Порядок выполнения работы

Лабораторная установка состоит из двух схем (рис. 2.17 и 2.18). Схема (рис. 2.17) позволяет качественно оценить характеристики полевого транзистора до получения графиков. Характеристики воспроизводятся на экране осциллографа. Схема 2 предназначена для измерения характеристик полевого транзистора с целью построения графиков (рис. 2.18).

На лицевой панели находятся три измерительных прибора, две ручки регуляторов и переключатель полярности:

ИП-1 – вольтметр для измерения напряжения затвор-исток;

ИП-2 – вольтметр для измерения напряжения исток-сток;

ИП-3 – миллиамперметр для измерения тока стока;

R₁ – регулятор напряжения затвор-исток;

R₂ – регулятор напряжения исток-сток.

Для выполнения работы необходимо:

1) вывести все ручки в крайнее левое положение;

2) включить осциллограф;

3) включить установку;

4) с помощью органов управления, обведенных на лицевой панели жирной линией, получить на экране осциллографа зависимость I_С =f(U_ИС) при U_ЗИ =const и I_С =f(U_ЗИ);

5) осциллограмму зарисовать в тетради;

6) снять зависимость I _С =f(U_ЗИ) при U_ИС =const, для трех значений U_ИС, равных 8 В, 10 В и 12 В; результаты занести в таблицу 2.4;

7) изменить полярность U_ЗИ на обратную переключением тумблера, повторить пункт 6 и результаты занести в таблицу 2.4;

8) снять зависимость I_С =f(U_ИС) при трех различных значениях U_ЗИ =0; ±025; ±0,5 В и результат занести в таблицу 2.5;

9) выключить установку;

10) начертить графики зависимостей I_С =f(U_ИС), I_С =f(U_ЗИ), на основании которых построить график электропроводности σ =f(U_ЗИ).

11) оценить и отметить на графиках погрешности измерений.

Таблица 2.4

Величина тока стока

UЗИ, В UИС, В	-0,5	-0,45	-0,4	-0,35	-0,3	-0,25	-0,2	-0,15	-0,1
	+0,1	+0,15	+0,2	+0,25	+0,3	+0,35	+0,4	+0,45	+0,5

Таблица 2.5

Величина тока стока

UИС, В UЗИ, В
-0,5
-0,25
+0,25
+0,5

Рис. 2.17. Схема 1 для измерения входных и выходных характеристик полевых транзисторов

Рис. 2.18. Упрощенная схема 2 для визуального наблюдения ВАХ полевых транзисторов

Контрольные вопросы

1. Объясните появление поверхностных уровней Тамма и Шокли, структуру энергетических зон на поверхности полупроводника.

2. Какие поверхностные состояния называют быстрыми и медленными?

3. Что такое дебаева длина экранирования?

4. Какова роль поверхностных состояний в контактных явлениях?

5. Что называется инверсным слоем, и как он образуется?

6. Как появляются обедненный и обогащенный слои?

7. Сущность эффекта поля.

8. Применение эффекта поля.

9. Процессы в МОП и МДП структурах.

10. Процессы в полевом транзисторе.

Литература [3] 4.3; [6] 8.13, 8.14.

Дата добавления: 2017-02-01