Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Системы малосигнальных параметров БТ

Эти параметры используются при расчете усилительных устройств.

Под малым сигналом понимают такое, например синусоидальное напряжение сигнала

Uс = sin(wt), величина амплитуды напряжения которого значительно меньше постоянных напряжений смещения на электродах транзистора.

В пределах изменения напряжения малого сигнала статические характеристики транзистора считаются линейными.

Для анализа работы транзистора пользуются его эквивалентными схемами. Транзистор в них рассматривается как устройство, имеющее два входных и два выходных зажима и обладающие способностью усиливать мощность подводимых к нему колебаний.

 

В электротехнике такое устройство получило название активного четырехполюсника.

 

 

 

Рис.7 Представление транзистора активным четырехполюсником.

 

Из курса электротехники известно, что линейный четырехполюсников может быть описан системой 2-х линейных уравнений параметров.

 

 

Наиболее удобными для рассмотрения транзисторных схем являются:

1. Система z-параметров (параметры z имеют размерности сопротивлений)

 

(7)

 

2. Система y-параметров, или параметров короткого замыкания (параметры y имеют размерности проводимостей)

 

(8)

 

3. Система h-параметров, смешанная система параметров, получившая наибольшее распространенеие

 

(9)

 

При практическом определении h-параметров могут быть использованы действующие и максимальные значения входных токов и напряжений или их приращения.

Величины h-параметров зависят от схемы включения, поэтому в их обо­значение вводится индекс, показывающий, для какой схемы они определены, например h11б, h11э, h11к,

В справочниках указываются преимущественно значения параметров в типовой рабочей точке. В других точках статических характеристик h-параметры можно определить из семейств входных и выходных характеристик транзистора.

 

Для этого значения токов и напряжений представляют в виде конечных приращений

 

- определяется по входной статической характеристике

 

- определяется совместно по входной и выходной статическим характеристикам

- определяется по выходной статической характеристике

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Выходная характеристика | Выходная динамическая характеристика (для схемы ОЭ)
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-03; Просмотров: 485; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.