Применение МКТ

Элементы инжекционного типа представляют собой физически объединенные (совмещение) горизонтальные p-n-p и вертикальные n-p-n – транзисторы (рис. 3.2.1).

Рисунок 3.2.1 Эквивалентная схема (а), условное обозначение (б) элемента И²Л.

Эмиттерная область p-n-p –транзистора, называемая инжектором, подключается к положительному источнику питания. Общая область n-типа служит базой p-n-h –транзистора и эмиттером n-p-n –транзистора и подключатся к потенциалу «земля». Коллектор p-n-p и база n-p-n –транзистора также представляет собой единую область полупроводника p-типа. От одного инжектора может питаться несколько схем, т.е. горизонтальный p-n-p – транзистор VT0 может быть много коллекторным. Вертикальный n-p-n – транзистор обычно имеет несколько коллекторов, которые являются логическими выходами элемента (рис.1.28). При такой физической структуре не требуется изоляция между отдельными элементами И²Л, так как все они имеют общую n- область. Горизонтальный p-n-p – транзистор VT0 (рис.3.2.1) служит в схемах И²Л источником рабочего (переключаемого) тока Ip, пропорционального коэффициенту передачи тока α транзистора VT0.

Типовой элемент И²Л представляет собой много выходной инверторов металлическими проводниками реализуется функция И (рис.3.2.2). На соединенных выходах F элементов в этом случае поддерживается низкий потенциал U⁰, если высокий потенциал U¹подан хотя бы на один из входов (А или В). В результате выполняется коньюкция инверсных переменных А и В, которые образуются на выходах инверторов: F=АВ.

Рисунок 3.2.2 Реализация операции «Монтажное И».

Таким образом, если в схемах ТТЛ или ДТЛ операции И выполняются с помощью МЭТ или диодной сборки, то в схемах И²Л эта операция выполняется монтажным соединением. Используя элементы И²Л с монтажным соединением выходов, можно реализовать любую логическую функцию.

Дата добавления: 2015-06-27