Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Рекомендации. Тема: 1.6 Биполярные транзисторы




Тема: 1.6 Биполярные транзисторы

Цель ВСР: в результате работы обучающиеся должны уметь определять строение и свойства электронных приборов, применяемых на производстве.

 

Количество задач Характер задачи (обязательный, рекомендательный) Норма времени (в часах по рабочей программе) Срок выполнения (в неделях) Форма представления материала (по каждой задаче) Форма контроля каждой задачи
№1 №2 №3 Обязательный Обязательный Рекомендательный   1 неделя 1 неделя 1 неделя Доклад Отчет Табличная Выступление Защита Письменно

 

Задание

№1 Подготовка доклада «Полевые транзисторы».

№2 Подготовка форм отчетов к лабораторным работам.

№3 Схемы включения транзисторов (ОБ, ОК, ОЭ)

по выполнению ВСР:

1. Выберите биполярный транзистор согласно условию Вашего варианта; приведите его параметры и расширяйте маркировку.

2. Начертите схему включения заданного транзистора с общим эмиттером (ОЭ) в активном динамическом режиме. Поясните полярность источников смещения.

3. Перечертите входную и выходные характеристики заданного транзистора.

4. Рассчитайте и постройте нагрузочную прямую; приведите данные режима работы транзистора.

5. Рассчитайте и постройте линию допустимых режимов; сделайте вывод о возможности работы транзистора в заданном режиме.

6. Обозначьте на выходных характеристиках транзистора области насыщения и отсечки.

7. По заданной амплитуде входного сигнала постройте графики:

Uвх=f(t); Iвх=f(t); Iвых=f(t); Uвых=f(t).

8. По получившимся графикам рассчитайте коэффициенты: передачи тока Кт, передачи напряжения Кн, передачи мощности Км.

 

Таблица 2

№ варианта Условия выбора транзистора     Данные для построения нагрузочной прямой Амплитуда входного напряжения, Uбэм
Ек RH Iк.т.р Iб.т.р uкэ.р.т
1. UКЭ max=40В 24В     20мА 100мВ
2. PK max = 20BT h21Э min=20   12Oм   50мА 25мВ
3. frp =3 МГц Минимальное значение UКЭ max 21В 13 Ом     100мВ
4. Минимальное значение frp 24В   55мА 1,2мА   40мВ
5. frp=3 МГц Максимальное значение UКЭ max 60В     10мА 20В 10мВ
6. Минимальное значение h21Э min 25В   1,7А 40мА   20мВ
7. Максимальное значение frp   820Ом   1мА 20В 200мВ
8. Максимальное значение h21Э max 120В 1,3кОм 60мА     20мВ
9. Максимальное значение PK max T   4,3Oм   200мА 12В 200мВ
10. Максимальное значение UКЭ max 80В 47Oм   40мА   100мВ

Для решения этой задачи изучите материал [Л.4, с 60-99; 5, с.19-33]. Приведете условие задачи и таблицу с Вашим вариантом задания.

2.1. Для выбора транзистора используйте приложение 2.1. Выберите транзистор из табл. 8 Приложения 2.1 в соответствии с условиями выбора Вашего варианта. Выбрав транзистор, приведите в тетради таблицу с его справочными данными в соответствии с табл.8 Приложения 2.1.

Чтобы расшифровать маркировку выбранною транзистора, обратитесь к [Л.5, с.32-33].

2.2. Начертите схему включения биполярного транзистора с ОЭ в активном динамическом режиме. Сначала «заземлите» эмиттер, укажите структуру выбранного транзистора. Так как задан динамический режим, во входную цепь включите источник смещения и источник сигнала, а в выходную цепь источник питания и нагрузку.

В активном режиме работы транзистора эмиттерный переход включен прямо, а коллекторный - обратно. Укажите полярность источников питания и смещения, учитывая структуру транзистора, и кратко поясните свой выбор

2.3. На схеме укажите стрелками направление входного и выходного токов. Укажите, какие токи и напряжения являются входными, какие - выходными. Для этого определите, какой электрод входной, какой - выходной. Входное напряжение - это напряжение между входным электродом и общим, выходное напряжение - напряжение между выходным электродом и общим. Входной ток - это ток входного электрода. Выходной ток - это ток выходного электрода.

2.4. Найдите в Приложении 2.2. графики входной и выходных характеристик. Вашего транзистора. Достройте эти характеристики по точкам на миллиметровой бумаге. Расположение графиков должно соответствовать рис.1. Разместите графики на развороте листа: на левой стороне листа разместите входную характеристику, а на правой – семейство выходных характеристик. Оформление рисунков должно соответствовать требованиям, приведенным в общих указаниях по оформлению ДКР.

2.5. Рассмотрев выходную цепь схемы включения транзистора, получаем соотношение:

Uкэк - ik ∙ rh,

называемое уравнением нагрузочной прямой. Для ее построения нужны две точки. Условием варианта могут быть заданы две из трех следующих точек:

рабочая точка (р.т.) точка пересечения с осью токов (т.М), точка пересечения с осью напряжений (т.М).

Точка М имеет координаты:

UКЭМК; iКМ =0

Точка N имеет координаты:

UКЭN=0 iКN = eК/rН

Следовательно, если известны ЕК и rН, нагрузочная прямая строится по точкам М и N. Рабочая точка в этом случае находится на пересечении нагрузочной прямой со статической выходной характеристикой при заданном токе базы iБ р.т. (вариант 10) или с перпендикуляром, проведенном из точки iК=iК р.т. (вариант 8) или из точки UКЭ=UКЭ р.т. (вариант 3).

Если задана только одна из величин ЕК или rН, то для построения нагрузочной прямой используются р.т. и т.М (варианты 1,2,4, 5,6,7,9).

Отметив р.т, на выходных характеристиках, определите из графика значения iК р.т. (варианты 2,7,9). Далее по уравнению нагрузочной прямой рассчитывается еК:

ЕК = UКЭ р.т.+ iК р.т.∙rН.

Таким образом получается координата точки М:

UКЭМК.

В тетради обязательно поясните настроение нагрузочной прямой: по каким точкам построена, укажите координаты этих точек, приведите их расчет. На графиках выносными линиями укажите величины: еК; UКЭ р.т.; iК р.т.; iБ р.т.; UБ р.т.; iК= eК/rН.

2.6. Имея положение рабочей точки на выходных характеристиках и зная величины UКЭ р.т.; iК р.т.; iБ р.т., перенесите ее на входную характеристику. Рабочая точка будет находиться на пересечении перпендикуляра, восстановленного на оси токов базы из точки iБ=iБ р.т., с самой входной характеристикой.

Определите из графика UБ р.т., спроецировав р.т. на ось UБЭ (рис.1).

 

Рисунок 1(а). Входная характеристика транзистора

Координаты рабочей точки на входной и выходной характеристиках определяют режим работы транзистора. Выпишите эти величины: iК р.т.; UКЭр.т.; iБ р.т.; UБ р.т., указав их численное значение.

2.7. Линия допустимых режимов работы соединяет все точки на выходных характеристиках, для которых справедливо соотношение: iК UКЭКmaxТ.

Величина РКmaxТ определяется из табл.8 Приложения 2.1. Все транзисторы, кроме ГТ402 D, используются с теплоотводом, т.е. расчеты допустимых режимов следует вести по формуле:

iККmaxТ/ UКЭ.

Задаваясь значениями UКЭ (лучше использовать величины, указанные на оси UКЭ выходных характеристик), рассчитайте соответствующие величины ik для 5...8 точек.

Составьте и заполните таблицу (см. табл. 2(а)).

Таблица 2(а).

UКЭ, В          
iК, А          

Нанесите все рассчитанные точки на входные характеристики транзистора и соедините их плавной кривой. Это и будет линия допустимых режимов работы.

Если рабочая точка и вся нагрузочная прямая расположены низке этой кривой, режим работы транзистора допустим.

 

Рис. I (б). Выходные характеристики транзистора.

2.8. В импульсных и цифровых устройствах транзисторы используется в режимах отсечки и насыщения. На рис.1 указаны области, соответствующие режимам отсечки и насыщения. Обозначьте их на своем графике. Если на графике отсутствует характеристика при iБ =0, область отсечки не отмечается. Поясните это в своем ответе.

 

по оформлению результатов:

Разработать схему:

Заполнить таблицы на основе данных эксперимента:

Построить характеристику по шаблону:

по выбору средств:

Литература:

 

1. Гершунский Б. С. Основы электроники и микроэлектроники.- Киев: Высшая школа, 1989.

2. Цикина А. В. Проектирование транзисторных усилителей. - М.: Радио и связь, 1979г.

3. Цикина А.В.. Электронные усилители. – М.: Радио и связь, 1982.

4. Ушакова Л.В. Электронная техника. Учебное пособие. – М., 2000.


Тема: 4.4 Усилительные каскады.

Цель ВСР: в результате работы обучающиеся должны уметь выполнять расчет и построение усилительных каскадов, применяемых на производстве.

 

Количество задач Характер задачи (обязательный, рекомендательный) Норма времени (в часах по рабочей программе) Срок выполнения (в неделях) Форма представления материала (по каждой задаче) Форма контроля каждой задачи
№1 №2 №3 Обязательный Обязательный Рекомендательный   1 неделя 1 неделя 1 неделя Доклад Отчет Табличная Выступление Защита Письменно

 

Задание

№1 Подготовка доклада «Усилители на ИМС».

№2 Подготовка форм отчетов к лабораторным работам.

№3 Схемы ШПУ, УМНЧ, УМВЧ.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-27; Просмотров: 912; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.012 сек.