КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Электропроводность газообразных диэлектриков
Сопротивление газообразных диэлектриков (Н2, O2, N2, SF6 и др.) очень велико. Например, для воздуха ρv составляет 1018 Ом·м. Рассмотрим зависимость плотности тока j от напряженности поля E для газообразных диэлектриков (рис. 10.3).
Рис.10.3. Зависимость плотности тока j от напряженности поля E для газообразных диэлектриков
В области слабых электрических полей (Е < Е кр) имеет место так называемая несамостоятельная электропроводность. Носителями зарядов здесь являются ионы и электроны. Ионы и электроны образуются путем ионизации нейтральных молекул газа в результате внешних энергетических воздействий: космического излучения, излучения Солнца, Земли, нагрева и т.п. Ионизация – отрыв или присоединение («прилипание») к нейтральным атому или молекуле одного или нескольких электронов. Ионизация сопровождается образованием ионов (положительных и отрицательных) и электронов, например:
O2 → O2+ + e (12) O2 + e = O2-. (13)
На участке I (Е < Е н)_ в газе одновременно протекают три процесса: 1 - ионизация молекул газа; 2 - рекомбинация зарядов – процесс обратный ионизации, например, образование нейтральной молекулы из положительного иона и электрона: O2+ + e → O2; (14) 3 - движение зарядов под действием электрического поля с разряжением их на электродах. На этом участке соблюдается закон Ома j = σЕ. Плотность тока j линейно увеличивается при увеличении Е за счет увеличения скорости движения зарядов к электродам (vi = аi E). На участке насыщения II (Е н < Е < Е кр) рекомбинация зарядов прекращается, все образующиеся в результате ионизации заряды разряжаются на электродах, обуславливая ток насыщения j н:
j н = Nqh, (15)
где N – число зарядов, образующихся в 1с в единице объема газа, q- величина заряда, h – расстояние между электродами. В области сильных электрических полей (участок III) (Е > Е кр) имеет место самостоятельная электропроводность. Возрастание плотности тока здесь обусловлено увеличением числа носителей зарядов (электронов и ионов) в результате электронной ударной ионизации, внутренней фотоионизации и холодной эмиссии электронов из катода. Холодной эмиссией электронов называется процесс испускания электронов металлами под действием электрического поля. Процессы электронной ударной ионизации и внутренней фотоионизации будут рассмотрены при изучении раздела «Пробой диэлектриков». При Е = Е пр происходит пробой газа, то есть он утрачивает электроизоляционные свойства, так как между электродами образуется плазменный канал проводимости. С увеличением температуры удельная проводимость газов возрастает в результате увеличения концентрации n и подвижности а электронов и ионов (см. формулу 3):
(16)
где W и – энергия ионизации атомов или молекул газа.
Дата добавления: 2017-01-13; Просмотров: 936; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |