Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Чем различаются модели биполярного транзистора для большого и малого сигналов?




На рис. 3 приведены типичные вольтамперные характеристики транзисторов. На рис.3,а изображены характеристики биполярного транзистора при различных значениях тока управления базы. На этих характеристиках можно выделить три области: область насыщения при малых напряжениях между коллектором и эмиттером, активную область и область отсечки (или пробоя) при больших напряжениях между коллектором и эмиттеров.


Рис.3

В области насыщения транзистор можно рассматривать как управляемый резистивный элемент с малым значением сопротивления. Эта область характеризуется напряжением и током насыщения при заданном значении тока базы. В активной области транзистор можно рассматривать как линейный четьгрехполюсник, причем наиболее часто для описания биполярного транзистора используют систему Н-параметров четырехполюсника.

В области отсечки или пробоя характерными значениями являются напряжение пробоя и ток . Напряжение пробоя зависит от тока базы и увеличивается при отрицательном значении тока базы. Длительное пребывание транзистора в области пробоя может привести к повреждению прибора из-за его перегрева.

На рис.3,6, приведены вольтамперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения на затворе. Отличительной особенностью полевого транзистора является то, что он управляется не током, а напряжением, подаваемым на управляющий электрод (затвор).

На вольтамперных характеристиках полевого транзистора также можно выделить три области: линейную, активную и пробоя. Описание этих областей можно выполнять так же, как для биполярного транзистора, однако в активной области используют систему У - параметров четырехполюсника, что обусловлено изменением управляющего сигнала. В линейной области, которая соответствует области насыщения биполярного транзистора, полевой транзистор можно рассматривать как управляемый резистивный элемент. В области пробоя ток стока полевого транзистора резко увеличивается при почти неизменном напряжении между стоком и истоком.

Характерными значениями вольтамперных характеристик полевого транзистора являются: ток стока насыщения при заданном значении напряжения затвора и истока, напряжение насыщения и напряжение пробоя.


 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 966; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.