Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

SOT-343 11 страница




SOT23, SOD23 (продолжение)

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
F5 KST1009F5 SAMS NPN VCB0=50B;IC=50MA; PD=350мВт; h21=135...270; fT>150МГц B E C
F8p BF828 PHIL PNP VCB0=-30B;IC=-25MA; PD=250мВт; fT=450 B E C
FA HSMP-4820 HP PIN IF<1A; PD<250мВт; VBR>50B; RS<0.6Ом; CD<1.0пФ; LT=1.0нГ A A K
FDp BCV26 PHIL PNP VCB0=-40B;IC=-300MA; PD=250мВт; h21>20000; fT=220МГц B E C
FDs BCV26 SIEM PNP VCB0=-40B;IC=-500MA; PD=360мВт; h21>10000; fT=200МГц B E C
Fep BCV46 PHIL PNP VCB0=-80B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21>4000; fT=220МГц B E C
FEs BCV46 SIEM PNP VCB0=-80B;IC=-500MA; PD=360мВт; h21>4000; fT=200МГц B E C
FFp BCV27 PHIL PNP VCB0=40B;IC=300MA; PD=250мВт; h21>20000; fT=220МГц B E C
FFs BCV27 SIEM NPN VCB0=40B;IC=500MA; PD=360мВт; h21>10000; fT=170МГц B E C
FGp BCV47 PHIL NPN VCB0=80B;IC=500MA; PD=250мВт; h21>4000; fT=220МГц B E C
FGs BCV47 SIEM NPN VCB0=80B;IC=500MA; PD=360мВт; h21>4000; fT=170МГц B E C
FHs BFN24 SIEM NPN VCB0=250B;IC=200MA; PD=360мВт; h21>40; fT=70МГц B E C
FJs BFN26 SIEM NPN VCB0=300B;IC=200MA; PD=360мВт; h21>30; fT=70МГц B E C
FKs BFN25 SIEM PNP VCB0=-250B;IC=-200MA; PD=360мВт; h21>40; fT=100МГц B E C
FLs BFN27 SIEM PNP VCB0=-300B;IC=-200MA; PD=360мВт; h21>30; fT=100МГц B E C
G0 HSMP-3890 HP PIN IF<1A; PD<250мВт; VBR>100B; RS<2.5Ом; CD<0.30пФ A nc K
G1 BFS20 ZETEX NPN VCB0=30B;IC=25MA; PD=330мВт; h21=40...85; fT>450МГц B E C
G1p BFS20 PHIL NPN VCB0=30B;IC=25MA; PD=250мВт; h21>40; fT=450МГц B E C
G2 HSMP-3892 HP 2xPIN IF<1A; PD<250мВт; VBR>100B; RS<2.5Ом; CD<0.30пФ A1 K2 K1A2
G3 HSMP-3893 HP 2xPIN IF<1A; PD<250мВт; VBR>100B; RS<2.5Ом; CD<0.30пФ K1 K2 A1 A2
G3 BAR63 SIEM PIN VR<50B; IF<100MA;VF(IF =100MA)<1.2B; IR<0.05мкА; CD<0.3пФ A nc K
G4 HSMP-3894 HP 2xPIN IF<1A; PD<250мВт; VBR>100B; RS<2.5Ом; CD<0.30пФ A1 A2 K1K2
G4 BAR63 SIEM PIN VR<50B; IF<100MA;VF(IF =100MA)<1.2B; IR<0.05мкА; CD<0.3пФ A1 K2 K1A2
G6 BAR63-06 SIEM 2xPIN VR<50B; IF<100MA;VF(IF =100MA)<1.2B; IR<0.05мкА; CD<0.3пФ K1 K2 A1 A2
G6A BC817-16 TOSH NPN VCB0=50B;IC=800MA; PD=330мВт; h21=100...250; fT=150МГц B E C
G6B BC817-25 TOSH NPN VCB0=50B;IC=800MA; PD=330мВт; h21=160...400; fT=150МГц B E C
GA HSMP-4890 HP PIN IF<1A; PD<250мВт; VBR>100B; RS<2.5Ом; CD<0.375пФ; LT=1.0нГ A A K
GEs BFR35AP SIEM NPN VCB0=20B;IC=30MA; PD=280мВт; h21=40...200; fT=5000МГц B E C
GFs BFR92P SIEM NPN VCB0=20B;IC=30MA; PD=280мВт; h21=40...200; fT=5000МГц B E C
GG BFR93P SIEM NPN VCB0=20B;IC=50MA; PD=280мВт; h21>30; fT=5000МГц B E C
H1 BCW69 ALLEG PNP VCB0=-50B; ICB0<100нA; h21=120…260;VCE(sat)<0.3B B E C
H1 BCW69 CDIL PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21=120...260; fT>100МГц B E C
H1 SST4416 SIL nFET VDS=30B; PD=350мВт; IDSS=5...15мА; gF=4.5мСм; RDS(on)=150Ом D S G
H1 BCW69 ZETEX PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=120...260; fT>150МГц B E C
H1O KSC2755 SAMS NPN VCB0=30B;IC=20MA; PD=150мВт; h21=70...140; fT>600МГц B E C
H1p BCW69 PHIL PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21=120...260; fT>100МГц B E C
H1R KSC2755 SAMS NPN VCB0=30B;IC=20MA; PD=150мВт; h21=40...80; fT>600МГц B E C
H1Y KSC2755 SAMS NPN VCB0=30B;IC=20MA; PD=150мВт; h21=120...240; fT>600МГц B E C
H2 BCW70 ALLEG PNP VCB0=-50B; ICB0<100нA; h21=215…500;VCE(sat)<0.3B B E C
H2 BCW70 CDIL PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21=215...500; fT>100МГц B E C
H2 BCW70 ZETEX PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=215...500; fT>150МГц B E C
H2O KSC2756 SAMS NPN VCB0=20B;IC=30MA; PD=150мВт; h21=90...180; fT>850МГц B E C
H2p BCW70 PHIL PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21=215...500; fT>100МГц B E C
H2R KSC2756 SAMS NPN VCB0=20B;IC=30MA; PD=150мВт; h21=60...120; fT>850МГц B E C
H2Y KSC2756 SAMS NPN VCB0=20B;IC=30MA; PD=150мВт; h21=120...240; fT>850МГц B E C

 

SOT23, SOD23 (продолжение)

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
H3 BCW89 CDIL PNP VCB0=-80B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21=120...260; fT>100МГц B E C
H3 KDV153 KEC BD VR=20B; IR=10нА; C2V=15пФ; C10V=5пФ; RS<0.6Ом A nc K
H3 BCW89 ZETEX PNP VCB0=-80B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=120...260; fT>150МГц B E C
H31 BCW89R PHIL PNP VCB0=-60B;IC=-100MA; PD=350мВт; h21=120...260; fT=150МГц E B C
H3O KSC2757 SAMS NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=90...180; fT>1100МГц B E C
H3p BCW89 PHIL PNP VCB0=-80B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21=120...260; fT>150МГц B E C
H3R KSC2757R SAMS NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=60...120; fT>1100МГц B E C
H3Y KSC2757Y SAMS NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=120...240; fT>1100МГц B E C
H4 BCW69R PHIL PNP VCB0=-45B;IC=-100MA; PD=350мВт; h21=120...260; fT=100МГц E B C
H4 SST5484 SIL nFET VDS=25B; PD=350мВт; IDSS=1...5мА; gF=2мСм D S G
H4 BCW69R ZETEX PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=120...260; fT>150МГц B E C
H4Z KSC2758 SAMS NPN VCB0=30B;IC=20MA; PD=150мВт; h21=60...240; fT>1000МГц B E C
H5 BCW70R PHIL PNP VCB0=-45B;IC=-100MA; PD=350мВт; h21=215...500; fT>100МГц E B C
H5 SST5485 SIL nFET VDS=25B; PD=350мВт; IDSS=4...10мА; gF=3.5мСм D S G
H5 BCW70R ZETEX PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=215...500; fT>150МГц B E C
H5O KSC2223 SAMS NPN VCB0=30B;IC=20MA; PD=150мВт; h21=60...120; fT>600МГц B E C
H5R KSC2223 SAMS NPN VCB0=30B;IC=20MA; PD=150мВт; h21=40...80; fT>600МГц B E C
H5Y KSC2223 SAMS NPN VCB0=30B;IC=20MA; PD=150мВт; h21=90...180; fT>600МГц B E C
H6 SST5486 SIL nFET VDS=25B; PD=350мВт; IDSS=8...20мА; gF=4мСм D S G
H6 BCW89R ZETEX PNP VCB0=-80B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=120...260; fT>150МГц B E C
H6O KSC2759 SAMS NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=60...120; fT>2000МГц B E C
H6R KSC2759 SAMS NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=40...80; fT>2000МГц B E C
H6Y KSC2759 SAMS NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=90...180; fT>2000МГц B E C
H71 BCF70R PHIL PNP VCB0=-45B;IC=-100MA; PD=350мВт; h21=215...500; fT>100МГц E B C
H7p BCF70 PHIL PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21=215...500; fT>100МГц B E C
H8Z KSC2734 SAMS NPN VCB0=20B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=20...200; fT>3500МГц B E C
H9Z KSC3120 SAMS NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=40...200; fT>2400МГц B E C
HAO KSC3123 SAMS NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=90...180; fT>1400МГц B E C
HAR KSC3123 SAMS NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=60...120; fT>1400МГц B E C
HAY KSC3123 SAMS NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=120...240; fT>1400МГц B E C
HBs BFN22 SIEM NPN VCB0=25B;IC=50MA; PD=360мВт; h21>50; fT=100МГц B E C
HCs BFN23 SIEM PNP VCB0=-25B;IC=-50MA; PD=360мВт; h21>50; fT=100МГц B E C
IO KTA1298 KEC PNP VCB0=-35B;IC=-800MA; PD=200мВт; h21=100...200; fT>120МГц B E C
IY KTA1298 KEC PNP VCB0=-35B;IC=-800MA; PD=200мВт; h21=160...320; fT>120МГц B E C
J0 SST110 SIL nFET VDS=25B; PD=350мВт; IDSS>10мА; gF=17мСм; RDS(on)=18Jv D S G
J1A ZC830A ZETEX BD VR<25B; C2V=10±10%пФ; C2V/C20V=4.5...6; Q>300 A nc K
J1B ZC830B ZETEX BD VR<25B; C2V=10±5%пФ; C2V/C20V=4.5...6; Q>300 A nc K
J1O KSA1298 SAMS PNP VCB0=-30B;IC=-800MA; PD=200мВт; h21=100...200; fT>120МГц B E C
J1S ZC830 ZETEX BD VR<25B; C2V=10±20%пФ; C2V/C20V=4.5...6; Q>300 A nc K
J1Y KSA1298 SAMS PNP VCB0=-30B;IC=-800MA; PD=200мВт; h21=160...320; fT>120МГц B E C
J2A ZC833A ZETEX BD VR<25B; C2V=33±10%пФ; C2V/C20V=5...6.5; Q>200 A nc K
J2B ZC833B ZETEX BD VR<25B; C2V=33±5%пФ; C2V/C20V=5...6.5; Q>200 A nc K
J2S ZC833 ZETEX BD VR<25B; C2V=33±20%пФ; C2V/C20V=5...6.5; Q>200 A nc K
J3A ZC831A ZETEX BD VR<25B; C2V=15±10%пФ; C2V/C20V=4.5...6; Q>300 A nc K

 

 

SOT23, SOD23 (продолжение)

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
J3B ZC831B ZETEX BD VR<25B; C2V=15±5%пФ; C2V/C20V=4.5...6; Q>300 A nc K
J3S ZC831 ZETEX BD VR<25B; C2V=15±20%пФ; C2V/C20V=4.5...6; Q>300 A nc K
J4A ZC832A ZETEX BD VR<25B; C2V=22±10%пФ; C2V/C20V=5...6.5; Q>200 A nc K
J4B ZC832B ZETEX BD VR<25B; C2V=22±5%пФ; C2V/C20V=5...6.5; Q>200 A nc K
J4S ZC832 ZETEX BD VR<25B; C2V=22±20%пФ; C2V/C20V=5...6.5; Q>200 A nc K
J5A ZC834A ZETEX BD VR<25B; C2V=47±10%пФ; C2V/C20V=5...6.5; Q>200 A nc K
J5B ZC834B ZETEX BD VR<25B; C2V=47±5%пФ; C2V/C20V=5...6.5; Q>200 A nc K
J5S ZC834 ZETEX BD VR<25B; C2V=47±20%пФ; C2V/C20V=5...6.5; Q>200 A nc K
J6A ZC835A ZETEX BD VR<25B; C2V=68±10%пФ; C2V/C20V=5...6.5; Q>100 A nc K
J6B ZC835B ZETEX BD VR<25B; C2V=68±5%пФ; C2V/C20V=5...6.5; Q>100 A nc K
J6S ZC835 ZETEX BD VR<25B; C2V=68±20%пФ; C2V/C20V=5...6.5; Q>100 A nc K
J7A ZC836A ZETEX BD VR<25B; C2V=100±10%пФ; C2V/C20V=5...6.5; Q>100 A nc K
J7B ZC836B ZETEX BD VR<25B; C2V=100±5%пФ; C2V/C20V=5...6.5; Q>100 A nc K
J7S ZC836 ZETEX BD VR<25B; C2V=100±20%пФ; C2V/C20V=5...6.5; Q>100 A nc K
J8 BCX71JR ZETEX PNP VCB0=-45B;IC=-200MA; PD=330мВт; h21=250...460; fT>180МГц B E C
J9 SST109 SIL nFET VDS=25B; PD=350мВт; IDSS>40мА; gF=17мСм;RDS(on)=12OM D S G
JA BAV74 ALLEG 2xD IF<70мA; VBR>50B; VF(IF =100MA)<1.0B; IR<100нА; tRR<4.0нc; Co<2.0пФ A1 A2 K1K2
JA BAV74 ZETEX 2xFD VR<50B; IF<150MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<0.1мкА; CD<2пФ; tRR<4нc A1 A2 K1A2
JAp BAV74 PHIL 2xFD VR<50B; IF<215MA;VF(IF =100MA)<1.0B; CD<2.0пФ; tRR<4нc A1 A2 K1K2
JAs BAV74 SIEM 2xDI VR<50B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<0.1мкА; CD<2.0пФ; tRR<4нc A1 A2 K1A2
JB BAR74 ZETEX DI VR<50B; IF<150MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<0.1мкА; CD<2.0пФ; tRR<4нc A nc K
JBs BAR74 SIEM DI VR<50B; IF<250MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<0.1мкА; CD<2пФ; tRR<4нc A nc K
JC BAL74 ZETEX DI VR<50B; IF<150MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<0.1мкА; CD<2пФ; tRR<4нc nc A K
JCp BAL74 PHIL FD VR<50B; IF<215MA;VF(IF =50MA)<1.0B; CD<2пФ; tRR<4нc nc A K
JCs BAL74 SIEM DI VR<50B; IF<250MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<0.1мкА; CD<2пФ; tRR<4нc nc A K
JD BAW56 VISH 2xDI VR<70B; IF<300MA;VF(IF =150MA)<1.25B; IR<5.0мкА; CD<4.0пФ; tRR<6нc K1 K2 A1 A2
JE BAV99 VISH 2xDI VR<70B; IF<300MA;VF(IF =150MA)<1.25B; IR<5.0мкА; CD<4.0пФ; tRR<6нc A1 K2 K1A2
JF BAL99 GS SHD VR=100B; IF=300MA;PD=350MBT; tRR<6нc nc K A
JF BAL99 VISH DI VR<70B; IF<250MA;VF(IF =50MA)<1.0B; IR<2.5мкА; CD<1.5пФ; tRR<6нc nc K A
JFp BAL99 PHIL FD VR<70B; IF<250MA;VF(IF =50MA)<1.0B; CD<1.5пФ; tRR<6нc nc K A
JFs BAL99 SIEM DI VR<70B; IF<250MA;VF(IF =50MA)<1.0B; IR<2.5мкА; CD<1.5пФ; tRR<6нc nc K A
JGs BAR99 SIEM DI VR<70B; IF<250MA;VF(IF =50MA)<1.0B; IR<2.5мкА; CD<1.5пФ; tRR<6нc K nc A
JJ BAV70 VISH 2xDI VR<70B; IF<300MA;VF(IF =150MA)<1.25B; IR<5.0мкА; CD<4.0пФ; tRR<6нc A1 A2 K1A2
JPp BAS19 PHIL FD VR<100B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.0B; CD<5пФ; tRR<50нc A nc K
JPs BAS19 SIEM DI VR<100B; IF<250MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<0.1мкА; CD<5.0пФ; tRR<50нc A nc K
JRp BAS20 PHIL FD VR<150B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.0B; CD<5пФ; tRR<50нc A nc K
JRs BAS20 SIEM DI VR<150B; IF<250MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<0.1мкА; CD<5.0пФ; tRR<50нc A nc K
JSp BAS21 PHIL FD VR<200B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.0B; CD<5пФ; tRR<50нc A nc K
JSs BAS21 SIEM DI VR<200B; IF<250MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<0.1мкА; CD<5.0пФ; tRR<50нc A nc K
JVp BAS116 PHIL DL VR<75B; IF<215MA;VF(IF =10MA)<1.0B; IR(VR=75B)<5HА; CD<2пФ; tRR<3000нc A nc K

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-27; Просмотров: 331; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.