КАТЕГОРИИ:
Архитектура-(3434) Астрономия-(809) Биология-(7483) Биотехнологии-(1457) Военное дело-(14632) Высокие технологии-(1363) География-(913) Геология-(1438) Государство-(451) Демография-(1065) Дом-(47672) Журналистика и СМИ-(912) Изобретательство-(14524) Иностранные языки-(4268) Информатика-(17799) Искусство-(1338) История-(13644) Компьютеры-(11121) Косметика-(55) Кулинария-(373) Культура-(8427) Лингвистика-(374) Литература-(1642) Маркетинг-(23702) Математика-(16968) Машиностроение-(1700) Медицина-(12668) Менеджмент-(24684) Механика-(15423) Науковедение-(506) Образование-(11852) Охрана труда-(3308) Педагогика-(5571) Полиграфия-(1312) Политика-(7869) Право-(5454) Приборостроение-(1369) Программирование-(2801) Производство-(97182) Промышленность-(8706) Психология-(18388) Религия-(3217) Связь-(10668) Сельское хозяйство-(299) Социология-(6455) Спорт-(42831) Строительство-(4793) Торговля-(5050) Транспорт-(2929) Туризм-(1568) Физика-(3942) Философия-(17015) Финансы-(26596) Химия-(22929) Экология-(12095) Экономика-(9961) Электроника-(8441) Электротехника-(4623) Энергетика-(12629) Юриспруденция-(1492) Ядерная техника-(1748)
Оценка надежности структурных частей и изделия 2 страница
Микросхема CD4011BCM ф. Fairchild Semiconductor
0,21
0,231
0,2310
Микросхема CD4066BCM ф. Fairchild Semiconductor
0,21
0,231
0,2310
Микросхема LM317AT ф. National Semiconductor
0,22
0,242
0,2420
Микросхема LN339AN ф. Texas Instruments
0,21
0,231
0,2310
Микросхема SG3524 ф. LINFINITY Microelectronics
0,21
0,231
0,2310
Соединитель PLS-1
0,018
0,0300
0,0900
Клемма ножевая 36063LB ф.Cirmaker (0,8 ´ 6,4 мм)
0,018
0,0300
0,0600
Транзистор BUZ71S2 ф. Siemens
0,29
0,2078
0,2078
Резистор CR0805-JW–105E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 1 МОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0180
Резистор CR0805-JW–685E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 6,8 МОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–106E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 10 МОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–1R0E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 1 Ом ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–200E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 20 Ом ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-FX–2370E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 237 Ом ± 1 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-FX–2671E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 2,67 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–472E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 4,7 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–103E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 10 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-FW–2002E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 20 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0180
Резистор CR0805-FX–4322E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 43,2 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0090
Продолжение таблицы 3
Резистор CR0805-FX–4992E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 49,9 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0180
Резистор CR0805-FX–6652E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 66,5 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0180
Резистор CR0805-JW–104E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 100 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0360
Резистор CR0805-FX–1333E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 133 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0180
Резистор CR0805-JW–154E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 150 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0270
Резистор CR0805-FX–1783E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 178 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,009
Резистор CR0805-JW–204E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 200 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0450
Резистор CR0805-FX–2613E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 261 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–334E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 330 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–474E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 470 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0180
Резистор CR0805-FX–6043E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 604 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0090
Реле RY210012 ф. Tyco Electronics (1 пер., 12 В DC, 8 А 250 В AC)
0,01
0,009
0,0090
Кнопка SPA-118A (4 кн. 250 В 10 А)
0,01
0,009
0,0090
Трансформатор LM-LP-1005 ф. Bourns
0,01
0,009
0,0090
Потенциометр PVZ3A503C01 ф. Murata (0,1 Вт-50 кОм±30 %)
0,02
0,116
0,4640
Соединения
–
0,001
0,2320
Σni λi =
3,9995
Продолжение таблицы 3
Выходной инвертор
КонденсаторC0805C472J5GAC ф. Kemet (0805 NP0-50 V-4700 пФ±5 %-чип)
0,03
0,024
0,0240
КонденсаторC0805C104K5RAC ф. Kemet (0805 X7R-50 V-0,1 мкФ±10 %-чип)
0,03
0,024
0,0960
КонденсаторC0805C474K5RAC ф. Kemet (0805 X7R-50 V-0,47 мкФ±10 %-чип)
0,03
0,024
0,0240
КонденсаторTAJC226M016R ф. AVX (6032-16 V-22 мкФ±20 %-C)
0,13
0,104
0,1040
Диод 1N4001 ф. DC Components
0,085
0,0295
0,1475
Диод 1N4005 ф. DC Components
0,085
0,0295
0,1180
Диод 1N4148 ф. Vishay
0,085
0,0295
0,0295
Микросхема CD4001BCM ф. Fairchild Semiconductor
0,21
0,231
0,2310
Микросхема LM317AT ф. National Semiconductor
0,22
0,242
0,2420
Соединитель PLS-1
0,018
0,0300
0,3600
Дроссель CDRH127NP-250M ф. Sumida (25 мкГн±20 %)
0,002
0,0056
0,0112
Транзистор IRFZ42 ф. International Rectifier
0,29
0,2078
1,6624
Транзистор IRF743 ф. International Rectifier
0,29
0,2078
0,2078
Транзистор 2N2222 ф. STMicroelectronics
0,29
0,2078
0,8312
Транзистор PN2907 ф. STMicroelectronics
0,29
0,2078
0,4156
Резистор CR0805-JW–200E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 20 Ом ± 5 %)
0,01
0,009
0,0540
Резистор CR0805-JW–470E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 47 Ом ± 5 %)
0,01
0,009
0,0810
Резистор CR0805-JW–820E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 82 Ом ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–471E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 470 Ом ± 5 %)
0,01
0,009
0,0180
Резистор CR0805-JW–102E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 1 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–103E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 10 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Продолжение таблицы 3
Резистор CR0805-JW–153E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 15 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0180
Резистор CR0805-FW–2002E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 20 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-FX–4322E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 43,2 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–473E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 47 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0180
Резистор CR0805-FX–4992E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 49,9 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0180
Резистор CR0805-JW–104E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 100 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–154E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 150 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0180
Резистор CR0805-JW–204E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 200 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0180
Трансформатор APC 1:18
1,0
0,5795
0,5795
Соединения
–
0,001
0,1960
Σni λi =
5,5767
Схема управления
Пьезокерамический излучатель звука SMA-13P10 ф.Sonitron
0,085
0,0295
0,0295
КонденсаторC0805C103K5RAC ф. Kemet (0805 X7R-50 V-0,01 мкФ±10 %-чип)
0,03
0,024
0,0720
КонденсаторC0805C103K5RAC ф. Kemet (0805 X7R-50 V-0,01 мкФ±10 %-чип)
0,03
0,024
0,0240
КонденсаторC0805C103J5GAC ф. Kemet (0805 NP0-50 V-0,01 мкФ±5 %-чип)
0,03
0,024
0,0480
КонденсаторC0805C104K5RAC ф. Kemet (0805 X7R-50 V-0,1 мкФ±10 %-чип)
0,03
0,024
0,0240
КонденсаторC0805C224K5RAC ф. Kemet (0805 X7R-50 V-0,22 мкФ±10 %-чип)
0,03
0,024
0,0240
КонденсаторC1206C105K5RAC ф. Kemet (1206 X7R-50 В-1 мкФ±10 %-чип)
0,03
0,024
0,0240
КонденсаторTAJC226M016R ф. AVX (6032-16 V-22 мкФ±20 %-C)
0,13
0,104
0,0720
Диод 1N4148 ф. Vishay
0,085
0,0295
0,2655
Диод 1N4005 ф. DC Components
0,085
0,0295
0,0590
Продолжение таблицы 3
Микросхема CD4066BCM ф. Fairchild Semiconductor
0,21
0,231
0,2310
Микросхема MM74C14 ф. Fairchild Semiconductor
0,21
0,231
0,4620
Микросхема CD4001BCM ф. Fairchild Semiconductor
0,21
0,231
0,2310
Микросхема CD4011BCM ф. Fairchild Semiconductor
0,21
0,231
0,2310
Микросхема LN339AN ф. Texas Instruments
0,21
0,231
0,2310
Соединитель PLS-1
0,018
0,0300
0,0300
Соединитель DB-9
0,018
0,0300
0,0300
Транзистор PN2222 ф. STMicroelectronics
0,29
0,2078
0,2078
Транзистор PN2907 ф. STMicroelectronics
0,29
0,2078
1,6624
Резистор CR0805-JW–105E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 1 МОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0270
Резистор CR0805-JW–685E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 6,8 МОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–205E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 2МОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–200E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 20 Ом ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–102E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 1 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-FX–2261E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 2,26 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–472E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 4,7 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-FX–6811E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 6,81 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0180
Резистор CR0805-JW–103E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 10 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0180
Резистор CR0805-FW–2002E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 20 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0450
Резистор CR0805-FX–2492E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 24,9 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-FX–3012E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 30,1 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0180
Резистор CR0805-JW–333E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 33 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Продолжение таблицы 3
Резистор CR0805-FX–3322E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 33,2 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-FX–3482E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 34,8 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–473E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 47 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0270
Резистор CR0805-JW–104E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 100 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0450
Резистор CR0805-FX–1333E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 133 кОм ± 1 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–154E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 150 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–204E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 200 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0270
Резистор CR0805-JW–474E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 470 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Резистор CR0805-JW–684E ф.Bourns (0805 0,125 Вт 680 кОм ± 5 %)
0,01
0,009
0,0090
Кнопка SPA-118A (4 кн. 250 В 10 А)
0,15
0,2505
0,2505
Соединения
–
0,001
0,2160
Σni λi =
4,7757
Используя формулы (15), (16), (17) и результаты таблицы 2 рассчитываем параметры надежности структурных частей ИБП. Полученные результаты сведем в таблицу 4.
Таблица 4 – Параметры надежности структурных частей ИБП (по платам)
Структурная часть ИБП
Σni λi · 10 6 , 1/ч
Среднее время наработки на отказ Тср, ч
Вероятность безотказной работы Р(tp)
Вероятность отказа Р`(tp)
Входные цепи
3,9995
250 031,25
0,998002
0,001998
Выходной инвертор
5,5767
179 317,52
0,997216
0,002784
Схема управления
4,7757
209 393,39
0,997615
0,002385
Расчет показал, что наибольшая вероятность отказа у выходного инвертора (Р`(tp) = 0,002784).
Дата добавления: 2015-07-13 ; Просмотров: 745 ; Нарушение авторских прав? ; Мы поможем в написании вашей работы!
Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет