Діелектриком конденсаторів цього класу є тонкі оксидні плівки Та2Nb2О5, Аl2 Nb2О3 й Nb2O5, формовані на поверхні відповідного металу, використовуваного в якості однієї з обкладок конденсатора - анода, методом електрохімічного оксидування й називані анодними оксидними плівками (АОП). По величині діелектричної проникності АОП уступають багатьом керамічним матеріалам: на частоті 1 кгц у Та2O5; = 27,6; в Аl2 Nb2О3 = 8.5; Nb205 = 41,4.
Проте оксидні конденсатори, що реалізують ємність у системі метал - оксид металу - катодний матеріал, мають рекордно високі значення питомої ємності й питомого заряду. Своєю перевагою вони зобов'язані сполученню малої (субмікронної. мікронної) товщини діелектриків, що володіють при цьому високою електричною міцністю, і особливостям конструкції - спеціально розвитий поверхні анода й використанню катодного матеріалу, що забезпечує ефективну реалізацію в ємності площі оксидованого анода.
Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2025) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление