Флеш-память

Править] Некоторые параметры оптических дисков

Четвертое поколение оптических дисков

Третье поколение оптических дисков

Второе поколение оптических дисков

Первое поколение оптических дисков

Оптический диск

Оптический диск (англ. optical disc) — собирательное название для носителей информации, выполненных в виде дисков, чтение с которых ведётся с помощью оптического излучения. Диск обычно плоский, его основа сделана из поликарбоната, на который нанесён специальный слой, который и служит для хранения информации. Для считывания информации используется обычно луч лазера, который направляется на специальный слой и отражается от него. При отражении луч модулируется мельчайшими выемками питами (от англ. pit — ямка, углубление) на специальном слое, на основании декодирования этих изменений устройством чтения восстанавливается записанная на диск информация.

• Лазерный диск
• Компакт-диск
• Магнитооптический диск

• DVD
• MiniDisc
• Digital Multilayer Disk
• DataPlay
• Fluorescent Multilayer Disc
• GD-ROM
• Universal Media Disc

• Blu-ray Disc
• HD DVD
• Forward Versatile Disc
• Ultra Density Optical
• Professional Disc for DATA
• Versatile Multilayer Disc

• Holographic Versatile Disc
• SuperRens Disc^[1]

Базовая (1×) и максимальная (ориентировочно) скорости чтения
Поколение	Базовая	Максимальная
(Mbit/s)	(Mbit/s)	×
1-е (CD)	1.17	65.62	56×
2-е (DVD)	10.55	210.94	20×
3-е (BD)			12× ^[2]

Ёмкость и номенклатура^[3][4]
Обозначение	Сторон	Слоёв	Диаметр	Ёмкость
(см)	(GB)	(GiB)
CD–ROM 74 min	SS SL				0.682	0.635
CD–ROM 80 min	SS SL				0.737	0.687
CD–ROM	SS SL				0.194	0.180
DDCD–ROM	SS SL				1.364	1.270
DDCD–ROM	SS SL				0.387	0.360
DVD–1	SS SL				1.46	1.36
DVD–2	SS DL				2.66	2.47
DVD–3	DS SL				2.92	2.72
DVD–4	DS DL				5.32	4.95
DVD–5	SS SL				4.70	4.37
DVD–9	SS DL				8.54	7.95
DVD–10	DS SL				9.40	8.74
DVD–14	DS DL/SL				13.24	12.32
DVD–18	DS DL				17.08	15.90
DVD–R 1.0	SS SL				3.95	3.68
DVD–R (2.0), +R, –RW, +RW	SS SL				4.70	4.37
DVD-R, +R, –RW, +RW	DS SL				9.40	8.75
DVD–RAM	SS SL				1.46	1.36
DVD–RAM	DS SL				2.65	2.47
DVD–RAM 1.0	SS SL				2.58	2.40
DVD–RAM 2.0	SS SL				4.70	4.38
DVD–RAM 1.0	DS SL				5.16	4.80
DVD–RAM 2.0	DS SL				9.40	8.75
HD DVD	SS SL				4.70	4.38
HD DVD	SS DL				9.40	8.75
HD DVD	DS SL				9.40	8.75
HD DVD	DS DL				18.80	17.50
HD DVD	SS SL				15.00	13.97
HD DVD	SS DL				30.00	27.94
HD DVD	DS SL				30.00	27.94
HD DVD	DS DL				60.00	55.88
HD DVD–RAM	SS SL				20.00	18.63

Флеш-память (англ. flash memory) — разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Это же слово используется в электронной схемотехнике для обозначения технологически законченных решений постоянных запоминающих устройств в виде микросхем на базе этой полупроводниковой технологии. В быту это словосочетание закрепилось за широким классом твердотельных устройств хранения информации.

Благодаря компактности, дешевизне, механической прочности, большому объему, скорости работы и низкому энергопотреблению флеш-память широко используется в цифровых портативных устройствах и носителях информации.

Предшественниками технологии флеш-памяти можно считать ультрафиолетово стираемые ПЗУ и электрически стираемые (EEPROM). Эти приборы также имели матрицу транзисторов с плавающим затвором, в которых инжекция электронов в плавающий затвор («запись») осуществлялась созданием большой напряженности электрического поля в тонком диэлектрике. Однако площадь разводки компонентов в матрице резко увеличивалась если требовалось создать поле обратной напряженности для снятия электронов с плавающего затвора («стирания»). Поэтому и возникло два класса устройств: в одном случае жертвовали цепями стирания получая память высокой плотности, а в другом случае делали полнофункциональное устройство с гораздо меньшей емкостью.

Соответственно усилия инженеров были направлены на решение проблемы плотности компоновки цепей стирания. Они увенчались успехом изобретением инженера компании Toshiba Фудзио Масуокой в 1984 году. Название «флеш» было придумано также в Toshiba коллегой Фудзио, Сёдзи Ариидзуми, потому что процесс стирания содержимого памяти ему напомнил фотовспышку (англ. flash). Масуока представил свою разработку на IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM), проходившей в Сан-Франциско, Калифорния.

В 1988 году Intel выпустила первый коммерческий флеш-чип NOR-типа.

NAND-тип флеш-памяти был анонсирован Toshiba в 1989 году на International Solid-State Circuits Conference.

Принцип действия^[1]

Принцип работы полупроводниковой технологии флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области (кармане) полупроводниковой структуры.

Изменение заряда («запись» и «стирание») производится приложением между затвором и истоком большого потенциала чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. Для усиления эффекта тунеллирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путем пропускания тока через канал полевого транзистора (эффект Hot carrier injection (англ.)русск.).

Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения.

Эта конструкция снабжается элементами которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек.

• 

Разрез транзистора с плавающим затвором

• 

Программирование флеш-памяти

• 

Дата добавления: 2013-12-12