Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Многократно программируемые с электрическим стиранием ПЗУ (РПЗУ-ЕС или EEPROM - Electrical Erasable Programmed Read Only Memory)

Данный тип многократно программируемого ПЗУ предполагает тысячи циклов программирования. Элемент памяти с структурой МНОП (металл Аl- нитрид кремния Si3N4 - оксид кремния Si2 - полупроводник Si) представляет собой МОН-транзистор с индуцированным каналом р-типу или n-типа, который имеет двухслойный диэлектрик под затвором. Верхний слой формируют из нитрида кремния, нижний - из оксида кремния, причем нижний слой значительно тоньше чем верхний. Если к затвору относительно подложки приложить импульс напряжения положительной полярности с амплитудой 30-40 В, то под действием сильного электрического поля между затвором и подложкой электроны приобретают достаточно энергии, чтобы пройти тонкий диэлектрического слой к границе раздела двух диэлектриков. Верхний слой (нитрида кремния) имеет значительную толщину, поэтому электроны преодолеть его не могут.

Накопленный на границе раздела двух диэлектрических слоёв заряд электронов снижает предельное напряжение и смещает передаточную характеристику транзистора влево. Это состояние ЭП отвечает логической 1. Логическому 0 отвечает состояние транзистора без заряда электронов в диэлектрике. Чтобы обеспечить это состояние, на затвор подают импульс напряжения отрицательной полярности с амплитудой 30-40 В. При этом электроны вытесняются в подложку. Если заряда электронов под затвором нет, то передаточная характеристика смещается в область высоких предельных напряжений (см. рис. 6.6).

Режим стирания и программирования можно достичь с помощью напряжения одной полярности: отрицательной для р-МНОН, положительной для n-МНОН структур. Эта возможность основана на использовании явления лавинной инжекции электронов под затвор, который происходит, если к источнику и стоку приложить импульс отрицательного напряжения 30-40 В, а затвор и подложку соединить с корпусом. В результате электрического пробоя переходов источник - подложку и сток - подложку происходит лавинное размножение электронов и инжекция некоторых из них, которые имеют достаточную кинетическую энергию («горячих» электронов), на границу между слоями диэлектриков. Для стирания надо подать импульс отрицательного напряжения на затвор. В режиме считывания на затвор подают напряжение Uзч, значения которой лежит между двумя предельными уровнями. Если в ЭП записан 1, то транзистор откроется, если 0 - останется в закрытом состоянии. Усилитель считывания трансформирует состояние шины в уровень напряжения 1 или 0 на выходе микросхемы.

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
ПЗУ, многократно программируемые с ультрафиолетовым (УФ) стиранием (репрограммируемые ПЗУ -- РПЗУ-УФ или EPROM - Erasable Programmed Read Only Memory) | В основу работы кэш-памяти положены принципы временной и пространственной локальностей программ

Дата добавления: 2014-01-03; Просмотров: 505; Нарушение авторских прав?;


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



ПОИСК ПО САЙТУ:


Читайте также:

  1. Защитные меры от поражения электрическим током
  2. Защитные меры от поражения электрическим током
  3. Миниатюрные программируемые устройства Easy
  4. Многократное АПВ
  5. Объектами стандартизации могут быть продукция, услуги и процессы, имеющие перспективу многократного воспроизведения и (или) использования.
  6. Обычаи – правило поведения, сложившееся исторически на протяжении жизни нескольких поколений, ставшее всеобщим в результате многократного повторения.
  7. Обычай- правило поведения, которое в результате многократного длительного применения вошло в привычку людей и регулирует общественные отношения.
  8. Одноразово программируемые ПЗУ (ППЗУ или PROM - Programmed Read Only Memory)
  9. Перепрограммируемые или многократно программируемые ЗУ
  10. ПЗУ, многократно программируемые с ультрафиолетовым (УФ) стиранием (репрограммируемые ПЗУ -- РПЗУ-УФ или EPROM - Erasable Programmed Read Only Memory).
  11. Программируемые контроллеры SIMATIC S7-22x

studopedia.su - Студопедия (2013 - 2022) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление
Генерация страницы за: 0.019 сек.