Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

SOT-343 1 страница




SC-70

SOT323

SOD23

SOD-91

 

 

Тип Типоно минал Фирма Функ ция Особенности Цокол
   
11D BYD11D PHIL BYG VR<200B;IF<0,5A;VF(0,5A)<0,91B;VR>225B;IR<1MKA;CD=14пФ; tRR=3MKC K A
11G BYD11G PHIL BYG VR<400B;IF<0,5A;VF(0,5A)<0,91B;VR>450B;IR<1MKA;CD=14пФ; tRR=3MKC K A
11J BYD11J PHIL BYG VR<600B;IF<0,5A;VF(0,5A)<0,91B;VR>650B;IR<1MKA;CD=14пФ; tRR=3MKC K A
11K BYD11K PHIL BYG VR<800B;IF<0,5A;VF(0,5A)<0,91B;VR>900B;IR<1MKA;CD=14пФ; tRR=3MKC K A
11M BYD11M PHIL BYG VR<1000B;IF<0,5A;VF(0,5A)<0,91B;VR>450B;IR<1MKA;CD=14пФ; tRR=3MKC K A
31D BYD31D PHIL BYD VR<200B; IF<0,44A; VF(0,5A)<1,35B; VR>300B; CD=9пФ; tRR=250нс K A
31G BYD31G PHIL BYD VR<400B; IF<0,44A; VF(0,5A)<1,35B; VR>500B; CD=9пФ; tRR=250нс K A
31J BYD31G PHIL BYD VR<600B; IF<0,44A; VF(0,5A)<1,35B; VR>700B; CD=9пФ; tRR=250нс K A
31K BYD31K PHIL BYD VR<800B; IF<0,44A; VF(0,5A)<1,35B; VR>900B; CD=8пФ; tRR=300нс K A
31M BYD31M PHIL FID VR<1000B; IF<0,44A; VF(0,5A)<1,35B; VR>1100B; CD=8пФ; tRR=300нс K A
S11 BAS11 PHIL DL VR<300B;IF<300мA;VF(IF=300мA)<1,0B;CD=20пФ; tRR<1MKC K A
S12 BAS12 PHIL DL VR<400B;IF<300мA;VF(IF=300мA)<1,0B;CD=20пФ; tRR<1MKC K A

 

 

SOT143, TO-253

 

Код Типономинал Фир ма Функ ция Особенности Цоколевка
       
  MRF9011LT1 MOT NPN VCBO=25B;IC=30MA;PD=300MBT;h21=30..200; fT=3800МГц C E B E
  MRF5711LT1 MOT NPN VCBO=20B;IC=80MA;PD=580MBT;h21=50..300; fT=8000МГц C E B E
  MRF4427 MOT NPN VCBO=40B;IC=400MA;PD=220MBT;h21=10..200; fT=1600МГц C E B E
  MRF5211LT1 MOT NPN VCBO=20B;IC=70MA;PD=333MBT;h21=25..125; fT=4200МГц C E B E
  MRF9331LT1 MOT NPN VCBO=15B;IC=2MA;PD=50MBT;h21=30..200; fT=5000МГц C E B E
  MRF9511ALT1 MOT NPN VCBO=20B;IC=100MA;PD=322MBT;h21=75..150; fT=8000МГц C E B E
  BAS125-07 SIEM 2xSHD VR<25B;IF<100MA;VF(IF=35MA)<0.9B;IR<1.0MKA; CD<1.1ПФ K1 K2 A2 A1
  MRF9331LT1 MOT NPN VCBO=15B;IC=2MA;PD=50MBT;h21=30..200; fT=3500МГц C E B E
  MRF9411BLT1 MOT NPN VCBO=20B;IC=50MA;PD=322MBT;h21=100..200; fT=8000МГц C E B   E
  MRF9411BLT3 MOT NPN VCBO=20B;IC=50MA;PD=322MBT;h21=100..200; fT=8000МГц C E B E
1Jp BCV61A PHIL NPN VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=110..220; fT>100МГц B1 B2 C2 C1 E1 E2
1Js BCV61A SIEM NPN VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT;h21=110..220; fT=250МГц C1 B1 B2 C2 E2 E1
1Kp BCV61B PHIL NPN VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=200..450; fT>100МГц B1 B2 C2 C1 E1 E2
1Ks BCV61B SIEM NPN VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT;h21=200..450;fT=250МГц C1 B1 B2 C2 E2 E1
1Lp BCV61C PHIL NPN VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=420..800; fT>100МГц B1 B2 C2 C1 E1 E2
1Ls BCV61C SIEM NPN VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT;h21=420..800; fT>250МГц C1 B1 B2 C2 E2 E1
1Mp BCV61 PHIL NPN VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=110..800;fT>100МГц B1 B2 C2 C1 E1 E2
  AT-30511 HP NPN VCBO=11B;IC=8MA;PD=100MBT; h21=70..300; fT=10ГГц B E C E
  AT-31011 HP NPN VCBO=11B;IC=16MA;PD=150MBT; h21=70..300; fT=10ГГц B E C E
  AT-32011 HP PNP VCBO=11B;IC=32MA;PD=200MBT; h21=70..300; fT=10ГГц B E C E
3Jp BCV62A PHIL PNP VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=125..250; fT>100MГц B1 B2 C2 C1 E1 E2
3Js BCV62A SIEM PNP VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT; h21=125..220; fT=250MГц C1 B1 B2 C2 E2 E1
3Kp BCV62B PHIL PNP VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=220..475; fT>100MГц B1 B2 C2 C1 E1 E2

SOT143, TO-253 (продолжение)

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
       
3Ks BCV62B SIEM PNP VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT; h21=220..475; fT=250MГц C1 B1 B2 C2 E2 E1
3Lp BCV62C PHIL PNP VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=220..475; fT>100MГц B1 B2 C2 C1 E1 E2
3Ls BCV62C SIEM PNP VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT; h21=420..800; fT=c250MГц C1 B1 B2 C2 E2 E1
3Mp BCV62 PHIL PNP VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=100..800; fT>100MГц B1 B2 C2 C1 E1 E2
  AT-41411 HP NPN VCBO=30B;IC=50MA;PD=225MBT; h21=30..270; fT=7000MГц C E B E
47s BAS40-07 SIEM 2xSHD VR<40B;IF<120мA;VF(IF=40мA)<1,0B;IR<1,0MKA; CD<5,0пФ; K1 K2 A2 A1
  BAT17-07 SIEM 2xSHD VR<4B;IF<130мA;VF(IF=10мA)<0,6B; IR<0,25MKA CD<0,75пФ; K1 K2 A2 A1
  BAR60 SIEM 3xPIN VR<100B;IF<140мA;VF(IF=100мA)<1,25B; IR<0,1MKA CD<0,2пФ; K1 K2 A3 K3 A1 A2
  BAR61 SIEM 3xPIN VR<100B;IF<140мA;VF(IF=100мA)<1,25B; IR<0,1MKA CD<0,2пФ; K2 A3 A1 K1A2 A3
  BAT62 SIEM 2xSHD VR<40B;IF<20мA;VF(IF=2мA)<1,0B; IR<10MKA; CD<0,6пФ; A1 K2 A2 K1
  BAT63 SIEM 2xSHD VR<3B;IF<100мA;VF(IF=1мA)<0,3B; IR<0,01MKA; CD<0,85пФ; A1 K2 A2 K1
67s BAT64-07 SIEM 2xSHD VR<40B;IF<250мA;VF(IF=100мA)<0,75B; IR<2,0MKA; CD<6пФ; K1 K2 A2 A1
77p BAS70-07 PHIL 2xSHD VR<70B;IF<70мA;VF(IF=1мA)<410MB;CD<2пФ; K1 K2 A2 A1
77s BAS70-07 SIEM 2xSHD VR<70B;IF<70мA;VF(IF=15мA)<1,0B; IR<0,1MKA; CD<2,0пФ; K1 K2 A2 A1
  MRF8372 MOT NPN VCBO=36B;IC=200MA;PD=1880MBT; h21=30..200 C E B E
97p BCV65 PHIL PNP(1)+NPN(2) VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT; h21=75..800 C2 B1 B2 C1 E1E2
98p BCV65B PHIL PNP(1)+NPN(2) VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT; h21=200..475 C2 B1 B2 C1 E1E2
A MRF94713 MOT NPN VCBO=20B;IC=50MA;PD=188MBT; h21>50; fT=8000MГц C E B E
A2 CFY30 SIEM FET GAAS;VDS=5B;ID=80MA;PD=250MBT;IDSS=15...60MA; gF=30MOM S D S G
A5 HSMS-2805 HP 2xSHD VBR>70B;VF(IF=15MA)<1.0B;IR(VR=50B)<200 HA; CD<2,0 пФ;RD=35OM K1 K2 A2 A1
A61 BAS28 CENTS 2xFID IF<250мА;VBR>75B;VF(IF=10мА)<0,855В;IR<1000нА; tRR<6.0нс; CD<2,0 пФ A1 A2 K2 K1
A7 HSMS-2807 HP 4xSHD VBR>70B;VF(IF=15MA)<1.0B;IR(VR=50B)<200нA; CD<2,0 пФ;RD=35OM K1 A4 K4A3 K3A2 K2A1
A8 HSMS-2808 HP 4xSHD VBR>70B;VF(IF=15MA)<1.0B;IR(VR=50B)<200нA; CD<2,0 пФ;RD=35OM K1 K4 A4K3 A3A2 K2A1
B5 HSMS-2815 HP 2xSHD VBR>20B;VF(IF=35MA)<1.0B;IR(VR=15B)<200нA; CT<1,2 пФ;RD=15OM K1 K2 A2 A1
B7 HSMS-2817 HP 4xSHD VBR>20B;VF(IF=35MA)<1.0B;IR(VR=15B)<200нA; CD<1,2 пФ;RD=15OM K1 A4 K4A3 K3A2 K2A1
B8 HSMS-2818 HP 4xSHD VBR>20B;VF(IF=35MA)<1.0B;IR(VR=15B)<200нA; CD<1,2 пФ;RD=15OM K1 K4 A4K3 A3A2 K2A1
C5 HSMS-2825 HP 2xSHD VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CD<1,0 пФ;RD=12OM K1 K2 A2 A1
C7 HSMS-2827 HP 4xSHD VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CT<1,0 пФ;RD=12OM K1 K4 A4K3 A3A2 K2A1
C8 HSMS-2828 HP 4xSHD VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CT<1,0 пФ;RD=12OM K1 K4 A4K3 A3A2 K2A1
C9 HSMS-2829 HP 4xSHD VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CT<1,0 пФ;RD=12OM K1 A2 A3K4 A4K2 K3A1
C95 BCV64 PHIL PNP VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=110…800; FT>1000МГц B1 C2 C1 E1E2 B2
C96 BCV64B PHIL PNP VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=220…475; FT>1000МГц B1 C2 C1 E1E2 B2
D95 BCV63 PHIL NPN VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=110…800; FT>1000МГц B1 C2 C1 E1E2 B2
D96 BCV63B PHIL NPN VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=200…450; FT>1000МГц B1 C2 C1 E1E2 B2
FAs BFP81 SIEM NPN VCB0=25B;IC=30MA; PD=280мВт;h21=50…200; FT>5800МГц C E B E

SOT143, TO-253(продолжение)

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
       
FEs BFP93A SIEM NPN VCB0=20B;IC=50MA; PD=300мВт;h21=50…200; FT>6000МГц C E B E
G5 HSMP-3895 HP 2xPIN IF<1А; PD=250мВт;VBR>100B; RS>2.5Ом; CT<0.30пФ А1 А2 К2 К1
HHs BBY51-07 SIEM 2xBD VR<7B;IF<20мA;IR<0.01мкA;C1V=4.8…6.0пФ; C2V /C4V=1.55…2.15 K1 K2 A2 A1
JPs BAW101 SIEM 2xDI VR<300B;IF<250мA;VF(IF=100MA)<1.3B;IR<0.15мкА; CD<6.0 пФ;tRR<1000нс K1 K2 A2 A1
JSs BAW100 SIEM 2xDI VR<75B;IF<200мA; VF(IF=150MA)<1.25B;IR<1.0мкА; CD<2.0 пФ;tRR<6нс А1 А2 К2 К1
JTp BAS28 SIEM 2xFD VR<75B;IF<215мA; VF(IF=50MA)<1.0B; CD<1.5 пФ;tRR<4нс K1 K2 A2 A1
JTs BAS28 PHIL 2xD1 VR<75B;IF<200мA; VF(IF=50MA)<1.0B;IR<0.1мкА; CD<2.0 пФ;tRR<6нс K1 K2 A2 A1
L30 BAV23 PHIL 2xD VR<200B;IF<225мA; VF(IF=100MA)<1.0B; CD<5пФ;tRR<50нс K1 K2 A2 A1
L41 BAT74 PHIL 2xSHD VR<30B;IF<200мA; VF(IF=1MA)<320B; CD<10пФ;tRR<5нс K1 K2 A2 A1
L51 BAS56 CENTS 2xFID IF<200мА;VBR>60B;VF(IF=10мА)<0.75В;IR<100нА; tRR<6.0нс; CD<2.5пФ A1 A2 K2 K1
L51 BAS56 PHIL 2xFID VR<60B;IF<200мA; VF(IF=200MA)<1.0B; CD<2.5пФ;tRR<6нс K1 K2 A2 A1
M BAR65-07 SIEM 2xPIN VR<30B;IF<100мA; VF(IF=50MA)<1.0B; CD<0.9пФ K1 K2 A2 A1
MB BF995 SIEM nMOS VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.1Дб; IDSS=4…20мA; gF>12мСм S D G2 G1
MB BF995 TELEF nMOS VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт;IDS=4…18мA; gF>12мСм S D G2 G1
MG BF994S SIEM nMOS VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1Дб; IDSS=2…20мA; gF>15мСм S D G2 G1
MG BF994S TELEF nMOS VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт;IDS=4…18мA; gF>15мСм S D G2 G1
MH BF996S SIEM nMOS VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.8Дб; IDSS=2…20мA; gF>15мСм S D G2 G1
MH BF996S TELEF nMOS VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт;IDS=4…18мA; gF>15мСм S D G2 G1
MK BF997 SIEM nMOS VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.0Дб; IDSS=2…20мA; gF>15мСм S D G2 G1
MO BF998 SIEM nMOS VDS=12B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.0Дб; IDSS=2…20мA; gF>24мСм S D G2 G1
MO BF998 TELEF nMOS VDS=12B;ID=30мA; PD=200мBт; IDS=4…18мA; gF>21мСм S D G2 G1
MS CF739 SIEM nFET GaAs; VDS=10B;ID=80мA; PD=240мBт; IDS=6…60мA; gF=25мСм S D G2 G1
MX CF750 SIEM FET GaAs; VDS=8B;ID=80мA; PD=300мBт; IDSS=50мA; gF=25мСм GND D G S
MYs BF1012 SIEM nMOS VDS=16B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.4Дб; gF=26мСм S D G2 G1
MZs BF1005 SIEM nMOS VDS=8B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.4Дб; gF=24мСм S D G2 G1
NYs BF1012S SIEM nMOS VDS=16B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.4Дб; gF=26мСм S D G2 G1
NZs BF1005S SIEM nMOS VDS=8B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.6Дб; gF=24мСм S D G2 G1
PTs BAR64-07 SIEM 2xPIN VR<200B;IF<100мA; VF(IF=50MA)<1.1B; CD<0.35пФ K1 K2 A2 A1
RAs BF772 SIEM NPN VCB0=20B;IC=80MA; PD=580мВт; h21=50…200; FT=8000МГц C E B E
RCs BFP193 SIEM NPN VCB0=20B;IC=80MA; PD=580мВт; h21=50…200; fT=8000МГц C E B E
RDs BFP180 SIEM NPN VCB0=10B;IC=4MA; PD=30мВт; h21=30…200; fT=6200МГц C E B E
REs BFP280 SIEM NPN VCB0=10B;IC=10MA; PD=80мВт; h21=30…200; fT=7000МГц C E B E
RFs BFP181 SIEM NPN VCB0=20B;IC=20MA; PD=175мВт; h21=50…200; fT=8000МГц C E B E
RFs BFP181R SIEM NPN VCB0=20B;IC=20MA; PD=175мВт; h21=50…200; fT>8000МГц C E B E
RGs BFP182 SIEM NPN VCB0=20B;IC=35MA; PD=250мВт; h21=50…200; fT>8000МГц C E B E
RGs BFP182R SIEM NPN VCB0=20B;IC=35MA; PD=250мВт; h21=50…200; fT>8000МГц C E B E

SOT143, TO-253(продолжение)




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-27; Просмотров: 532; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.013 сек.