Розрахункова частина. Private void ChangePow(RadioButton rb)

Вступ

КУРСОВА РОБОТА

Private void ChangePow(RadioButton rb)

{

Active = (string)pow[rb.Text];

ProcessStartInfo prc = new ProcessStartInfo("Powercfg", "-setactive " + Active);

prc.WindowStyle = ProcessWindowStyle.Hidden;

Process.Start(prc);

}

}

}

#include "brightness.h"

#include "gammaramp.h"

extern "C" __declspec(dllexport) char * GetPowerStatus()

{

SYSTEM_POWER_STATUS sps;

if (GetSystemPowerStatus(&sps))

{

switch (sps.ACLineStatus) // печатаем статус питания

{

case 0:

return "Power off";

case 1:

return "Power on";

case 255:

default:

return "Невідомо";

break;

}

}

return "Unknown";

}

extern "C" __declspec(dllexport) char * GetBatteryFlag()

{

SYSTEM_POWER_STATUS sps;

GetSystemPowerStatus(&sps);

switch (sps.BatteryFlag) // статус заряда

{

case 1:

return "Високий";

case 2:

return "Низький";

case 4:

return "Критичний";

case 8:

return "Заряджається";

case 128:

return "Батарея відсутня";

case 255:

default:

return "Невідомий";

}

}

extern "C" __declspec(dllexport) int GetBatteryPercent()

{

SYSTEM_POWER_STATUS sps;

GetSystemPowerStatus(&sps);

return (int)sps.BatteryLifePercent;

}

extern "C" __declspec(dllexport) int GetBatteryTime()

{

SYSTEM_POWER_STATUS sps;

GetSystemPowerStatus(&sps);

return sps.BatteryLifeTime;

}

extern "C" __declspec(dllexport) int GetFullBatteryTime()

{

SYSTEM_POWER_STATUS sps;

GetSystemPowerStatus(&sps);

return sps.BatteryFullLifeTime;

}

extern "C" __declspec(dllexport) void SetBrightness(int Brightness)

{

CGammaRamp GammaRamp;

GammaRamp.SetBrightness(NULL, Brightness);

}

з курсу

тердотільної електроніки

РОЗРАХУНОК Польового транзистора із затвором шотткі

Виконав:

ст.гр. МН-31

Кліщ Р.О.

Перевірив:

проф. Дружинін А.О.

Львів 2011

Зміст

1. Теоретичні відомості

1.1. Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі

1.2. Структура польового транзистора із затвором Шотткі

1.3. Принцип дії польових транзисторів із затвором Шотткі

1.4. Застосування польових транзисторів з бар'єром Шотткі

1.4.1. Підсилювачі

1.4.2. Підсилювачі потужності

1.4.3. Інші види підсилювачів

1.4.4. Генератори

1.4.5. Змішувачі

1.4.6. Інші застосування ПТШ

1.5. Конструктивні особливості

1.6. Геометричні розміри

1.7. Електрофізичні параметри елементів приладу

1.8. Постановка задачі для курсового проектування

2.1. Розрахунок напруги відсікання і насичення

2.2. Розрахунок вольт-ємнісної характеристики бар’єра Шотткі

2.3. Розрахунок вольт-амперних характеристик польових транзисто­рів із затвором Шотткі

2.4. Розрахунок основних електричних параметрів польового транзистора із затвором Шотткі

Дата добавления: 2015-08-31