Основные параметры транзистора, включенного по схеме. Схема с общим эмиттером

Схема с общим эмиттером

Схема с общим эмиттером (ОЭ) представлена на рисунке 5.

Рисунок 5 – Схема с общим эмиттером

Всхеме с общим эмиттером входной цепью является цепь базы, а выходной – цепь коллектора. В схеме ОЭ напряжение U _БЭ > 0 прикладывается непосредственно к эмиттерному переходу и отпирает его. Напряжение U _КЭ распределяется между обоими переходами: U _КЭ = U _КБ + U _БЭ. Для того, чтобы коллекторный переход был закрыт, необходимо U _КБ = U _КЭ – U _БЭ > 0, что обеспечивается при U _КЭ> U _БЭ> 0.

Вид характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером отличается от вида характеристик, снятых в схеме с общей базой. Входная характеристика, как и в предыдущем случае, имеет вид ВАХ диода в прямом направлении. Под влиянием напряжения U _КЭ > 0 эта характеристика смещается вниз и вправо. Это значит, что повышению потенциала коллектора соответствует уменьшение тока базы I _Б при том же значении напряжения U _БЭ. Такое явление объясняется действием обратной связи в транзисторе. Часть напряжения U _КЭ оказывается приложенной к переходу база-эмиттер; во внешней цепи это напряжение действует навстречу напряжению источника, подключенного к этому переходу, и приводит к уменьшению тока базы.

Семейство выходных характеристик показано на рисунке 6. Как правило, характеристики даются при различных токах базы. Первая характеристика при I _Б = 0 выходит из начала координат и напоминает обычную характеристику для обратного тока полупроводникового диода.

Рисунок 6 – Выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером

Если I _Б > 0, то выходная характеристика расположена выше, чем при I _Б = 0, и тем выше, чем больше ток I _Б. Следовательно, пропорционально возрастает и ток I _К.

Особенностью выходной характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером по сравнению с характеристикой в схеме с общей базой, является то, что она целиком лежит в первом квадранте. Это связано с тем, что в схеме ОЭ напряжение U _КЭ распределяется между обоими переходами, и при U _КЭ < U _БЭ напряжение на коллекторном переходе меняет знак и становится прямым, в результате транзистор переходит в режим насыщения при U _КЭ >0. В режиме насыщения характеристики сливаются в одну линию, то есть ток коллектора не зависит от тока базы.

При дальнейшем увеличении U _КЭ характеристики идут с небольшим подъемом, что означает сравнительно малое влияние выходного напряжения на ток коллектора. Эта часть характеристики соответствует активному режиму работы транзистора.

Выходные характеристики также показывают, что чем больше токи I _К, тем раньше, то есть при меньших значениях U _КЭ,наступает электрический пробой.

Дата добавления: 2015-07-02