Влияние температуры на работу усилительных каскадов

Режим класса D

Режим класса С

Режим класса АВ

Режим класса В

Режим класса А

Режимы работы усилительных каскадов

Поскольку характеристики транзистора существенно нелинейны, то в процессе усиления входного сигнала имеют место искажения, которые называют нелинейными. Величина искажений в большой степени зависит от выбора начальной рабочей точки на линии нагрузки и от амплитуды входного сигнала. В зависимости от этого различают следующие основные режимы работы усилителя:

§ режим класса A;

§ режим класса B;

§ режим класса AB;

§ режим класса C;

§ режим класса D.

Количественно режим работы усилителя характеризуется углом отсечки – половиной той части периода входного сигнала, в течение которого в выходной цепи транзистора протекает ток нагрузки. Угол отсечки выражают в градусах или радианах.

Этот режим характеризуется тем, что начальная рабочая точка, определяемая смещением, находится в середине линейного участка входной характеристики, а следовательно, и характеристики передачи по току = f ().

Амплитуда входного сигнала здесь такова, что суммарное значение ( + ) не имеет отрицательных значений, а поэтому базовый ток , а следовательно, и коллекторный ток нигде не снижаются до нуля

(рис. 3.30). Ток в выходной цепи протекает в течение всего периода, а угол отсечки равен 180 . Транзистор работает в активном режиме на близких к линейным участках характеристик, поэтому искажения усиливаемого сигнала здесь минимальны. Однако из-за большого значения начального коллекторного тока КПД такого усилителя низкий (теоретически не более 25 %, а реальные значения и того ниже), поэтому такой режим применяют в маломощных каскадах предварительного усиления.

Этот режим характеризуется тем, что начальная рабочая точка находится в начале характеристики передачи по току = f () (рис. 3.31). Ток нагрузки протекает по коллекторной цепи транзистора только в течение одного полупериода входного сигнала, а в течение второго полупериода транзисторзакрыт, так как его рабочая точка будет находиться в зоне отсечки. КПД усилителя в режиме класса В значительно выше (составляет 60…70 %), чем в режиме класса А, так как начальный коллекторный ток здесь равен нулю. Угол отсечки равен 90 . Однако у усилителей класса В есть и существенный недостаток – большой уровень нелинейных искажений (колоколообразные искажения), вызванных повышенной нелинейностью усиления транзистора, когда он находится вблизи режима отсечки.

Для того чтобы усилить входной сигнал в течение обоих полупериодов, используют двухтактные схемы усилителей, когда в течение одного полупериода работает один транзистор, а в течение другого полупериода – второй транзистор в этом же режиме.

На рис. 3.32 представлена схема двухтактного эмиттерного повторителя на транзисторах противоположного типа, но с идентичными параметрами, образующих так называемую комплементарную пару. Для питания коллекторной цепи используется два одинаковых источника питания и , которые создают обратное включение коллекторных переходов. Резисторы и одинаковы, при = 0 они фиксируют потенциал баз транзисторов, равный потенциалу корпуса.

Режим класса В обычно используют преимущественно в мощных двухтактных усилителях, однако в чистом виде его применяют редко. Чаще в качестве рабочего режима используют промежуточный режим класса AB.

Режиму усиления класса АВ соответствует режим работы усилительного каскада, при котором ток в выходной цепи протекает больше половины периода изменения напряжения входного сигнала.

Этот режим используется для уменьшения нелинейных искажений усиливаемого сигнала, которые возникают из-за нелинейности начальных участков входных вольт-амперных характеристик транзисторов (рис. 3.33).

При отсутствии входного сигнала в режиме покоя транзистор немного приоткрыт и через него протекает ток, составляющий 10…15% от максимального тока при заданном входном сигнале. Угол отсечки в этом случае составляет 120…130 .

При работе двухтактных усилительных каскадов в режиме класса АВ происходит перекрытие положительной и отрицательной полуволн тока плеч двухактного каскада, что приводит к компенсации нелинейных искажений, возникающих за счет нелинейности начальных участков вольт-амперных характеристик транзистора.

Схема двухтактного усилительного каскада, работающего в классе AB, приведена на рис. 3.34.

Коллекторные токи покоя и задаются напряжением смещения, подаваемым на базы транзисторов с сопротивлений и , и составляют незначительную часть максимального тока в нагрузке:

,

вследствие этого результирующая характеристика управления двухтактной схемы класса AB принимает линейный вид (штрихпунктирная линия на рис. 3.35).

Напряжения смещения транзисторов VT1 и VT2 определяются как

.

Ток делителя , , , должен быть не менее :

.

Чем ближе работа усилительного каскада к классу A (чем больше угол отсечки , тем меньше КПД, но лучше линейность усиления.

КПД каскадов при таком классе усиления выше, чем для класса А, но меньше, чем в классе В, за счет наличия малого коллекторного тока .

В режиме класса С рабочая точка А располагается выше начальной точки характеристики передачи по току (рис. 3.36).

Здесь ток коллекторной цепи протекает в течение времени, которое меньше половины периода входного сигнала, поэтому угол отсечки < 90 . Поскольку больше половины рабочего времени транзистор закрыт (коллекторный ток равен нулю), мощность, потребляемая от источника питания, снижается, так что КПД каскада приближается к 100%.

Из-за больших нелинейных искажений режим класса С не используется в усилителях звуковой частоты, этот режим нашел применение в мощных резонансных усилителях (например, радио- передатчиках).

Иначе этот режим называется ключевым режимом. В этом режиме рабочая точка может находиться только в двух возможных положениях: либо в зоне отсечки (транзистор заперт и его можно рассматривать как разомкнутый ключ), либо в зоне насыщения (транзистор полностью открыт и его можно рассматривать как замкнутый ключ). В активной зоне рабочая точка находится только в течение короткого промежутка времени, необходимого для перехода её из одной зоны в другую. Поэтому при работе в ключевом режиме линия нагрузки может на среднем своем участке выходить за пределы гиперболы допустимых мощностей, при условии, что переход транзистора из закрытого состояния в открытое и наоборот производится достаточно быстро (рис. 3.37).

Как уже было показано выше, транзистор в режиме отсечки можно представить в виде разомкнутого ключа, так как практически все напряжение источника питания падает между его эмиттером и коллектором, а ток коллектора близок к нулю. Входное напряжение приложено к эмиттерному переходу транзистора в запирающем направлении (рис. 3.38).

В режиме насыщения во входной цепи транзистора протекает достаточно большой ток базы, при котором ток коллектора достигает максимального значения , близкого к – максимально возможному току в цепи источника питания. При этом напряжение транзистора имеет минимальное значение , близкое к нулю, что позволяет представить транзистор в виде замкнутого ключа. Отсюда и название этого режима работы – ключевой. В режиме насыщения напряжение на коллекторном переходе может быть определено:

(3.54)

В обычном режиме напряжение смещает коллекторный переход в обратном направлении, т.е. < 0.

Учитывая то, что в режиме насыщения , третьим слагаемым в выражении (3.32) можно пренебречь. Тогда при достаточно большом базовом токе , ток коллектора = , где – коэффициент передачи по току, может достичь величины, при которой

(3.55)

При выполнении этого условия знак в выражении (3.54) изменится на противоположный: > 0, т.е. коллекторный переход будет смещен в прямом направлении, так же как и эмиттерный. Минимальное значение базового тока, при котором выполняется условие (3.55), называется током насыщения . Выражение (3.55) называют критерием насыщения транзистора. Чем больше базовый ток значения , тем глубже насыщение транзистора, тем больше заряд инжектированных из эмиттера носителей накапливается в базе. Относительное значение этого превышения называется степенью насыщения N транзистора:

(3.56)

Рассмотрим переходный процесс переключения транзистора. Пусть на вход транзистора подан сигнал (рис. 3.39). На интервале 0… эмиттерный переход смещен в прямом направлении и по нему протекает базовый ток . При этом ток в коллекторной цепи начнет протекать с задержкой на время , которое требуется инжектируемым в базу носителям для прохождения расстояния, равного ширине базовой области.

Затем коллекторный ток нарастает постепенно в течение времени , что связано с процессом накопления носителей в базе. После окончания входного импульса в точке входной сигнал меняет полярность; эмиттерный переход смещается в обратном направлении и инжекция носителей в базу прекращается. Но поскольку в базе был накоплен некоторый заряд носителей, то ток коллектора еще в течение времени будет поддерживаться, а затем снижаться до нуля в течение времени . Время называют временем рассасывания неосновных носителей в зоне базы. Таким образом, импульс коллекторного тока существенно отличается от входного импульса в первую очередь тем, что имеет заметные фронты нарастания и спадания.

Фронт спадания коллекторного тока в основном определяется степенью насыщения транзистора. Поэтому с целью избегания глубокого

насыщения в цепь базы обычно вводят ограничительное сопротивление (рис. 3.38). А с целью уменьшения времени включения это ограничительное сопротивление шунтируют конденсатором , который в первый момент времени шунтирует сопротивление и поэтому обеспечивает быстрое нарастание базового, а следовательно, и коллекторного тока . Затем, когда он зарядится от источника входного сигнала, ток базы потечет уже через ограничительное сопротивление и будет ограничен рост тока и, следовательно, степень насыщения транзистора. Конденсатор поэтому называют форсирующим (ускоряющий процесс включения транзистора).

Рассмотрим диаграмму, отражающую величину потерь в транзисторе, работающем в ключевом режиме. На рис. 3.40, а представлена форма входного импульса (ток базы ). На рис. 3.40, б упрощенно изображена форма импульса коллекторного тока .

Для простоты будем считать, что ток базы нарастает в течение фронта линейно до величины и в течение фронта спадает до величины обратного тока коллекторного перехода . На рис. 3.41, в показано изменение напряжения на коллекторе от максимального значения, приближенно равного , до минимального значения .

На рис. 3.40, г представлена мощность P, рассеиваемая на транзисторе:

(3.57)

где T – период следования импульсов; и – длительность фронта нарастания и спадания тока; и – мгновенное значение тока и напряжения в течение фронтов нарастания и спадания, – длительность импульса коллекторного тока; – длительность паузы между импульсами.

Из выражения (3.57) следует, что второе слагаемое, несмотря на большую величину , исчезающе мало, так как . То же можно сказать и о четвертом слагаемом, которое очень мало из-за того, что . Таким образом получается, что мощность, рассеиваемая на транзисторе, работающем в ключевом режиме, а следовательно и нагрев транзистора, в основном определяется длительностью фронтов, и и, частотой следования импульсов . Потери мощности на транзисторе, обусловленные указанными причинами, называются динамическими потерями или потерями на переключение. С целью снижения этих потерь следует уменьшать длительностью фронтов нарастания и спадания тока транзистора. Для этого служат так называемые форсирующие цепи, которые принудительно ускоряют процесс нарастания и спадания тока.

В ключевом режиме КПД оказывается очень высоким, близким к 100 %. Этот режим преимущественно используется в силовых транзисторах, работающих в схемах бесконтактных прерывателей постоянного и переменного тока.

Выводы:

1. КПД усилительного каскада определяется режимом работы транзистора и связан с углом отсечки.

2. Различают режимы работы транзистора с отсечкой выходного тока (AB, B, C, D) и без отсечки (A), когда выходной ток протекает в течение всего периода входного сигнала.

3. Усилительный каскад, работающий с отсечкой выходного тока, имеет наибольший КПД.

Транзисторы, установленные в электронной аппаратуре, во время работы подвергаются нагреванию как за счет собственного тепла, выделяющегося при протекании по ним тока, так и за счет внешних источников тепла, например, расположенных рядом нагревающихся деталей. Как уже указывалось выше, изменение температуры оказывает значительное влияние на работу полупроводниковых приборов. В этом отношении не составляют исключения и транзисторы. В качестве иллюстрации этого приведем пример изменения под действием температуры входных и выходных статических характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 3.41).

Расчеты показывают, что при таком значительном изменении характеристик, а с ними и параметров, работа усилительного каскада в условиях меняющейся температуры может стать совершенно неудовлетворительной. Для устранения этого недостатка в схемы усилителей вводится температурная стабилизация. В первую очередь это касается стабилизации положения начальной рабочей точки. Наибольшее распространение для этой цели получили две схемы стабилизации: эмиттерная стабилизация и коллекторная стабилизация.

Дата добавления: 2015-06-04