Характеристики схемы с ОЭ

Статической входной характеристикой транзистора в схеме с ОЭ на­зывается зависимость I_б = f (Ur) при U_K = const. Напряжение U_б включается на эмиттерный переход в прямом направлении. Величина этого напряжения ме­няется от нуля до нескольких десятых вольта.

Из графика видно, что при U_K = 0 характеристика идет из начала ко­ординат, с ростом U_K (U_K2 > U_Kl) смещается вправо (в случае схемы с ОБ ха­рактеристика смещается влево). Это объясняется тем, что с ростом U_K растет напряжение, приложенное к коллекторному переходу в обратном направле­нии- и ширина запрещенного слоя увеличивается. Увеличивается также I₀, имеющий противоположную направленность и результирующий ток базы становится меньше.

Статической выходной характеристикой транзистора в схеме с ОЭ является зависимость I_K = f(U_K) при I_б = const.

Как видно из данного графика при росте U_Kэ до некоторого значения I_К резко возрастает, а затем характеристика идет с небольшим подъемом, т.к. U_K мало влияет на I_к при I_б = const. При I_б = 0 течет ток I_ко. Чем больше I_К, тем раньше может наступить электрический пробой перехода. Усиление по току в схеме с ОЭ

Эквивалентная схема и параметры транзисторов.

Основное назначение транзисторов - это усиление по I, U, Р изме­няющегося во времени входного сигнала, т.е. сигнала переменного тока или напряжения. Для упрощения электрических расчетов в этом случае постоян­ные составляющие токов и напряжений исключаются из рассмотрения, а транзистор представляется в виде эквивалентной схемы для переменного сигнала.

Усилительные свойства транзистора в эквивалентных схемах учиты­ваются с помощью генератора тока или напряжения. Измеряют параметры транзистора при малых входных и выходных сигналах, т.е. в области линей­ного участка характеристики ВАХ. В этом случае эквивалентная схема физи­ческих параметров транзистора имеет вид:

r_э - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода (едини­цы - десятки Ом)

r_б - сопротивление базы переменного тока (несколько сотен Ом)

r_к - дифференциальное сопротивление коллекторного перехода (до 100000 Ом).

Эти параметры не зависят от схемы включения транзистора, они оп­ределяются конструкцией прибора, но их нельзя непосредственно измерить,

т.к. они находятся внутри транзистора и не поддаются измерению внешними приборами.

В этом случае транзистор рассматривают как активный линейный че­тырехполюсник, который характеризуется двумя уравнениями для входной и выходной цепей, а взаимосвязь между входной и выходной цепями устанавливается с помощью h - параметров.

Измерение h - параметров производится по соответствующим схемам включения методами вольтметра-амперметра или специальными измерите­лями или рассчитывается по графикам ВАХ входных и выходных характери­стик.

Классификация транзисторов.

Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойст­вам, электрическим параметрам и другим принципам находит свое отраже­ние в системе условных обозначений буквенно-цифрового кода.

1.элемент - обозначает исходный материал

2.элемент - буква, определяющая подкласс транзистора

3.элемент - цифра, определяющая его функциональные возможности

4.элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки

5.элемент - буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторов одного типа

1.элемент Г или 1 - Ge

К или 2 - Si

А или 3 - Ga As

Н или 4 - In

2.элемент Т - биполярный транзистор

П - полевой транзистор

3.элемент 1 - маломощные Р_макс < 0,3 Вт

низкочастотные f < 3 мГц

2- маломощные средней частоты 3 < f < 30 мГц

3- маломощные ВЧ и СВЧ f > 30 мГц

4- средней мощности 0,3 < р < 1,5 НЧ

5- средней мощности средней частоты

6- средней мощности ВЧ и СВЧ

7- большой мощности Р > 1,5 Вт НЧ

8- большой мощности средней частоты

9- большой мощности ВЧ и СВЧ

4.элемент Число от 01 до 999

5.элемент Буквы от А до Я за исключением 3;0;Ч.

Пример ГТ 101 А - германиевый биполярный маломощный НЧ гр. А. В настоящее время можно встретить транзисторы с шестизначным обозначением и более современные с семизначным обозначением. Их клас­сификацию удобно свести в таблицу

Классификация и условные обозначении импортных транзисторов производителей различных стран различны. В случае импортных транзисто­ров необходимо пользоваться специальными справочниками и каталогами, где приводятся их технические характеристики и отечественные аналоги.

Дата добавления: 2014-01-03