КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Логические элементы ТТЛШ
Другой метод повышения быстродействия, причем более результативный и перспективный состоит в применении транзисторов с барьером Шотки. Диод Шотки – металлополупроводниковый выпрямляющий контакт. Отличие от диодов с р - n переходов состоит: 1. время выключения ДШ очень мало (100 пс) и не зависит от температуры. У обычных диодов (1 – 100 нС). 2. Для отпирания диодов Шотки требуется напряжение 0,2 – 0,4 В против 0,5 – 0,8 В для диодов с р – n переходом и может регулироваться подбором металла, образующего контакт с полупроводником.
Диоды Шотки подключаются параллельно коллекторному переходу транзистора и придают ему ряд новых качеств, которые называются транзисторами Шотки. а) Распределение напряжений б) Транзистор в) Условное изображение в насыщенном транзисторе с барьером Шотки транзистора Шотки
Когда T заперт потенциал К выше потенциала Б, диод смещен в обратном направлении и не влияет на работу транзистора. Когда в процессе открывания транзистора потенциал базы становится больше потенциала коллектора диод открывается и на нем устанавливается напряжение . Остаточное напряжение на коллекторе транзистора . То есть режима насыщения не возникает. Благодаря этому при запирании транзистора исключается задержка, выраженная рассасыванием избыточного заряда. На рисунке приведена принципиальная схема и передаточная характеристика базового логического элемента И – НЕ.
Фазарасщипительный каскад имеет корректирующую цепочку , позволяющую получать передаточную характеристику по форме, близкую к прямоугольной. Благодаря применению транзистора Дарлингтона, получается малая выходное сопротивление, обеспечивающее симметричную задержку .
Логические элементы И – НЕ наиболее характерны для семейства ТТЛ. Они производятся в виде самостоятельных изделий, а также служат основой для построения других устройств. Увеличение числа входов (расширение по И) можно организовать из нескольких схем И – НЕ, пользуясь законом Де Моргана или подключением дополнительных, внешних диодов и резистора к любому из входов И – НЕ. Значение резистора кОм. Существует так же специальные микросхемы расширителей по ИЛИ (экспандеры). Существуют ИС двух типов: 1. ИС со входами расширения. 2. ИС микросхемы – расширители.
ИС со входами расширения имеют — Логические входы a, b, c,.. z. — Входы расширения к и э. — Логический выход F.
Входы расширения к и э являются дополнительными внешними выводами к и э транзистора фазорасщипительного каскада логического элемента.
Микросхемы расширители имеют группу логических входов a, b, c,.. и выходы расширения к и э.
Представляет собой многоэмиттерный транзистор, выходами которого служат открытые к и э. На выходах и формируются сигналы, которые зависят как от входных сигналов так и от .
В данном случае .
ИС с открытым коллектором. Непосредственные соединения выхода в разных ИС невозможно, так как если в одном элементе будет открыт верхний, а в другом нижний выходные транзисторы, то с цепи потечет ток, ограниченный только резистором , что вызовет пробой транзисторов. При соединении ИС параллельно, значение резистора выбирают из условия обеспечения :
- число объединенных выходов и подключенных входов. - ток утечки на выходе. Минимальное сопротивление определяется из условия: ;
где - max допустимый выходной ток лог. “0” одного элемента. Логические элементы с тремя выходными состояниями. Один из вариантов обеспечения трех выходных состояний имеет вид:
При Eo=0 транзистор заперт, диод смещен в обратном направлении. Схема действует подобно обычному логическому элементу. При Eo=1, - открыт, диод так же открыт и напряжение в точке A приблизительно равно нулю. Транзисторы и - закрыты. Поэтому выходной вывод будет отсоединен от входных цепей и от обеих шин питания. Мощность потребления в этом режиме значительно меньше.
Практические рекомендации:
Дата добавления: 2015-06-26; Просмотров: 619; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |