Перепрограммируемые или многократно программируемые ЗУ

Различаются элементы со стиранием информации ультрафиолетовыми лучами (EPROM - erasable programmable ROM- стираемое программируемое ЗУ) и с электрическим стиранием (EEPROM).

ППЗУ выполняются по ЛИПЗМОП – технологии (лавинно-инжекционные элементы памяти с плавающим затвором) (см. рис.). В исходном состоянии плавающий затвор, изолированный слоем окиси кремния, не заряжен и транзистор работает как обычный полевой с индуцируемым каналом n-типа. В ЗУ исток транзистора обычно соединен с общей шиной и при приложении высокого потенциала к затвору (выше порогового уровня) транзистор открывается. На шину данных выставляется логический ноль. Для записи логической единицы повышают напряжение между стоком и подложкой, чтобы поднять энергию электронов, движущихся в канале. Часть электронов проходит через слой окиси кремния и накапливается на плавающем затворе, заряжая его отрицательно и экранируя тем самым заряд управляющего затвора. Теперь при считывании транзистор всегда будет заперт. Для удаления заряда плавающего затвора затворы транзисторов облучают ультрафиолетовым светом в течение 20 – 30 мин. Энергия электронов в плавающем затворе повышается, окись кремния ионизируется, уменьшая сопротивление, и заряд затвора рассасывается. Срок хранения информации в таких ЗУ составляет 15000 – 25000 часов. Количество циклов стирания – записи – до 10000. Основная отечественная серия – 573. Емкость достаточно большая (573РФ2 – 2Кх8).

Электрически стираемые программируемые ПЗУ (EEPROM) также как предыдущие ЗУ выполняются по ЛИПЗМОП – технологии, но изолирующая окисная пленка между плавающим затвором и каналом имеет меньшую толщину, что позволяет электрически управлять не только накоплением заряда плавающего затвора, но и рассасыванием его. Как запись, так и стирание происходят при повышенном напряжении. ИС более ранних выпусков имеют специальный вход для подачи высокого (до 25 В) напряжения (см. ИС 558РР1, 558 РР11), современные схемы зачастую используют встроенные схемы повышения напряжения (1568РР1, РР2). Особенностью последних элементов является последовательная организация процессов передачи адреса и данных (шина I²C), что позволяет использовать корпус с малым количеством выводов, наличие внутреннего счетчика адреса и схемы исправления внутренних единичных ошибок. Для ИС 1568РР1, емкостью 256Х8 бит, назначение выводов следующее: А0-А2 локальный адрес ИС, устанавливаемый коммутацией выводов на шины «0», «+5В», и позволяющий подключать к одной шине I²C до 8 ИС; TES – тактовый сигнал при стирании; SDA – информационный вход/выход; SDL – тактовый сигнал.

К этому же типу ЗУ относятся flash EEPROM («мигающее» ЗУ), позволяющее стирать память по отдельным блокам.

Дата добавления: 2014-01-03