Основные параметры тиристоров

Силовые тиристоры характеризуются параметрами, аналогичными тем, которые рассматривались выше для силовых диодов. Но, кроме того, в технических условиях приводятся параметры цепи

управления тиристоров, а также дополнительные параметры, характеризующие силовую цепь тиристора:

1. Напряжение переключения: постоянное – , импульсное – и (десятки – сотни вольт).

2. Напряжение в открытом состоянии – падение напряжения на тиристоре в открытомсостоянии (1…3 В).

3. Обратное напряжение – напряжение, при котором тиристор может работать длительное время без нарушения его работоспособности (единицы – тысячи вольт).

4. Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии – максимальное значение прямого напряжения, при котором не происходит включение тиристора (единицы – сотни вольт).

5. Неотпирающее напряжение на управляющем электроде – наибольшее напряжение, не вызывающее отпирание тиристора (доли вольт).

6. Запирающее напряжение на управляющем электроде – напряжение, обеспечивающее требуемое значение запирающего тока управляющего электрода (единицы – десятки вольт).

7. Ток в открытом состоянии – максимальное значение тока открытого тиристора (сотни миллиампер – сотни ампер).

8. Обратный ток (доли миллиампер).

9. Отпирающий ток от – наименьший ток управляющего электрода, необходимый для включения тиристора (десятки миллиампер).

10. Ток утечки – это ток, протекающий через тиристор с разомкнутой цепью управления при прямом напряжении между анодом и катодом.

11. Ток удержания – минимальный прямой ток, проходящий через тиристор при разомкнутой цепи управления, при котором тиристор еще находится в открытом состоянии.

12. Время включения – это время от момента подачи управляющего импульса до момента снижения напряжения тиристора до 10 % от начального значения при работе на активную нагрузку (единицы – десятки микросекунд).

13. Время выключения , называемое также временем восстановления управляющей способности тиристора. Это время от момента, когда прямой ток тиристора становится равным нулю, до момента, когда прибор снова будет способен выдерживать прямое напряжение между анодом и катодом. Это время в основном определяется временем рассасывания неосновных носителей в зонах полупроводника (десятки – сотни микросекунд).

Дата добавления: 2015-06-04