КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Босин М.Е., Гомозов Е.П
ВЛИЯНИЕ КРИОГЕННОГО ТЕРМОЦИКЛИРОВАНИЯ НА СТРУКТУРНОЕ СОСТОЯНИЕ, ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ И РАЗРУШЕНИЕ МНОКРИСТАЛЛОВ ЦИНКА Харьковская гуманитарно-педагогическая академия, г. Харьков, Украина bosin@yandex.ru
Изучались монокристаллы цинка чистотой 99,997%, которые выращивались методом направленной кристаллизации. Образцы имели размеры 100´2´2 мм3, продольную ось 0001 и были ограничены плоскостями {1 100}. Структурное со- стояние изучалось методом избирательного химического травления плоскостей {1 100}. Термоциклирование проводилось по режиму 300 К «77 К. Один цикл со- стоял из охлаждения образца в жидком азоте до 77 К и последующем его отогреве на воздухе до 300 К. При этом измерялось добавочное электросопротивление Δ R в зависимости от числа термоциклов βс. Структурное состояние исходных образцов характеризуется плотностью базисных ρ b = 104 см-2 и пирамидальных ρ p = 103 см-2 дислокаций.
Рис.1 Термоциклирование приводит к существенно- му количественному изменению структурного со- стояния образцов. Плотность базисных дислокаций увеличивается до ρ b = 106 см-2. При этом образу- ются малоугловые границы наклона, плотность ко- торых увеличивается с ростом βс. На рис. 1 приве- дена картина травления плоскости 1100 образца по- сле трёх циклов термообработки. Малоугловая гра- ница наклона располагается вдоль 0001 и имеет ли- нейную плотность краевых базисных дислокаций ρ L = 103 см-1. Отметим, что дислокационные ямки травления располагаются неоднородно. Наблюдаются диполи с высотой h = 2 мкм и локальные увеличения плотности базисных дислокаций вблизи малоугловых границ, что наглядно показывает эволюцию процесса их формирования. На от- дельных участках границы наблюдаются искривления; места искривления характе- ризуются наличием пирамидальных дислокаций и продуктами их взаимодействия с базисными, ямки травления которых отличаются от базисных большей глубиной и более тёмным контрастом. Взаимодействие дислокаций связывается с протеканием реакции: 1 ⎡2113⎤(2112)+1 ⎡2110⎤(0001)®[0001](2110) 3 ⎣ ⎦4,46 3 ⎣ ⎦1,00 3,46 где индексы справа вверху около величин векторов Бюргерса отмечают плоскости залегания дислокаций, а цифры справа внизу показывают величины относительных энергий дислокаций. Реакция энергетически выгодна; результирующая дислокация является сидячей (призматической), что приводит к искривлению границы. Обнаружено увеличение электросопротивления Δ R с числом циклом термо- смен, которое (в силу того, что деформация вследствие термоциклирования не пре- высила ε p» 2×10-2 %) связано, в основном, с эволюцией структурного состояния образцов при теплосменах. Начало стадии сильной зависимости Δ R (βс) чётко кор- релирует с образованием малоугловых границ наклона.
Дата добавления: 2017-01-14; Просмотров: 471; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |