Биполярные транзисторы

Диоды

Трансформаторы

Это устройства преобразующее переменное напряжение в переменное напряжение той же частоты но с нужными амплитудами.

Это элементы пропускающие ток в одном направлении._____________

Стабилитрон и стабистор__________________________

Это элементы с помощью которых на нагрузке получают постоянное напряжение величина которого слабо зависит от нагрузки.

1)Напряжение стабилизации это напряжение которое должен поддерживать стабистор.

2)Разбрс напряжения стабилизации - U_стаб – допустимое изменение напряжения стабилизации из-за несовершенства изготовления стабилитрона или стабистора.

3)Минимальный ток стабилизации – Если ток будет протекать меньше, то стабилизации никакой не будет.

4)Диф. Сопротивление - определяет угол наклона рабочего участка.

5)ТКН- температурный коэфицент напряжения это отношение изменения напряжения стабилизации при изменении температуры на 1 градус.

Биполярными транзисторами называют элементы, с помощью которых осуществляется усиление электрических сигналов. Сигналы могут усиливаться по току, по напряжению, по мощности, но в любом случаи обязательно усиление сигнала по мощности.

1)Максимальный ток базы - I_Б.max – максимальный ток, который можно пропускать по базе открытого транзистора. При превышении этого параметра транзистор может выйти из строя (сгореть).

2)ОБРАТНЫЙ ТОК БАЗЫ - I_Б.обр. – ток базы запертого транзистора (то же самое что и обратный ток диода).

3)МАКСИМАЛЬНОЕ ОБРАТНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ БАЗА-ЭМИТТЕР - U_БЭ.max. – это максимальное запирающее напряжение база-эмиттер, которое можно подавать на базу запертого транзистора. В противном случаи этот переход может пробить и транзистор выйдет из строя.

4) ВХОДНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ ТРАНЗИСТОРА - R_{вх тр}.

Выходные характеристики транзистора:

1)МАКСИМАЛЬНЫЙ ТОК КОЛЛЕКТОРА - I_K.max – максимальный ток, который можно пропускать через открытый транзистор. В противном случаи транзистор может сгореть.

2)МАКСИМАЛЬНОЕ ДОПУСТИМОЕ НАПРЯЖЕНИЕ КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР - U_КЭ.max – это максимально допустимое напряжение, которое можно прикладывать к запертому транзистору. Его превышение может привести к пробою транзистора.

3)Напряжение насыщение - U_НАС– это величина, которая определяет область, где коллекторный ток сильно зависит от напряжения коллектор-эмиттер.

4)МАКСИМАЛЬНАЯ РАССЕИВАЕМАЯ МОЩНОСТЬ ТРАНЗИСТОРА - p_MAX – это максимальная мощность, при рассеивании которой, транзистор еще сохраняет свои параметры.

5)оБРАТНЫЙ ТОК КОЛЛЕКТОРА - I_K.обр. – это коллекторный ток запертого транзистора.

6)КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ по току в схеме с общим эмиттером -

7)КРУТИЗНА S. . Имеет размерность проводимости и приблизительно равна 1/r_Э.

8)КОЭФФИЦИЕНТ ПЕРЕДАЧИ ПО ТОКУ В СХЕМЕ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ

Дата добавления: 2015-05-10