Определение параметров Т-образной эквивалентной схемы транзистора

Обработка результатов измерений

1. Определение -параметров

По построенным входным и выходным характеристикам транзистора, снятым при комнатной температуре, определяем -параметры при приблизительно одинаковых режимах работы на входных и выходных характеристиках (для большей точности вычислений выберем рабочую точку на выходных характеристиках транзистора J_Б= 30, 60 мкА).

Входное сопротивление

Коэффициент обратной связи по напряжению

Коэффициент усиления по току

Выходная проводимость

По вычисленным -параметрам считаем параметры Т-образной эквивалентной схемы транзистора (см. Рис. 6).

Рис. 6 - Схема Т-образной эквивалентной схемы транзистора

r_Б

r_БЭ

r_К

SU_ВХ

Б

Э

Э

К

r_КЭ

3. Определение S, β

По построенной проходной характеристике транзистора (по данным таблицы п.3.3) определим параметры S, b (крутизну характеристики и коэффициент усиления по току соответственно) для всех значений тока базы.

JБ, мкА
UБЭ, мВ
JК, мА		0,7	2,1	2,9	3,6	4,2	5,3	6,3	6,8
S, мА/В	-				41,2	66,7		66,7	65,6
β	-

По данным таблицы построим графики зависимости S=f(U_БЭ), b=f(J_К).

Рис. 7 – График зависимости S=f(U_БЭ).

Рис. 8 – График зависимости b=f(J_К).

Дата добавления: 2015-06-04