КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Диністори
Диністор має чотиришарову структуру, як зображено на рис. 8.5 (а). У нього є три р-п переходи, причому, за зазначеної полярності джерела напруги і/ два крайніх з них (Я; і П3) зміщені у прямому напрямку, а середній (П2) - у зворотному (рис. 8.5 (б),).
б)
Рис. 8.5. Структура диністора (а) та його модель у вигляді двох транзисторів
Таку структуру можна представити у вигляді еквівалентної схеми (моделі), що складається з двох транзисторів V Т1 та V Т2 р-п-р та п-р-п типу відповідно (рис. 8.4,6). Цю модель можна отримати, якщо подумки розітнути прилад уздовж площини А-А, а потім обидві частки електрично з'єднати. При цьому виходить, що переходи П1 і П3 є емітерними переходами цих транзисторів, а перехід П2 для обох транзисторів є колекторним. Область бази Б1 транзистора V Т1 одночасно є колекторною областю транзистора V Т2, а область бази Б2 транзистора V Т2 - колекторною областю транзистора V Т1. Відповідно, колекторний струм першого транзистора є базовим для другого ІК1 = ІБ2 а колекторний струм другого транзистора - базовим першого ІК2,=ІБ1. Таке вмикання забезпечує внутрішній додатний зворотний зв'язок: якщо увімкнеться хоча б один транзистор, то надалі вони будуть підтримувати один одного в увімкненому стані. Струм диністора - це емітерний струм першого транзистора ІЕІ або другого ІЕГ У той же час він складається з двох колекторних струмів 1К1 =α1IЕ1 та 1К2=α2IЕ2 , де α1, і α2 - коефіцієнти передачі емітерного струму транзисторів V ТІ, VТ2. Крім того, до складу струму диністора I входить початковий некерований (тепловий) струм колекторного переходу IКО.
рис.8.6 - Залежність α1, та α2, від струму диністора
Дата добавления: 2014-01-03; Просмотров: 711; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |