КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Режимы работы транзистора
Предельные эксплуатационные параметры. Предельные эксплуатационные параметры - это максимально допустимые значения напряжений, токов, мощности, температуры, при которых гарантируются работоспособность транзистора и значений его электрических параметров в пределах норм технических условий.
Например, к предельным эксплуатационным параметрам относятся: 1. Максимально допустимые обратные напряжения на переходах. Uобр макс; 2. Максимально допустимая рассеиваемая мощность, Pк макс; 3. Максимально допустимая температура корпуса, toмакс корп; 4. Диапазон рабочих температур, toмин, toмакс.
В зависимости от полярности напряжений, приложенных к электродам транзистора, возможны четыре режима его работы: - активный; - отсечки; - насыщения; - инверсный.
Режимы насыщения и отсечки объединяют одним термином – ключевой режим.
Активный режим работы используется при усилении малых сигналов, прямое напряжение подается на эмиттерный переход, а обратное - на коллекторный. В режиме отсечки оба перехода смещаются в обратном направлении. Ток транзистора в этом режиме мал, он практически заперт (транзистор заперт). В режиме насыщения оба перехода смещаются в прямом направлении, через транзистор протекает максимальный ток, он полностью открыт (транзистор открыт). В инверсном режиме (используется редко), эмиттерный переход смещен в обратном направлении, а коллекторный в прямом. Этот режим чаще всего используют в быстродействующих ключевых схемах.
Рис. 9.1 Полярности напряжений на электродах транзистора при различных режимах работы
Принцип действия транзисторов типа n-p-n такой же, только в область базы вводятся из эмиттера не дырки, а электроны; полярность напряжений Ек и Еэ будет противоположной случаю p-n-р; направления токов изменится на противоположное, т.к. они обусловлены в данном случае не дырочной, а электронной проводимостью.
Дата добавления: 2014-01-03; Просмотров: 383; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |