Исследование диода Шоттки или p-n-перехода варикапа с помощью вольт-фарадных характеристик

Выполнение работы

1. Для измерения вольт-фарадной характеристики выберите схему измерений №2.

2. По указанию преподавателя выбрать встроенный образец (диод Шоттки или варикап) или подключить внешний образец, учитывая полярность подключения выводов структуры, которая в дальнейшем влияет на пределы изменения напряжения смещения на структуре.

3. На схеме измерений активизируйте функциональный генератор и характериограф.

4. Установите на характериографе необходимый предел измерения емкости, превышающий максимальную емкость структуры, и амплитуду измерительного сигнала 25 мВ.

5. Установите на функциональном генераторе необходимые границы изменения напряжения смещения (для внешнего образца необходимо учитывать полярность подключения его выводов, поскольку, в этом случае программно не ограничиваются значения прямого и обратного напряжения на структуре) и включите функциональный генератор.

6. После измерения вольт-фарадной характеристики создайте или откройте существующую «Рабочую тетрадь» и запишите результаты измерения нажатием кнопки «Записать».

7. Для измерения вольт-амперной характеристики выберите схему измерений № 3.

8. На схеме измерений активизируйте функциональный генератор и осциллограф.

9. Установите на функциональном генераторе необходимые границы изменения напряжения смещения и включите функциональный генератор.

10. Создайте в «Рабочей тетради» новую таблицу и запишите результаты измерения ВАХ в таблицу, нажав кнопку «Записать».

11. Для осуществления расчетов откройте окно «построитель выражений», нажмите кнопку «Новое».

12. Запишите выражение для расчета .

13. Постройте графики измеренных зависимостей C = f(V) и G=f(V) и , для чего в «области управления» «Рабочей тетради» нажмите кнопку «График».

14. Постройте прямую линию для определения тангенса угла наклона зависимости .

15. Рассчитайте концентрацию примеси в полупроводнике по формуле:

. (32)

Дата добавления: 2015-06-28