Работа транзистора в схеме ключевого каскада

Работа транзистора в схеме усилителя с ОЭ.

Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

ЗадаваяЕк= 10В и изменяя Еб, заполняем таблицу 2:

Таблица 2:Получение входной характеристики транзистора с ОЭ

Еб, В	Iб mkA	Uбэ, mV	Iк mA
1,66	9,435	736,5	1,930
2,68	19,24	756,0	4,089
3,68	29,13	767,1	6,269
4,68	39,05	774,8	8,456
5,7	49,19	780,9	10,69

По данным таблицы построим графики зависимости I_б = f(U_б) и входную характеристику транзистора.

По входной характеристике найдем входное сопротивление r_вх при изменении тока базы с 10μА до 30 μА:

= = 1553,69383 Ом

Схемаработы транзистора в режиме усилителя с ОЭ:

Для заданного в схеме входного сигнала амплитудой 10 мВ получаем диаграммы Uвх(t) и Uвых(t).

Из временной развертки входного и выходного сигналов очевидно, что транзистор является инвертирующим и работает в режиме усиления. По временной развертке определим коэффициент усиления:

К = = = 225

Схема ключевого каскада:

Временная развертка входного и выходного сигнала:

Напряжение насыщения(U_{кэнасыщ}) - это предел управляющего напряжения при котором ток через транзистор перестает расти. Транзистор полностью открыт. Дальнейшее повышение напряжения базы (или затвора) бесполезно.

По осциллограмме определяемU_кэзакр, U_{кэнасыщ}:U_кэзакр= 0,1 В; U_{кэнасыщ}= 10 В

Расчет: ток коллектора насыщения Iк нас = Ек/Rк=10 / 1000 = 0,01 А

ток базы насыщения Iб нас = Iк нас/ β = 0,01 / 220,322791 = 45,388 мкА

ток базы от внешнего сигнала Iб = Uвх макс/Rб = 2 / 10000 = 200 мкА

степень насыщения S = Iб/Iб нас = 200 / 45,388 = 4,41

Вывод:

Дата добавления: 2015-06-04