Параллельная ОС по напряжению

~

~

Rн

Rвых

Rвх

Евых

Rос

Rг

Ег

При параллельной обратной связи по напряжению с сопротивле­ния нагрузки снимается выходное напряжение, которое во входной цепи образует ток обратной связи, протекающий через специаль­ный резистор. На рисунке приведена структурная схема усилителя с параллельной обратной связью по напряжению. Хотя во входной цепи усилителя алгебраически складываются токи, при анализе усилителя с параллельной ООС по напряжению часто используют коэффициент обратной связи по напряжению. При этом необходимо учитывать шунтирующее влияние входной цепи усилителя, поскольку в данном случае Rвх. Поэтому можно представить в следующем виде:

.

Выделение напряжения во входной цепи усилителя происходит на сопротивлениях.

За счет малого R_вх на внутреннем сопротивлении источника сигнала R_г будет теряться солидная доля Ег В результате ко входу усилителя прикладывает­ся напряжение

.

Коэффициент усиления по напряжению при глубокой параллельной ООС по напряжению:

.

При параллельной ООС по напряжению К_иОС стабилен при Таким образом, при глубокой параллельной ООС по напряжению можно исключить влияние внешних факторов на величину К_и0с, уменьшить линейные и нелинейные искажения. Однако такой усилитель совершенно не подходит по своим свойствам для входного каскада многокаскадного усилителя, в частности, из-за его высокой, чувствительности к изменению R_г. Усилители с параллельной ООС по напряжению рекомендуется использовать в качестве промежуточных и выходных каскадов.

Вывод: параллельная ООС по напряжению стабилизирует коэффициент усиления по напряжению при постоянном сопротивлении источника сигнала, снижает искажения, уменьшает входное и выходное сопротивления усилителя.

Схема усилителя с параллельной ООС.

Следящие связи. На обоих концах резистора присутствует практически одно и то же переменное напряжение => переменный ток через резистор не течёт, а значит его сопротивление по переменному, току стремиться к бесконечности, а к_u = R_к/R_э стремится к бесконечности.

Пример следящей связи, увеличивающей сопротивление и уменьшающей влияние входной емкости:

Влияние ООС на основные показатели усилителя.

Рассмотрим влияние ООС на работу усилителя на примере последовательной ОС по напряже-

нию.

Кроме того, что введение ООС уменьшает коэффициент усиления усилителя, все остальные

технические показатели улучшаются. Увеличивается полоса пропускания, уменьшаются нели-

нейные и частотные искажения, несколько возрастает входное сопротивление.

Интегральные микросхемы. Интегральный принцип изготовления и применения электронных компонентов. Полупроводниковые интегральные микросхемы, их классификация, назначение, области применения. Аналоговые, цифровые и аналого-цифровые микросхемы

Развитие техники, в которой широко применяются сложные системы автоматического управления, вынудило изготовителей электронных элементов заняться их миниатюризацией и микроминиатюризацией. На первом этапе добивались уменьшения размеров отдельных элементов путем применения лучших материалов, уменьшения электрической нагрузки элементов и т. д. без изменения их конструкции и технологии изготовления. Полученные результаты не дали требуемого эффекта, и поэтому были разработаны принципиально новые методы создания электронных схем, которые с начала шестидесятых годов использовались в военной аппаратуре, а позже в промышленных установках и бытовой технике.

Интегральные микросхемы классифицируют:

1. По технологии изготовления:

· Плёночные – это ИМС, изготовленные нанесением на изоляционную подложку тонких пленок металлов, полупроводников и диэлектриков таким образом, чтобы их поверхности образовывали резисторы, конденсаторы, диоды и транзисторы.

· Гибридные (ГИС) – это ИМС, у которых пассивные элементы выполнены по тонкоплёночной технологии, а активные элементы выполнены как отдельные, навесные, бескорпусные.

· Полупроводниковые ИМС – это микросхемы, у которых все элементы «выращены» в кристалле полупроводника (путем создания в пластине монокристалла кремния диодов, транзисторов, резисторов и конденсаторов за счет введения соответствующих примесей в определенные области, их окисления или металлизации).

2. По способу преобразования и обработки информации имеется два вида ИМС:

· Аналоговые ИМС – с непрерывной обработкой информации (рис. 1, а);

· Цифровые ИМС – с дискретной обработкой информации (рис 1, б)

Рис.1, а Рис.1, б

3. По степени интеграции:

· К = lg N, где N – количество элементов в одном корпусе микросхемы.

Внедрение новых технологических решений привело к значительному уменьшению размеров электронных схем и к увеличению плотности монтажа, т. е. количества элементов, находящихся в 1 см3 объема. Для отдельных схем плотность монтажа ориентировочно составляет, 1/см3:

Традиционные ламповые схемы –– 0,03—0,1

Полупроводниковые схемы с миниатюрными элементами –– 1––3

Интегральные микросхемы (микросборка) –– 300

Интегральные микросхемы (отдельные пластины) ––100тыс.

К сожалению, большая плотность монтажа интегральных микросхем не может быть полностью использована на практике из-за необходимости соединений отдельных схем, охлаждения и т. п.

Часто также применяют гибридные интегральные микросхемы, т. е. схемы, часть элементов которых имеет самостоятельное конструктивное оформление, так как не все элементы можно изготовить способами микроэлектроники. К таким элементам относятся, например, катушки индуктивности, специальные транзисторы и др.

Тонкие пленки обычно получают путем напыления в вакууме соответствующих материалов на подложку (стекло, керамика). Тщательный подбор условий и времени напыления позволяет получить небольшой разброс электрических параметров элементов, например 5% и менее для сопротивлений резисторов.

Резисторы изготавливают путем напыления на подложку (обычное стекло, SiO) резистивного материала в форме прямоугольников соответствующих размеров. В процессе изготовления используется метод фотолитографии. Резистивными материалами могут быть хром, тантал, окиси металлов, специальные сплавы. Сопротивление тонкопленочных резисторов лежит в пределах от долей Ома до 1 МОм при толщине пленки до нескольких микрометров. Контактные соединения выполняют путем напыления золота, меди, чаще всего алюминия, который имеет хорошую адгезию с подложкой из: SiO.

Конденсаторы получают путем последовательного напыления слоя металла (AI), диэлектрика и металла. В качестве диэлектрика используют SiO, SiO2, окиси тантала и титана. Этим способом можно получить низковольтные конденсаторы с емкостями до 0,1 мкФ. На готовые тонкопленочные элементы напыляют изолирующую пленку SiO, герметически покрывающую всю схему.

Активные элементы, работающие совместно с тонкопленочными схемами, изготавливают подобными методами. Среди транзисторов чаще других применяют полевые. Один из таких транзисторов представлен на рис.: на подложку напылена полупроводниковая пленка (CdS или CdSe), затем два металлических электрода — исток и сток. Область между этими электродами покрыта слоем диэлектрика (SiO), на который осажден слой металла, образующий затвор. Изменение напряжения затвора вызывает изменение напряженности электрического поля в слое полупроводника, а значит, и тока в цепи исток — сток. Однако свойства тонкопленочных транзисторов хуже, чем у обычных, и поэтому последние часто используют в гибридных интегральных микросхемах.

В полупроводниковых интегральных микросхемах используется монокристалл кремния, в котором путем введения примесей, окисления или металлизации определенных областей, а также использования фотолитографии получают необходимые электрические параметры. Каждый элемент такой схемы образует в монокристалле своеобразный островок, изолированный от других элементов. Обеспечение хорошей изоляции отдельных элементов — одна из сложных проблем. Два противоположно направленных р-n -перехода, каждый из которых соединен с одним элементом схемы, обеспечивают довольно большое сопротивление изоляции. Другим решением, требующим, однако, овладения сложной технологией, является изоляция каждого элемента пленкой SiO₂.

Резисторы изготавливают следующим образом: в пластину кремния р-типа вводят путем диффузии донорные примеси, что приводит к возникновению n-области, являющейся предохранительным переходом n-p-резистора. Внутри n-области путем дальнейшей диффузии образуется область р-типа, к которой присоединяются алюминиевые выводы. Наружная пленка Si0₂ обеспечивает герметизацию резистора. Сопротивление у таких резисторов можно получить до 50 кОм с разбросом по номиналам ±10—20%.

В конденсаторах полупроводниковых микросхем в качестве диэлектрика используется SiO2. В пластине кремния р-типа создается n-область, образующая изолирующий n-р-переход, затем сильно легированная примесями n+ область с большим реактивным сопротивлением, являющаяся нижней обкладкой конденсатора. Второй обкладкой является пленка напыленного алюминия (рис.б). При толщине диэлектрика 0,05 мкм (напряжение пробоя 50 В) емкость около 50 нФ/см2, что ограничивает общую емкость до нескольких сотен пикофарад.

Транзисторы полупроводниковых микросхем изготавливают также путем диффузии примесей (рис. в). Качество транзисторов, полученных по такой технологии, довольно высоко и не отличается от качества типовых планарных транзисторов. Подобным образом изготавливают также планарные диоды.

Благодаря небольшим геометрическим размерам отдельных элементов микросхемы (длина несколько десятков микрометров, ширина несколько микрометров) на 1 мм² поверхности пластины можно разместить десятки элементов. Нагрузка элементов ограничивается долями милливатта, соответственно малы напряжения (несколько вольт) и токи.

Полупроводниковые микросхемы помещают в металлические корпуса или заливают пластмассой, например эпоксидной смолой, с соответствующими проволочными или ленточными выводами. Корпуса значительно увеличивают габаритные размеры микросхем. Сравнительно большой разброс параметров полупроводниковых микросхем не препятствует их использованию в бинарных схемах, т. е. схемах, имеющих два рабочих состояния, широко применяющихся в цифровых ЭВМ. Применение полупроводниковых микросхем в цифровых и релейных схемах приводит к уменьшению их габаритов, массы и цены. Полупроводниковые микросхемы аналогового типа, например усилители, менее распространены из-за трудностей выдержать допуски на параметры всех элементов.

Важным преимуществом полупроводниковых микросхем является их высокая надежность по сравнению с традиционными схемами, обеспечиваемая конструкцией, значительным уменьшением количества паяных соединений и т. п.

Аналоговые микросхемы прежде всего нужны для усиления сигнала. Но т.к. обработка информации происходит в основном в цифровом виде, то аналоговый сигнал необходимо преобразовать в цифровой. Для этого используются аналого-цифровые преобразователи - АЦП. Для управления чаще всего используется непрерывный аналоговый сигнал. Для получения из цифрового дискретного сигнала непрерывного аналогового используются цифро-аналоговые преобразователи (ЦАП).

Дата добавления: 2014-01-04