Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Решение задачи №1




Решение будем производить последовательно для первой (рис. 1, а) и второй (рис. 1, б) схем включения транзистора.

Схема рис. 1, а представляет собой усилитель, собранный на полевом транзисторе с p-n-переходом, включенным по схеме с общим истоком.

Анализ схемы следует производить по эквивалентной схеме для переменного тока, приведенной на рис. 3.

Рис. 3. Эквивалентная схема усилителя с ОИ

 

Эта схема образуется из эквивалентной схемы транзистора (рис. 2) путем введения в нее внешних элементов Rз и Rн. Источник смещения Есм в схеме не учитывается, поскольку он имеет низкое внутренне сопротивление и не оказывает влияние на прохождение переменной составляющей входного сигнала.

Коэффициент усиления по напряжению для данной схемы может быть определен следующим образом:

. (2)

Знак минус в формуле (2) указывает на то, что входное и выходное напряжения в схеме находятся в противофазе. Поскольку при параллельном соединении сопротивлений величина эквивалентного сопротивления будет меньше меньшего из них (Rн << rc), можно упростить формулу (2). Получим:

KU ≈ –Sri. (3)

Входное сопротивление на низких частотах создает только Rз, что видно из эквивалентной схемы. Следовательно, Rвх = Rз = 1 МОм для всех вариантов.

Выходное сопротивление схемы определяется параллельным соединением Rн и rc. Учитывая замечание к формуле (2), имеем

Rвых = Rн//rc» Rн.

Входная емкость устройства определяется из следующих соображений.

На рис. 3 представлены емкостные токи, которые на высоких частотах значительно превышают токи, проходящие через резисторы эквивалентной схемы и внутреннее сопротивление источника тока, поскольку они значительны по величине. Следовательно,

. (4)

Отсюда

. (5)

Таким образом, при включении активной нагрузки в стоковую цепь транзистора входная емкость усилителя увеличивается по сравнению с входной емкостью Сзи транзистора, что приводит к увеличению входной проводимости усилителя с ростом частоты.

Если необходимо учесть емкость монтажа Смонт, формула (5) преобразуется к виду

. (6)

Представленные выражения (3–5) позволяют рассчитать все требуемые параметры схемы.

Схема рис. 1, б представляет собой усилитель, собранный на полевом транзисторе с p-n-переходом, включенным по схеме с общим стоком или истоковый повторитель. Анализ этой схемы чаще всего проводят по эквивалентной схеме полевого транзистора, в которой выходная цепь моделируется не источником тока, а эквивалентным ему источником напряжения, ЭДС которого определяется по формуле

, (7)

где μ = Src – статический коэффициент усиления полевого транзистора.

Схема замещения для данного способа включения приведена на рис. 4.

Рис. 4. Эквивалентная схема усилителя с ОС

 

Анализ схемы позволяет рассчитать требуемые параметры истокового повторителя по следующим уравнениям:

, (8)

Rвх = Rз, (9)

, (10)

. (11)

Из формулы (11) видно, что в схеме с общим стоком входная емкость много меньше, чем в схеме с общим истоком, что и предопределило область использования схемы в тех случаях, когда необходимо получить большое входное сопротивление схемы на переменном токе в широком диапазоне частот.

 

ЗАДАЧА №2

В усилителях на биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером и общей базой (рис. 5) определить следующие величины:

· коэффициент усиления по току;

· коэффициент усиления по напряжению;

· входное сопротивление усилителя;

· выходное сопротивление усилителя.

Рис. 5. Усилители на биполярном транзисторе

 

Выбор рабочей точки не производить. Параметры транзистора, измеренные в схеме с общей базой, сопротивление в цепи коллектора, сопротивление генератора сигнала выбираются из табл. 3.

Таблица 3

Вариант Тип транзистора Параметры транзистора Rк, кОм Rг, Ом
h11б, Ом h12б h21б h22б, 1/Ом
  ГТ109   0,15·10–3 –0,95 0,5·10–6 2,0  
  ГТ109   0,15·10–3 –0,95 0,5·10–6 4,7  
  ГТ115   2·10–4 –0,97 1,0·10–6 2,2  
  ГТ115   2·10–4 –0,97 1,0·10–6 1,5  
  МП40   1·10–3 –0,95 0,3·10–6 6,8  
  МП40   1·10–3 –0,95 0,3·10–6 1,8  
  МП25   5·10–4 –0,96 1,2·10–6 2,4  
  МП25   5·10–4 –0,96 1,2·10–6 7,5  
  МП114   4·10–4 –0,95 1,0·10–6 1,0  
  МП114   4·10–4 –0,95 1,0·10–6 1,1  

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 684; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.013 сек.