Параметры полупроводниковых диодов

Классификация полупроводниковых диодов

По исходному полупроводниковому материалу диоды делят на три группы: германиевые, кремниевые и из арсенида галлия.

По конструктивно - технологическому принципу различают точечные и плоскостные.

По назначению полупроводниковые диоды делят на следующие основные группы:

- выпрямительные – применяются для выпрямления переменного тока в постоянный ток;

- универсальные – используются в детекторах различного типа;

- импульсные – предназначены для работы в импульсных режимах и быстродействующих импульсных устройствах с малыми длительностями импульсов;

- варикапы – используются в качестве элементов с электрически управляемыми емкостями;

- стабилитроны (опорные диоды) – работают на обратной ветви ВАХ – предназначены для стабилизации напряжения и подключаются к источнику напряжения в обратном направлении, то есть катод к плюсу, а анод – к минусу. Для двухстороннего стабилитрона нет необходимости соблюдать это условие;

- стабисторы – предназначены для стабилизации низких напряжений, отличаются от стабилитронов тем, что работают на прямой ветви ВАХ (включаются в прямом, проводящем направлении);

- туннельные диоды – являются безынерционными приборами, что дает возможность использовать их в различных схемах усиления, генерирования и быстродействующих импульсных и переключающих схемах с малым временем переключения;

- обращенные – разновидность туннельных диодов, работают на более высоких частотах, чем туннельные, обычно используются для детектирования слабых сигналов;

- лавинно-пролетные (ЛПД) – применяются в генераторах СВЧ;

- тиристоры - предназначены для переключения электрических цепей, регулирования напряжения, преобразование переменного тока в постоянный и т.д.;

- фотодиоды – применяются для регистрации и измерения световых излучений;

- светодиоды – служат для зрительного восприятия отображаемой ими информации, а также включения готовности аппаратуры к работе;

- оптроны - применяются для связи отдельных частей электронных устройств, когда необходима их гальваническая развязка.

Рисунок 3 – Классификация полупроводниковых диодов

Основные электрические параметры полупроводниковых диодов:

- средний прямой ток (I_пр.ср.) - среднее за период значение тока, проходящего через диод;

- максимальное допустимое постоянное обратное напряжение (U_обр.max.);

- импульсное прямое напряжение (U_обр.и.) – наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током заданного значения;

- постоянный обратный ток (I_обр.), обусловленный постоянным обратным напряжением;

- импульсный обратный ток (I_обр.и.) – представляет наибольшее мгновение значения обратного тока, обусловленного импульсным обратным напряжением;

- наибольшее допустимое обратное напряжение (U_{обр.макс.}), которое может быть в течение длительного времени приложено к диоду в обратном направлении, не вызывая изменения его параметров;

- максимально допустимый постоянный прямой ток (I_{пр. макс.});

- емкость между выводами диода (С_Д) при заданном напряжении, смещении и частоте;

- тепловое сопротивление переход-корпус в ⁰С/Вт;

- диапазон рабочих температур в ⁰С (Т);

- габариты.

Вопросы для самоконтроля

1. Дайте определение полупроводниковым приборам.

2. классификация полупроводниковых диодов.

3. Что называется анодом и катодом полупроводникового диода?

4. Перечислите основные параметры полупроводниковых диодов.

Литература:

1. Полупроводниковые приёмо-усилительные устройства: Справ. радиолюбителя/ Р.М. Терещук, К.М. Терещук, С.А.Седов. – 4-е изд., стер. –Киев: Наук. думка, 1989. – 800с.: ил.-Библиогр.

Дата добавления: 2017-01-13