Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Оценка надежности структурных частей и изделия 2 страница




           
  Микросхема CD4011BCM ф. Fairchild Semiconductor   0,21 0,231 0,2310
  Микросхема CD4066BCM ф. Fairchild Semiconductor   0,21 0,231 0,2310
  Микросхема LM317AT ф. National Semiconductor   0,22 0,242 0,2420
  Микросхема LN339AN ф. Texas Instruments   0,21 0,231 0,2310
  Микросхема SG3524 ф. LINFINITY Microelectronics   0,21 0,231 0,2310
  Соединитель PLS-1   0,018 0,0300 0,0900
  Клемма ножевая 36063LB ф.Cirmaker (0,8 ´ 6,4 мм)   0,018 0,0300 0,0600
  Транзистор BUZ71S2 ф. Siemens   0,29 0,2078 0,2078
  Резистор CR0805-JW–105E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 1 МОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0180
  Резистор CR0805-JW–685E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 6,8 МОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–106E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 10 МОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–1R0E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 1 Ом ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–200E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 20 Ом ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-FX–2370E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 237 Ом ± 1 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-FX–2671E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 2,67 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–472E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 4,7 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–103E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 10 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-FW–2002E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 20 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0180
  Резистор CR0805-FX–4322E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 43,2 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0090
           

Продолжение таблицы 3

           
  Резистор CR0805-FX–4992E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 49,9 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0180
  Резистор CR0805-FX–6652E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 66,5 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0180
  Резистор CR0805-JW–104E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 100 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0360
  Резистор CR0805-FX–1333E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 133 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0180
  Резистор CR0805-JW–154E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 150 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0270
  Резистор CR0805-FX–1783E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 178 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,009
  Резистор CR0805-JW–204E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 200 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0450
  Резистор CR0805-FX–2613E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 261 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–334E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 330 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–474E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 470 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0180
  Резистор CR0805-FX–6043E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 604 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0090
  Реле RY210012 ф. Tyco Electronics (1 пер., 12 В DC, 8 А 250 В AC)   0,01 0,009 0,0090
  Кнопка SPA-118A (4 кн. 250 В 10 А)   0,01 0,009 0,0090
  Трансформатор LM-LP-1005 ф. Bourns   0,01 0,009 0,0090
  Потенциометр PVZ3A503C01 ф. Murata (0,1 Вт-50 кОм±30 %)   0,02 0,116 0,4640
  Соединения   0,001 0,2320
        Σni λi = 3,9995
           
           

 


Продолжение таблицы 3

           
  Выходной инвертор        
  КонденсаторC0805C472J5GAC ф. Kemet (0805 NP0-50 V-4700 пФ±5 %-чип)   0,03 0,024 0,0240
  КонденсаторC0805C104K5RAC ф. Kemet (0805 X7R-50 V-0,1 мкФ±10 %-чип)   0,03 0,024 0,0960
  КонденсаторC0805C474K5RAC ф. Kemet (0805 X7R-50 V-0,47 мкФ±10 %-чип)   0,03 0,024 0,0240
  КонденсаторTAJC226M016R ф. AVX (6032-16 V-22 мкФ±20 %-C)   0,13 0,104 0,1040
  Диод 1N4001 ф. DC Components   0,085 0,0295 0,1475
  Диод 1N4005 ф. DC Components   0,085 0,0295 0,1180
  Диод 1N4148 ф. Vishay   0,085 0,0295 0,0295
  Микросхема CD4001BCM ф. Fairchild Semiconductor   0,21 0,231 0,2310
  Микросхема LM317AT ф. National Semiconductor   0,22 0,242 0,2420
  Соединитель PLS-1   0,018 0,0300 0,3600
  Дроссель CDRH127NP-250M ф. Sumida (25 мкГн±20 %)   0,002 0,0056 0,0112
  Транзистор IRFZ42 ф. International Rectifier   0,29 0,2078 1,6624
  Транзистор IRF743 ф. International Rectifier   0,29 0,2078 0,2078
  Транзистор 2N2222 ф. STMicroelectronics   0,29 0,2078 0,8312
  Транзистор PN2907 ф. STMicroelectronics   0,29 0,2078 0,4156
  Резистор CR0805-JW–200E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 20 Ом ± 5 %)   0,01 0,009 0,0540
  Резистор CR0805-JW–470E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 47 Ом ± 5 %)   0,01 0,009 0,0810
  Резистор CR0805-JW–820E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 82 Ом ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–471E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 470 Ом ± 5 %)   0,01 0,009 0,0180
  Резистор CR0805-JW–102E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 1 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–103E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 10 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
           

Продолжение таблицы 3

           
  Резистор CR0805-JW–153E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 15 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0180
  Резистор CR0805-FW–2002E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 20 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-FX–4322E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 43,2 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–473E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 47 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0180
  Резистор CR0805-FX–4992E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 49,9 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0180
  Резистор CR0805-JW–104E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 100 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–154E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 150 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0180
  Резистор CR0805-JW–204E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 200 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0180
  Трансформатор APC 1:18   1,0 0,5795 0,5795
  Соединения   0,001 0,1960
        Σni λi = 5,5767
           
  Схема управления        
  Пьезокерамический излучатель звука SMA-13P10 ф.Sonitron   0,085 0,0295 0,0295
  КонденсаторC0805C103K5RAC ф. Kemet (0805 X7R-50 V-0,01 мкФ±10 %-чип)   0,03 0,024 0,0720
  КонденсаторC0805C103K5RAC ф. Kemet (0805 X7R-50 V-0,01 мкФ±10 %-чип)   0,03 0,024 0,0240
  КонденсаторC0805C103J5GAC ф. Kemet (0805 NP0-50 V-0,01 мкФ±5 %-чип)   0,03 0,024 0,0480
  КонденсаторC0805C104K5RAC ф. Kemet (0805 X7R-50 V-0,1 мкФ±10 %-чип)   0,03 0,024 0,0240
  КонденсаторC0805C224K5RAC ф. Kemet (0805 X7R-50 V-0,22 мкФ±10 %-чип)   0,03 0,024 0,0240
  КонденсаторC1206C105K5RAC ф. Kemet (1206 X7R-50 В-1 мкФ±10 %-чип)   0,03 0,024 0,0240
  КонденсаторTAJC226M016R ф. AVX (6032-16 V-22 мкФ±20 %-C)   0,13 0,104 0,0720
  Диод 1N4148 ф. Vishay   0,085 0,0295 0,2655
  Диод 1N4005 ф. DC Components   0,085 0,0295 0,0590
           

Продолжение таблицы 3

           
  Микросхема CD4066BCM ф. Fairchild Semiconductor   0,21 0,231 0,2310
  Микросхема MM74C14 ф. Fairchild Semiconductor   0,21 0,231 0,4620
  Микросхема CD4001BCM ф. Fairchild Semiconductor   0,21 0,231 0,2310
  Микросхема CD4011BCM ф. Fairchild Semiconductor   0,21 0,231 0,2310
  Микросхема LN339AN ф. Texas Instruments   0,21 0,231 0,2310
  Соединитель PLS-1   0,018 0,0300 0,0300
  Соединитель DB-9   0,018 0,0300 0,0300
  Транзистор PN2222 ф. STMicroelectronics   0,29 0,2078 0,2078
  Транзистор PN2907 ф. STMicroelectronics   0,29 0,2078 1,6624
  Резистор CR0805-JW–105E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 1 МОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0270
  Резистор CR0805-JW–685E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 6,8 МОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–205E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 2МОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–200E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 20 Ом ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–102E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 1 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-FX–2261E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 2,26 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–472E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 4,7 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-FX–6811E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 6,81 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0180
  Резистор CR0805-JW–103E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 10 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0180
  Резистор CR0805-FW–2002E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 20 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0450
  Резистор CR0805-FX–2492E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 24,9 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-FX–3012E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 30,1 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0180
  Резистор CR0805-JW–333E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 33 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
           

Продолжение таблицы 3

           
  Резистор CR0805-FX–3322E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 33,2 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-FX–3482E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 34,8 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–473E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 47 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0270
  Резистор CR0805-JW–104E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 100 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0450
  Резистор CR0805-FX–1333E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 133 кОм ± 1 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–154E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 150 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–204E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 200 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0270
  Резистор CR0805-JW–474E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 470 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Резистор CR0805-JW–684E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 680 кОм ± 5 %)   0,01 0,009 0,0090
  Кнопка SPA-118A (4 кн. 250 В 10 А)   0,15 0,2505 0,2505
  Соединения   0,001 0,2160
        Σni λi = 4,7757
           

 

 


Используя формулы (15), (16), (17) и результаты таблицы 2 рассчитываем параметры надежности структурных частей ИБП. Полученные результаты сведем в таблицу 4.

 

Таблица 4 – Параметры надежности структурных частей ИБП (по платам)

Структурная часть ИБП Σni λi · 10 6, 1/ч Среднее время наработки на отказ Тср, ч Вероятность безотказной работы Р(tp) Вероятность отказа Р`(tp)
Входные цепи 3,9995 250 031,25 0,998002 0,001998
Выходной инвертор 5,5767 179 317,52 0,997216 0,002784
Схема управления 4,7757 209 393,39 0,997615 0,002385

 

Расчет показал, что наибольшая вероятность отказа у выходного инвертора (Р`(tp) = 0,002784).





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-07-13; Просмотров: 705; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.021 сек.