КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Т е о р и я м е т о д а. 1. Что такое электроемкость и единицы ее измерения?
К о н т р о л ь н ы е в о п р о с ы 1. Что такое электроемкость и единицы ее измерения? 2. Что представляет собой простейший конденсатор? Записать емкость плоского, сферического и цилиндрического конденсаторов 3. Емкость конденсатора с многослойным диэлектриком. 4. Каков физический смысл постоянной времени цепи? 5. Получить закон изменения тока при разряде конденсатора. Л а б о р а т о р н а я р а б о т а № 31
ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ВЫПРЯМИТЕЛЯ
Цель работы: ознакомиться с принципом работы полупроводникового диода и получить его вольтамперную характеристику. Приборы: источник тока, полупроводник, потенциометр, два миллиамперметра, переключатель, провода. По своим электрическим свойствам твердые тела разделяются на проводники, полупроводники и диэлектрики. Хорошая проводимость проводников обусловлена высокой концентрацией свободных электронов. В полупроводниках количество свободных электронов при обычных условиях ничтожно мало, но при внешних воздействиях значительно увеличивается. Проводимость полупроводников объясняется зонной теорией. Каждый электрон в атоме располагается на определенном энергетическом уровне и может иметь только определенное значение энергии. При образовании кристалла из отдельных атомов энергетические уровни электронов сближаются, образуя энергетическую зону. Зоны дозволенных значений энергии отделяются друг от друга зонами запрещенных значений энергии (рис. I) Для полупроводников ширина запрещенных зон лежит в пределах 0,1-1,3 эВ. Первая зона целиком заполнена электронами. Вторая зона тоже заполнена, но более слабо связанными электронами, следующая зона может быть свободна от электронов. Она называется зоной проводимости. Под влиянием внешнего поля электрон может перейти на более высокий энергетический уровень, т.е. в зону проводимости. Свободное место, оставшееся после ухода электрона, играет роль положительного заряда и называется "дыркой". Эта дырка заполняется очередным электроном, в результате появляется очередная дырка. Происходит встречное движение электронов и дырок, образующих собственную проводимость полупроводников. Полупроводниками являются кремний (Si), германий (Ge), мышьяк (As), селен (Se), теллур (Te) и другие. Кроме полупроводников с собственной проводимостью, существуют примесные полупроводники. Наличие примесей меняет свойства полупроводников. Примесь, имеющая валентность на единицу больше, чем основной кристалл, отдает электроны. Они называются электронами-донорами. Если валентность примеси на единицу меньше валентности основного кристалла, то примеси присоединяют к себе электроны основного кристалла. Они называются акцепторами. Примеси вносят в запрещенную зону донорные и акцепторные уровни, в результате ширина запрещенной зоны уменьшается. Соответственно эти полупроводники называются донорными (n-типа) и акцепторными (р-типа) (рис.2).
рис.2 рис.3
Контакт между полупроводниками n-p типа создает одностороннюю проводимость. Такие полупроводники используются в качестве выпрямителей. В месте контакта двух полупроводников за счет диффузии электронов образуется внутренняя разность потенциалов, препятствующая дальнейшему движения электронов (рис.3). Если к полупроводнику n - типа подать положительный потенциал, а к полупроводнику р-типа отрицательный потенциал, то свободные носители зарядов из объемов полупроводников будут уходить от контактного слоя. Приконтактный слой объединяется носителями зарядов и его сопротивление возрастает, а ток практически стремится к нулю. При изменении полярности приконтактный слой заполняется зарядами, а ток возрастает, т.е. контакт на границе двух полупроводников n-p -типа обладает выпрямляющим действием. Вольт-амперная характеристика (зависимость силы тока от напряжения), полупроводникового диода показана на рис.4. По оси Х откладываем напряжение, по оси У силу тока.
Дата добавления: 2014-01-04; Просмотров: 265; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |