Порядок выполнения измерений. Принципиальная схема установки представлена на рис

Описание установки

Принципиальная схема установки представлена на рис. 6.

Рис. 6. Принципиальная схема установки

Снимается зависимость сопротивления полупроводника от температуры. Полупроводниковое термосопротивление (ТС) помещено в нагревательную печь. Температура в печи измеряется термометром. Для измерения сопротивления используется цифровой вольтметр, работающий в режиме измерения сопротивления (мультиметр). Показания приборов снимаются при включении печи и вольтметра. Сопротивление измеряется в кОм.

Для собственных полупроводников зависимость определяется выражением (1). Для примесных полупроводников при достаточно малых температурах выражением (2), для больших температур выражением (1). Прологарифмируем выражение (2).

.

Если выбрать координаты y = ln R и x = 1/ T, то это уравнение будет уравнением прямой вида y = ax + b, где a = E _а/(2 k), b = ln R ₀. Отсюда энергия активации примеси определяется выражением:

E _а = 2 ka. (3)

1. Включить вольтметр (мультиметр).

2. Включить нагревательную печь.

3. Измерить сопротивление полупроводника через каждые 5 ^оС в интервале температур от комнатной температуры до 80 ^оС.

4. Результаты измерений занести в таблицу.

Дата добавления: 2015-06-04