Способы проведения диффузии

Диффузионные процессы проводят в закрытой или открытой трубе.

При диффузии в закрытой трубе рис. 2 а, пластины полупроводника 1 и источника 2 загружают в кварцевую ампулу 3, которую вакуумируют, герметизируют и помещают в печь 4.

Термин “ открытая труба ” обусловлен тем, что выходной конец диффузионной трубы сообщается с атмосферой (рис. 2 б – д), через него в зону диффузии загружают кремниевые пластины 1. Чтобы свести к минимуму загрязнения из атмосферы, над выходом трубы 2 устанавливают вытяжную систему. Во входной конец диффузионной трубы вставляют шлиф для введения газа носителя 3 – азота, аргона с добавкой кислорода для предотвращения эрозии поверхности полупроводниковых пластин. Диффузант вводят вместе с газом носителем в диффузионную зону, если применяется газообразный или жидкий источник примесей (б, в).

г) – схема двухзонной печи, применяемой в основном для диффузии из твердых источников методом открытой трубы.

д) – схема бокс-метода. Пластины и источник находятся в полугерметичном контейнере 5 однозонной печи.

Наибольшее распространение имеет диффузия в открытой трубе, проводимая из твердых, жидких и газообразных источников. Процесс диффузии в потоке газа-носителя позволяет легко управлять такими технологическими параметрами, как состав парогазовой смеси, вводимой в рабочую зону, скорость потока газа и др. Это, в свою очередь, обеспечивает нужное распре­деление примеси в диффузионном слое.

Рис. 2 Диффузионные процессы в закрытой или открытой трубе: а - в закрытой трубе; б – д - открытой трубе; б - диффузиант нанесен на поверхность пластины; в - диффузиант вводится в виде пара вместе с газом-носителем; г - схема двухзонной печи, применяемой для диффузии из твердых источников; д - схема бокс-метода, пластины и источник находятся в полугерметичном контейнере.

Дата добавления: 2015-06-04