Статические ВАХ ПТ с управляющим р -n переходом

1. Статическая стоковая характеристика

Ic = f(Uc) при U_ЗИ = const, см. рис.9.7

Рис. 9.7 Стоковая характеристика

При U_ЗИ < U_пор - транзистор закрыт, и его ВАХ подобна обратной ветви полупроводникового диода (нижняя кривая на рис.9.7).

Она практически совпадает с осью напряже­ний, отклоняясь от нее в области электрического пробоя.

При U_3И = 0 и малых значениях U_СИ ток стока изменяется прямо пропорционально с изменением на­пряжения (участок АБ).

В точке БВ из-за заметного сужения стокового участка канала и уменьше­ния его общей проводимости намечается некоторое отклонение характеристики от прямой линии.

На участке БВ существенное сужение стокового участка канала и значи­тельное уменьшения его общей проводимости вызывают замедление роста тока I_С с увеличением U_{С И}.

В точке В, при U_{СИ нас} ток стока достигает величины I_{С нас} и в дальнейшем остается почти неизменным.

2. Статическая стоко-затворная характеристска

Ic = f(Uзи) при Uси = const. рис. 9.8

канал “n” типа

Рис. 9.8Cтоко-затворная характеристска

Нормальный режим работы транзистора при U_СИ > U_СИнас.

Прямое включение p-n перехода не применяется т.к. при этом происходит инжекция неосновных носителей и входное сопротивление транзистора резко падает, теряется основное достоинство полевого транзистора - высокое входное сопротивление.

Основные параметры:

1. Начальный ток стока I_cнач при U_зи = 0
2. Напряжение отсечки U_ОТС при котором ток стока I_c=0
3. Крутизна стоко-затворной характеристики

S = DI_С /DU_ЗИ [мА/В], при U_С = conct

Флеров А.Н. курс “ Физические основы микроэлектроники”

Для самостоятельного изучения

ПРИЛОЖЕНИЕ 5

Содержание

1. Схемы включения транзистора. 10

1.1 Схема с ОБ. 10

1. 2 Схема с ОК.. 11

1.3. Схема с ОЭ.. 12

2. Статические характеристики для схемы с ОЭ.. 13

2.1 Входная характеристика. 13

2.2 Выходная характеристика. 13

3. Системы малосигнальных параметров БТ. 14

4. Динамические характеристики БТ. 16

4.1 Выходная динамическая характеристика (для схемы ОЭ) 16

4.2 Входная динамическая характеристика. 17

5 Импульсный режим работы БТ (ключевой режим) 18

5.2. Запирание транзистора (режим отсечки) 18

5.3 Режим отпирания (насыщения) 19

5.4 Переходные процессы в схеме ключа. 19

Дата добавления: 2014-01-03