Полуроводниковые элементы памяти

Электронные ресурсы

17) http://www.consultant.ru/

18) http://www.garant.ru/

19) http://pravo.gov.ru/

Работу выполнила студентка 3 курса

юридического факультета МГОГИ Гасс А.Д.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Доверенность

простой письменной формы

Город___________________________

Я, нижеподписавшийся___________________________________________,

паспорт серия_______№______________, выдан_____________________,

проживающий по адресу__________________________________________,

доверяю гражданину_____________________________________________,

паспорт серия_________№________________,

выдан___________________________________________________________,

право на управление автомобилем марки____________________________,

регистрационный знак_______________________ принадлежащего мне на

основании свидетельства о государственной регистрации №____________,

выданного_______________________________________________________,

цвет________________, двигатель________, кузов ___________________.

Доверенность выдана сроком на ________________ без права выполнения действий, требующих нотариального заверения.

"______" _________ 20___ г. Подпись_______________________

[1] Новицкий И.Б. Римское право, из-во Зерцало.- М., 2012 г., с.139.

[2] Румянцева Е.С. Основы гражданского права. – М., 2010. с. 322

[3] Басистов А.Г. под ред. Барщевский М.Ю. Доверенность, субъектный состав, полномочия, ооррмление, некоторые особенности. – М. 2010 г. с. 115.

Электрические элементы памяти [3 - 5]. В основе работы лежат разл. эффекты перераспределения в ЭП тока, заряда или напряжения. Физ. принципы работы ЭП и технология изготовления П. у. определяют минимально достижимую энергию переключения ЭП, что в конечном счёте определяет плотность размещения информации на носителе. Наиб. разработанными и широко распространёнными П. у., использующими электрич. ЭП, являются полупроводниковые П. у. К числу осн. разновидностей полупроводниковых П. у. относятся постоянные запоминающие устройства (ПЗУ - аббревиатура, используемая преим. для устройства микроэлектроники), программируемые ПЗУ (ППЗУ), стираемые ППЗУ (СППЗУ), ППЗУ с электрич. стиранием (ЭСППЗУ), статич. и динамич. П. у. с произвольной выборкой (СЗУПВ и ДЗУПВ). Принципиальные схемы ЭП П. у. перечисленных типов приведены на рис. 3.

Рис. 3. Схемы различных полупроводниковых элементов памяти: а - МДП ПЗУ; б - биполярное ППЗУ; в - МДП СППЗУ; г - МДП ЭСППЗУ; д - МДП СЗУПВ с нагрузкой R; е - биполярное СЗУПВ с нагрузкой R; ж - МДП ДЗУПВ.

Физ. механизмы работы полупроводниковых П. у. даны в табл.

Дата добавления: 2015-05-10