Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Физические процессы в полупроводниках




 

Удельная электропроводность полупроводников охватывает широкий диапазон величин: от 103 до 10-10 Ом-1×см-1. Прохождение электрического тока в полупроводниках, как и в металлах, связано с направленным движением заряженных частиц – электронов. В общем случае электропроводность полупроводников может быть представлена формулой:

где Nо – концентрация носителе заряда, μ – подвижность носителей заряда, е- заряд электрона

Таблица 1

П/П Подвижность, ем/В×с
Si Ge    

Подвижность носителей заряда – это их средняя направленная скорость в электрическом поле с напряженностью 1 В/см. Значения подвижности электронов mn и дырок mr при комнатной температуре для Si и Ge приведены в табл.1. Большая подвижность носителей заряда у Ge объясняется тем, что его атомы имеют 18 – электронную оболочку. Эта оболочка ослабляет притяжение дрейфующих электронов к ядрам атомов, тормозящее их направленное движение в кристаллической решетке.

 

Однако в отличие от металлов концентрация частиц, участвующих в переносе электрических зарядов, в полупроводниках значительно меньше и существенно зависит от температуры и наличия примесей. Иначе меняются с температурой и условия движения частиц, а, следовательно, и длина свободного пробега lср и подвижность m. Вследствие этих причин величина электропроводности, характер ее изменения с температурой существенно иные, чем в металлах.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 725; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.