Масочные ПЗУ (МПЗУ, RОМ)

Тема 5.3 Постоянные запоминающие устройства

Постоянные запоминающие устройства ПЗУ предназначены для хранения данных, записываемых заранее и не изменяемых при работе МПС. Они применяются также в микропрограммных устройствах управления, преобразователях кодов, знакогенераторах/

Основные их особенности: энергонезависимость, словарная организация и работа в режиме считывания. Различают следующие группы ИМС ПЗУ:

- RОМ масочные ПЗУ - программируемые один раз на заводе-изготовителе;

- РRОМ (ППЗУ) – электрически программируемые один раз пользователем;

- ЕРRОМ (РПЗУ-УФ) – многократно электрически программируемые (репрограм-

мируемые) с ультрафиолетовым стиранием;

- ЕЕРRОМ (РПЗУ-ЭС) – многократно электрически программируемые с электрическим

стиранием.

Элементом памяти в МПЗУ являются диоды, биполярные и МОП-транзисторы, МОП-структуры. Элементы памяти размещаются в узлах матрицы, образованной адресными линиями строк Х _i и столбцов Y _I. Состоянию «1» соответствует соединение с разрядной линией, а «0» - его отсутствие (см. рисунок 5.3.1). Это соединение формируется, например, формированием проводящего слоя (напылением, эпитаксией) через маску.

Рисунок 5.3.1 – Элементы памяти МПЗУ: а)на диодах; б) на многоэмиттерных биполярных транзисторах (МЭТ); на МОП-транзисторах

Таблица 5.3.1 – Параметры отечественных ИМС МПЗУ

Рисунок 5.3.2 – Условные графические обозначения ИМС МПЗУ: а)ёмкостью 8К; б) ёмкостью 16К; Ёмкостью 32К. CS – выводы для подачи сигнала «выбор микросхемы»; К1, К2, К3 – выводы для подачи контрольных разрядов кода Хэмминга при работе с исправлением ошибок; CEO – вывод для подачи сигнала отключения внутренней схемы исправления ошибок

Дата добавления: 2015-06-27