SOT-343 1 страница

SC-70

SOT323

SOD23

SOD-91

Тип	Типоно минал	Фирма	Функ ция	Особенности	Цокол
11D	BYD11D	PHIL	BYG	VR<200B;IF<0,5A;VF(0,5A)<0,91B;VR>225B;IR<1MKA;CD=14пФ; tRR=3MKC	K	A
11G	BYD11G	PHIL	BYG	VR<400B;IF<0,5A;VF(0,5A)<0,91B;VR>450B;IR<1MKA;CD=14пФ; tRR=3MKC	K	A
11J	BYD11J	PHIL	BYG	VR<600B;IF<0,5A;VF(0,5A)<0,91B;VR>650B;IR<1MKA;CD=14пФ; tRR=3MKC	K	A
11K	BYD11K	PHIL	BYG	VR<800B;IF<0,5A;VF(0,5A)<0,91B;VR>900B;IR<1MKA;CD=14пФ; tRR=3MKC	K	A
11M	BYD11M	PHIL	BYG	VR<1000B;IF<0,5A;VF(0,5A)<0,91B;VR>450B;IR<1MKA;CD=14пФ; tRR=3MKC	K	A
31D	BYD31D	PHIL	BYD	VR<200B; IF<0,44A; VF(0,5A)<1,35B; VR>300B; CD=9пФ; tRR=250нс	K	A
31G	BYD31G	PHIL	BYD	VR<400B; IF<0,44A; VF(0,5A)<1,35B; VR>500B; CD=9пФ; tRR=250нс	K	A
31J	BYD31G	PHIL	BYD	VR<600B; IF<0,44A; VF(0,5A)<1,35B; VR>700B; CD=9пФ; tRR=250нс	K	A
31K	BYD31K	PHIL	BYD	VR<800B; IF<0,44A; VF(0,5A)<1,35B; VR>900B; CD=8пФ; tRR=300нс	K	A
31M	BYD31M	PHIL	FID	VR<1000B; IF<0,44A; VF(0,5A)<1,35B; VR>1100B; CD=8пФ; tRR=300нс	K	A
S11	BAS11	PHIL	DL	VR<300B;IF<300мA;VF(IF=300мA)<1,0B;CD=20пФ; tRR<1MKC	K	A
S12	BAS12	PHIL	DL	VR<400B;IF<300мA;VF(IF=300мA)<1,0B;CD=20пФ; tRR<1MKC	K	A

SOT143, TO-253

Код	Типономинал	Фир ма	Функ ция	Особенности	Цоколевка
	MRF9011LT1	MOT	NPN	VCBO=25B;IC=30MA;PD=300MBT;h21=30..200; fT=3800МГц	C	E	B	E
	MRF5711LT1	MOT	NPN	VCBO=20B;IC=80MA;PD=580MBT;h21=50..300; fT=8000МГц	C	E	B	E
	MRF4427	MOT	NPN	VCBO=40B;IC=400MA;PD=220MBT;h21=10..200; fT=1600МГц	C	E	B	E
	MRF5211LT1	MOT	NPN	VCBO=20B;IC=70MA;PD=333MBT;h21=25..125; fT=4200МГц	C	E	B	E
	MRF9331LT1	MOT	NPN	VCBO=15B;IC=2MA;PD=50MBT;h21=30..200; fT=5000МГц	C	E	B	E
	MRF9511ALT1	MOT	NPN	VCBO=20B;IC=100MA;PD=322MBT;h21=75..150; fT=8000МГц	C	E	B	E
	BAS125-07	SIEM	2xSHD	VR<25B;IF<100MA;VF(IF=35MA)<0.9B;IR<1.0MKA; CD<1.1ПФ	K1	K2	A2	A1
	MRF9331LT1	MOT	NPN	VCBO=15B;IC=2MA;PD=50MBT;h21=30..200; fT=3500МГц	C	E	B	E
	MRF9411BLT1	MOT	NPN	VCBO=20B;IC=50MA;PD=322MBT;h21=100..200; fT=8000МГц	C	E	B	E
	MRF9411BLT3	MOT	NPN	VCBO=20B;IC=50MA;PD=322MBT;h21=100..200; fT=8000МГц	C	E	B	E
1Jp	BCV61A	PHIL	NPN	VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=110..220; fT>100МГц	B1 B2 C2	C1	E1	E2
1Js	BCV61A	SIEM	NPN	VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT;h21=110..220; fT=250МГц	C1 B1 B2	C2	E2	E1
1Kp	BCV61B	PHIL	NPN	VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=200..450; fT>100МГц	B1 B2 C2	C1	E1	E2
1Ks	BCV61B	SIEM	NPN	VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT;h21=200..450;fT=250МГц	C1 B1 B2	C2	E2	E1
1Lp	BCV61C	PHIL	NPN	VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=420..800; fT>100МГц	B1 B2 C2	C1	E1	E2
1Ls	BCV61C	SIEM	NPN	VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT;h21=420..800; fT>250МГц	C1 B1 B2	C2	E2	E1
1Mp	BCV61	PHIL	NPN	VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT;h21=110..800;fT>100МГц	B1 B2 C2	C1	E1	E2
	AT-30511	HP	NPN	VCBO=11B;IC=8MA;PD=100MBT; h21=70..300; fT=10ГГц	B	E	C	E
	AT-31011	HP	NPN	VCBO=11B;IC=16MA;PD=150MBT; h21=70..300; fT=10ГГц	B	E	C	E
	AT-32011	HP	PNP	VCBO=11B;IC=32MA;PD=200MBT; h21=70..300; fT=10ГГц	B	E	C	E
3Jp	BCV62A	PHIL	PNP	VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=125..250; fT>100MГц	B1 B2 C2	C1	E1	E2
3Js	BCV62A	SIEM	PNP	VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT; h21=125..220; fT=250MГц	C1 B1 B2	C2	E2	E1
3Kp	BCV62B	PHIL	PNP	VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=220..475; fT>100MГц	B1 B2 C2	C1	E1	E2

SOT143, TO-253 (продолжение)

Код	Типономинал	Фирма	Функ ция	Особенности	Цоколевка
3Ks	BCV62B	SIEM	PNP	VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT; h21=220..475; fT=250MГц	C1 B1 B2	C2	E2	E1
3Lp	BCV62C	PHIL	PNP	VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=220..475; fT>100MГц	B1 B2 C2	C1	E1	E2
3Ls	BCV62C	SIEM	PNP	VCBO=30B;IC=100MA;PD=300MBT; h21=420..800; fT=c250MГц	C1 B1 B2	C2	E2	E1
3Mp	BCV62	PHIL	PNP	VCBO=30;IC=100MA;PD=250MBT; h21=100..800; fT>100MГц	B1 B2 C2	C1	E1	E2
	AT-41411	HP	NPN	VCBO=30B;IC=50MA;PD=225MBT; h21=30..270; fT=7000MГц	C	E	B	E
47s	BAS40-07	SIEM	2xSHD	VR<40B;IF<120мA;VF(IF=40мA)<1,0B;IR<1,0MKA; CD<5,0пФ;	K1	K2	A2	A1
	BAT17-07	SIEM	2xSHD	VR<4B;IF<130мA;VF(IF=10мA)<0,6B; IR<0,25MKA CD<0,75пФ;	K1	K2	A2	A1
	BAR60	SIEM	3xPIN	VR<100B;IF<140мA;VF(IF=100мA)<1,25B; IR<0,1MKA CD<0,2пФ;	K1 K2 A3	K3	A1	A2
	BAR61	SIEM	3xPIN	VR<100B;IF<140мA;VF(IF=100мA)<1,25B; IR<0,1MKA CD<0,2пФ;	K2 A3	A1	K1A2	A3
	BAT62	SIEM	2xSHD	VR<40B;IF<20мA;VF(IF=2мA)<1,0B; IR<10MKA; CD<0,6пФ;	A1	K2	A2	K1
	BAT63	SIEM	2xSHD	VR<3B;IF<100мA;VF(IF=1мA)<0,3B; IR<0,01MKA; CD<0,85пФ;	A1	K2	A2	K1
67s	BAT64-07	SIEM	2xSHD	VR<40B;IF<250мA;VF(IF=100мA)<0,75B; IR<2,0MKA; CD<6пФ;	K1	K2	A2	A1
77p	BAS70-07	PHIL	2xSHD	VR<70B;IF<70мA;VF(IF=1мA)<410MB;CD<2пФ;	K1	K2	A2	A1
77s	BAS70-07	SIEM	2xSHD	VR<70B;IF<70мA;VF(IF=15мA)<1,0B; IR<0,1MKA; CD<2,0пФ;	K1	K2	A2	A1
	MRF8372	MOT	NPN	VCBO=36B;IC=200MA;PD=1880MBT; h21=30..200	C	E	B	E
97p	BCV65	PHIL	PNP(1)+NPN(2)	VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT; h21=75..800	C2	B1 B2	C1	E1E2
98p	BCV65B	PHIL	PNP(1)+NPN(2)	VCBO=30B;IC=100MA;PD=250MBT; h21=200..475	C2	B1 B2	C1	E1E2
A	MRF94713	MOT	NPN	VCBO=20B;IC=50MA;PD=188MBT; h21>50; fT=8000MГц	C	E	B	E
A2	CFY30	SIEM	FET	GAAS;VDS=5B;ID=80MA;PD=250MBT;IDSS=15...60MA; gF=30MOM	S	D	S	G
A5	HSMS-2805	HP	2xSHD	VBR>70B;VF(IF=15MA)<1.0B;IR(VR=50B)<200 HA; CD<2,0 пФ;RD=35OM	K1	K2	A2	A1
A61	BAS28	CENTS	2xFID	IF<250мА;VBR>75B;VF(IF=10мА)<0,855В;IR<1000нА; tRR<6.0нс; CD<2,0 пФ	A1	A2	K2	K1
A7	HSMS-2807	HP	4xSHD	VBR>70B;VF(IF=15MA)<1.0B;IR(VR=50B)<200нA; CD<2,0 пФ;RD=35OM	K1 A4	K4A3	K3A2	K2A1
A8	HSMS-2808	HP	4xSHD	VBR>70B;VF(IF=15MA)<1.0B;IR(VR=50B)<200нA; CD<2,0 пФ;RD=35OM	K1 K4	A4K3	A3A2	K2A1
B5	HSMS-2815	HP	2xSHD	VBR>20B;VF(IF=35MA)<1.0B;IR(VR=15B)<200нA; CT<1,2 пФ;RD=15OM	K1	K2	A2	A1
B7	HSMS-2817	HP	4xSHD	VBR>20B;VF(IF=35MA)<1.0B;IR(VR=15B)<200нA; CD<1,2 пФ;RD=15OM	K1 A4	K4A3	K3A2	K2A1
B8	HSMS-2818	HP	4xSHD	VBR>20B;VF(IF=35MA)<1.0B;IR(VR=15B)<200нA; CD<1,2 пФ;RD=15OM	K1 K4	A4K3	A3A2	K2A1
C5	HSMS-2825	HP	2xSHD	VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CD<1,0 пФ;RD=12OM	K1	K2	A2	A1
C7	HSMS-2827	HP	4xSHD	VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CT<1,0 пФ;RD=12OM	K1 K4	A4K3	A3A2	K2A1
C8	HSMS-2828	HP	4xSHD	VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CT<1,0 пФ;RD=12OM	K1 K4	A4K3	A3A2	K2A1
C9	HSMS-2829	HP	4xSHD	VBR>15B;VF(IF=30MA)<0.7B;IR(VR=1B)<100нA; CT<1,0 пФ;RD=12OM	K1 A2	A3K4	A4K2	K3A1
C95	BCV64	PHIL	PNP	VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=110…800; FT>1000МГц	B1 C2	C1	E1E2	B2
C96	BCV64B	PHIL	PNP	VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=220…475; FT>1000МГц	B1 C2	C1	E1E2	B2
D95	BCV63	PHIL	NPN	VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=110…800; FT>1000МГц	B1 C2	C1	E1E2	B2
D96	BCV63B	PHIL	NPN	VCB0=30B;IC=100MA; PD=250мВт;h21=200…450; FT>1000МГц	B1 C2	C1	E1E2	B2
FAs	BFP81	SIEM	NPN	VCB0=25B;IC=30MA; PD=280мВт;h21=50…200; FT>5800МГц	C	E	B	E

SOT143, TO-253(продолжение)

Код	Типономинал	Фирма	Функ ция	Особенности	Цоколевка
FEs	BFP93A	SIEM	NPN	VCB0=20B;IC=50MA; PD=300мВт;h21=50…200; FT>6000МГц	C	E	B	E
G5	HSMP-3895	HP	2xPIN	IF<1А; PD=250мВт;VBR>100B; RS>2.5Ом; CT<0.30пФ	А1	А2	К2	К1
HHs	BBY51-07	SIEM	2xBD	VR<7B;IF<20мA;IR<0.01мкA;C1V=4.8…6.0пФ; C2V /C4V=1.55…2.15	K1	K2	A2	A1
JPs	BAW101	SIEM	2xDI	VR<300B;IF<250мA;VF(IF=100MA)<1.3B;IR<0.15мкА; CD<6.0 пФ;tRR<1000нс	K1	K2	A2	A1
JSs	BAW100	SIEM	2xDI	VR<75B;IF<200мA; VF(IF=150MA)<1.25B;IR<1.0мкА; CD<2.0 пФ;tRR<6нс	А1	А2	К2	К1
JTp	BAS28	SIEM	2xFD	VR<75B;IF<215мA; VF(IF=50MA)<1.0B; CD<1.5 пФ;tRR<4нс	K1	K2	A2	A1
JTs	BAS28	PHIL	2xD1	VR<75B;IF<200мA; VF(IF=50MA)<1.0B;IR<0.1мкА; CD<2.0 пФ;tRR<6нс	K1	K2	A2	A1
L30	BAV23	PHIL	2xD	VR<200B;IF<225мA; VF(IF=100MA)<1.0B; CD<5пФ;tRR<50нс	K1	K2	A2	A1
L41	BAT74	PHIL	2xSHD	VR<30B;IF<200мA; VF(IF=1MA)<320B; CD<10пФ;tRR<5нс	K1	K2	A2	A1
L51	BAS56	CENTS	2xFID	IF<200мА;VBR>60B;VF(IF=10мА)<0.75В;IR<100нА; tRR<6.0нс; CD<2.5пФ	A1	A2	K2	K1
L51	BAS56	PHIL	2xFID	VR<60B;IF<200мA; VF(IF=200MA)<1.0B; CD<2.5пФ;tRR<6нс	K1	K2	A2	A1
M	BAR65-07	SIEM	2xPIN	VR<30B;IF<100мA; VF(IF=50MA)<1.0B; CD<0.9пФ	K1	K2	A2	A1
MB	BF995	SIEM	nMOS	VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.1Дб; IDSS=4…20мA; gF>12мСм	S	D	G2	G1
MB	BF995	TELEF	nMOS	VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт;IDS=4…18мA; gF>12мСм	S	D	G2	G1
MG	BF994S	SIEM	nMOS	VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1Дб; IDSS=2…20мA; gF>15мСм	S	D	G2	G1
MG	BF994S	TELEF	nMOS	VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт;IDS=4…18мA; gF>15мСм	S	D	G2	G1
MH	BF996S	SIEM	nMOS	VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.8Дб; IDSS=2…20мA; gF>15мСм	S	D	G2	G1
MH	BF996S	TELEF	nMOS	VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт;IDS=4…18мA; gF>15мСм	S	D	G2	G1
MK	BF997	SIEM	nMOS	VDS=20B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.0Дб; IDSS=2…20мA; gF>15мСм	S	D	G2	G1
MO	BF998	SIEM	nMOS	VDS=12B;ID=30мA; PD=200мBт; NF=1.0Дб; IDSS=2…20мA; gF>24мСм	S	D	G2	G1
MO	BF998	TELEF	nMOS	VDS=12B;ID=30мA; PD=200мBт; IDS=4…18мA; gF>21мСм	S	D	G2	G1
MS	CF739	SIEM	nFET	GaAs; VDS=10B;ID=80мA; PD=240мBт; IDS=6…60мA; gF=25мСм	S	D	G2	G1
MX	CF750	SIEM	FET	GaAs; VDS=8B;ID=80мA; PD=300мBт; IDSS=50мA; gF=25мСм	GND	D	G	S
MYs	BF1012	SIEM	nMOS	VDS=16B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.4Дб; gF=26мСм	S	D	G2	G1
MZs	BF1005	SIEM	nMOS	VDS=8B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.4Дб; gF=24мСм	S	D	G2	G1
NYs	BF1012S	SIEM	nMOS	VDS=16B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.4Дб; gF=26мСм	S	D	G2	G1
NZs	BF1005S	SIEM	nMOS	VDS=8B;ID=25мA; PD=200мBт; NF=1.6Дб; gF=24мСм	S	D	G2	G1
PTs	BAR64-07	SIEM	2xPIN	VR<200B;IF<100мA; VF(IF=50MA)<1.1B; CD<0.35пФ	K1	K2	A2	A1
RAs	BF772	SIEM	NPN	VCB0=20B;IC=80MA; PD=580мВт; h21=50…200; FT=8000МГц	C	E	B	E
RCs	BFP193	SIEM	NPN	VCB0=20B;IC=80MA; PD=580мВт; h21=50…200; fT=8000МГц	C	E	B	E
RDs	BFP180	SIEM	NPN	VCB0=10B;IC=4MA; PD=30мВт; h21=30…200; fT=6200МГц	C	E	B	E
REs	BFP280	SIEM	NPN	VCB0=10B;IC=10MA; PD=80мВт; h21=30…200; fT=7000МГц	C	E	B	E
RFs	BFP181	SIEM	NPN	VCB0=20B;IC=20MA; PD=175мВт; h21=50…200; fT=8000МГц	C	E	B	E
RFs	BFP181R	SIEM	NPN	VCB0=20B;IC=20MA; PD=175мВт; h21=50…200; fT>8000МГц	C	E	B	E
RGs	BFP182	SIEM	NPN	VCB0=20B;IC=35MA; PD=250мВт; h21=50…200; fT>8000МГц	C	E	B	E
RGs	BFP182R	SIEM	NPN	VCB0=20B;IC=35MA; PD=250мВт; h21=50…200; fT>8000МГц	C	E	B	E

SOT143, TO-253(продолжение)

Дата добавления: 2015-06-27