления: 2015-05-07