Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Биполярные транзисторы. Устройство, режимы работы и схемы включения

Термин «биполярный» связан с тем, что в этих транзисторах используются носители зарядов двух типов: электроны и дырки.

В биполярных транзисторах с помощью трехслойной полупроводниковой структуры из полупроводников различной электропроводности создаются два p–n -перехода с чередующими типами электропроводности (p–n–p или n–p–n). Транзисторы конструктивно могут быть беcкорпусными (для применения, например, в составе ИМС) и заключенными в типовой корпус. Три вывода биполярного транзистора называются база, коллектор и эмиттер. Режимы работы:

а) активный режим – на эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный переход – обратное;

 

б) режим отсечки – на оба перехода поданы обратные напряжения (транзистор заперт). Ток эмиттера в режиме отсечки равен нулю. Цепь между коллектором и эмиттером разомкнута.

 

в) режим насыщения – на оба перехода поданы прямые напряжения (транзистор полностью открыт);

 

г) инверсный активный режим – напряжение на эмиттерном переходе обратное, на коллекторном – прямое.

Схема с общим эмиттером (ОЭ).Эта схема является наиболее распространненой, т. к. дает наибольшее усиление по мощности.

 

Услительные свойства транзистора характеризует один из главных его параметров - статический коэффициент передачи тока базы или статический коэффициент усиления по току.

 

К достоинствам схемы ОЭ можно отнести удобство питания ее от одного источника, поскольку на базу и коллектор подаются питающие напряжения одного знака. К недостаткам относят худшие частотные и температурные свойства (например,в сравнении со схемой ОБ). С повышением частоты усиление в схеме ОЭ снижается. К тому же, каскад по схеме ОЭ при усилении вносит значительные искажения.

Схема с общей базой (ОБ).

I с,
мА
 
 
 
 
 
 
 
U си, В
U зи = 0
-1
-2
-3
-4
а)
 
 
 
U зи, В
-2
-4
б)
I с,мА

Такая схема включения не дает значительного усиления, но обладает хорошими частотными и температурными свойствами. Применяется она не так часто, как схема ОЭ. Коэффициент усиления по току схемы ОБ всегда немного меньше единицы:

Для схемы ОБ фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует, то есть фаза напряжения при усилении не переворачивается. Кроме того, при усилении схема ОБ вносит гораздо меньшие искажения, нежели схема ОЭ.

Схема с общим коллектором (ОК). Такая схема чаще называется эмиттерным повторителем.

 

Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь. Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме ОЭ. Коэффициент усиления по напряжению приближается к единице, но всегда меньше ее. В итоге коэффициент усиления по мощности примерно равен ki, т. е. нескольким десяткам.

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Диоды: выпрямительные, импульсные, СВЧ, стабилитроны, варикапы, туннельные, обращенные | Полевой транзистор с управляющим p-n переходом, с изолированным затвором, МДП и МОП-транзисторы
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-03; Просмотров: 714; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.013 сек.