КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Дифференциальный усилитель с динамической нагрузкой
Разновидности схем дифференциальных усилителей Основными задачами разработки разновидностей схем ДУ является увеличение коэффициента усиления усилителя и увеличение входного сопротивления. Используются следующие разновидности схем ДУ: а) на входах ДУ ставятся составные транзисторы (пара Дарлингтона), у которых гораздо выше входное сопротивление и коэффициент передачи тока равен произведению коэффициентов передачи тока обоих транзисторов; б) на входах ДУ ставятся эмиттерные повторители, у которых входное сопротивление сотни килоомов; в) ДУ с полевыми транзисторами на входах; г) ДУ с динамической нагрузкой. Для увеличения коэффициента усиления усилителя необходимо увеличить коллекторную нагрузку . В ИС используется динамическая нагрузка, т.е. вместо резисторов и ставятся транзисторы VТ3 и VТ4, которые имеют низкое сопротивление по постоянному току и высокое – по переменному. Транзисторы VТ3 и VТ4 имеют полярность, противоположную к основным (рисунок 8.3). Транзисторы VT1 и VT2 (n-p-n- типа) – основные, транзисторы VТ3 и VТ4 (p-n-p -типа) – коллекторная нагрузка. Эти транзисторы соединены коллекторами. Транзистор VТ3 используется в диодном включении. В эмиттерной цепи ставится генератор стабильного тока (ГСТ) для уменьшения влияния синфазного сигнала на работу схемы. Вход ДУ – дифференциальный, выход ‑ однотактный. Транзисторы VТ3 и VТ4 включены по схеме токового зеркала – отражателя токов. Ток IК1, протекая через VТ3, создает одинаковое смещение на базах транзисторов . Поэтому , а является током . Следовательно . VТ4 повторяет изменения токов VT1, т.е. полностью повторяет , поэтому VТ3 и VТ4 называется токовым зеркалом. Ток на выходе ДУ усиливается в b раз и удваивается. Выходное напряжение ДУ , где - входное сопротивление последующего каскада. Коэффициент усиления ДУ . При . Так как может быть несколько сотен килоом, коэффициент усиления ДУ по напряжению может достигать нескольких сотен и тысяч. Таким образом, отражатель токов позволяет получить высокий коэффициент усиления по напряжению и удвоить сигнал на однотактном выходе.
Дата добавления: 2017-02-01; Просмотров: 108; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |