Структура ЗУ

ЗУ адресного типа состоят из трёх основных блоков:

- Массив элементов памяти,

- Блок адресной выборки,

- Блок управления.

Многочисленные варианты ЗУ имеют много общего с точки зрения структурных схем. Общность структур особенно проявляется для статических ОЗУ и памяти ROM; для них характерны структуры 2D, 3D и 2DM.

Структура 2D

В ЗУ, с информационной ёмкостью M, запоминающие элементы организованы в матрицу размерностью k·m:

M = k·m,

где k — количество хранимых слов,

m — их разрядность.

Дешифратор адресного кода имеет k выходов и активизирует одну из выходных линий, разрешая одновременный доступ ко всем элементам выбранной строки, хранящей слово.

Элементы каждого из столбцов соединены вертикальными разрядными линиями и хранят одноимённые биты всех слов.

Таким образом, при наличии разрешающего сигнала CS, выбранная дешифратором ячейка памяти подключается к разрядным шинам, по которым производится запись или считывание адресованного слова.

Структура 3D

Структура типа 2D применяется лишь в ЗУ с малой информационной ёмкостью, т.к. при росте ёмкости усложняется дешифратор адреса. Например, при коде разрядностью n=8 дешифратор должен иметь 2ⁿ=256 выходов.

В структуре типа 3D выборка элемента памяти из массива производится по двум координатам. Код адреса разрядностью n делится на две половины и используются два дешифратора: по строкам и по столбцам. При этом число выходов двух дешифраторов равно 2^n/2+2^n/2=2^n/2+1. Если n=8, то число выходов дешифраторов равно 2⁴+2⁴=32, а количество элементов памяти равно 2^n/2·2^n/2=2ⁿ=256. В структуре 2D-типа, как уже было отмечено выше, потребовался бы более сложный дешифратор на 256 выходов.

Таким образом, с помощью двух дешифраторов, имеющих небольшое число выходов, осуществляется доступ ко всем элементам памяти микросхемы.

Структура 3D может применяться и в ЗУ с многоразрядной организацией, принимая при этом «трёхмерный» характер. В этом случае несколько матриц управляются от двух дешифраторов, относительно которых матрицы включены параллельно.

Структура 2DM (Рисунок 3) состоит из дешифратора, который выбирает целую строку. Однако, в отличие от структуры 2D, длина строки многократно превышает разрядность хранимых слов. При этом число строк уменьшается и, следовательно, уменьшается число выводов дешифратора.

Выбор строк матрицы памяти производится с помощью старших разрядов адреса A_n-1…A_k. Остальные k разрядов используются для выбора необходимого m-разрядного слова из множества слов, содержащихся в строке.

Рисунок 3. Структура ЗУ типа 2DM для ROM

Это выполняется с помощью мультиплексоров, на адресные входы которых подаются коды A_k-1…A₀. Длина строки равна m·2^k, где m — разрядность слов.

Из каждого отрезка строки, длиной 2^k, мультиплексор выбирает один бит. На выходах m мультиплексоров формируется выходное m-разрядное слово. По разрешению сигнала CS, поступающего на входы OE управляемых буферов с тремя выходными состояниями, выходное слово передаётся на внешнюю шину.

Дата добавления: 2015-05-10