Условия возникновения лазерной генерации

Инжекционные полупроводниковые лазеры

Полупроводниковый инжекционный лазер представляет собой двухэлек-тродный прибор с /5-л-переходом, излучение которого характеризуется высо­кой степенью пространственной и временной когерентности. Пространствен­ная когерентность - это согласованность между фазами колебаний в различ­ных точках пространства в один и тот же момент времени, а временная -согласованность между фазами колебаний в одной точке пространства в различные моменты времени [55].

По своей конструкции полупроводниковые лазеры во многом подобны светодиодам, и в основу их принципа действия также положено явление инжекционной люминесценции. Однако лазерное излучение отличается от светодиодного монохроматичностью, направленностью, возможностью моду­ляции в широкой полосе частот. Кроме того, его высокая когерентность дает возможность более полно использовать информационную пропускную спо­собность оптических каналов, применяя амплитудную, частотную, фазовую и другие модуляции оптического излучения.

Рассматривая в разд. 3.2 инжекционную люминесценцию, мы полагали, что процесс излучательной рекомбинации обусловлен спонтанными элек­тронными переходами зона-зона. Однако при некоторых условиях в полу­проводниках могут наблюдаться индуцированные переходы, при которых возникают индуцированные кванты света, имеющие одинаковые частоту и фазу с индуцирующими. Рассмотрим подробнее условия возникновения ин­дуцированного или лазерного излучения. Сразу оговоримся, что данные уеловия будут справедливы для лазеров любого типа: полупроводниковых, газо­вых, твердотельных, на красителях и т.д.

Первое - необходимость активной среды, способной обеспечить генера­цию вынужденного, индуцированного излучения.

Второе - наличие механизма возбуждения активной среды, или накачки, создающего инверсную населенность энергетических уровней. Для полупро­водниковых лазеров таким механизмом является инжекция носителей заряда через р-п-переход, причем вблизи /?-п-перехода концентрация электронов на более высоких уровнях выше, чем на низких.

Третье - наличие положительной обратной связи, для чего часть сигнала возвращается обратно в кристалл для дополнительного усиления. Методы реализации положительной обратной связи могут быть самыми разнообраз­ными. Одним из наиболее распространенных является использование резона­тора Фабри-Перо, состоящего из двух плоскопараллельных зеркал, и обеспе­чивающего многократное прохождение оптического излучения через актив­ное вещество, расположенное между этими зеркалами. Для вывода излучения одно из зеркал делают полупрозрачным. В полупроводниковом лазере резо­натором служат параллельные грани самого кристалла, создаваемые путем скола.

Четвертое - обеспечение условий ограничения (электрического, электронно­го и оптического). Электрическое ограничение состоит в необходимости обеспе­чить протекание максимальной доли электрического тока, проходящего через кристалл, непосредственно через активную область. Электронное ограничение требует предотвратить "растекание" возбужденных электронов из активной среды в пассивные области кристалла. Требования электрического и электронного ог­раничения являются специфическими, характерными только для полупроводни­ковых лазеров. И, наконец, оптическое ограничение состоит в необходимости удержания светового луча в активной среде при многократных проходах через кристалл. В инжекционных лазерах это требование обеспечивается за счет того, что активная область имеет несколько больший показатель преломления из-за разницы в характере и степени легирования областей кристалла, при этом возни­кает эффект самофокусировки луча. Необходимо отметить, что для полупровод­никового лазера границы оптического канала не обязательно должны совпадать с областью электронного ограничения.

Пятое - наличие порога возбуждения, который возникает за счет различ­ного рода потерь: поглощения части излучения, разогрева кристалла, неиде­альности зеркал резонатора, спонтанного излучения краевых дефектов и т.д.

Необходимость восполнить энергию, расходуемую на эти потери, и объ­ясняет наличие порога лазерной генерации. Рассмотрим условия возникнове­ния лазерной генерации подробнее.

Дата добавления: 2017-01-14