Полупроводниковые диоды. 1. Назовите основные компоненты, входящие в структуру общения

Литература

Контрольные вопросы

1. Назовите основные компоненты, входящие в структуру общения.

2. Какие цели общения вы знаете? Которые из них вы преследуете чаще в своем общении?

3. Что может послужить барьером в общении?

4. Для чего необходимо распознавать манипулятивное поведение? Что является причиной манипулятивного поведения человека?

5. Какие виды социальных групп вы знаете?

6. Что такое референтная группа?

7. Опишите конфликтные ситуации при взаимоотношении групп.

1. Зарайский Д.А. Управление чужим поведением / Д.А. Зарайский. – Киев: 2000, – 232 с.

2. Кроль В.М. Психология и педагогика: Учеб. пособие для техн. вузов / В.М. Кроль – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 2006. – 432 с.

3. Столяренко Л.Д. Основы психологии. 5-е изд., перераб. и доп. / Л.Д. Столяренко. – Ростов н/Д: Феникс, 2002. – 672 с.

4. Шостром Э. Анти-Карнеги или Человек-Манипулятор / Э. Шостром. – Минск: ТПЦ «Полифакт», 1992. – 128 с.

Рендикова Алевтина Васильевна

ПСИХОЛОГИЯ

учебное пособие

Подписано в печать 14.01.2009 г. Объем 8,25 п.л.

Тираж 50 экз. Сдано в набор 14.01.2009 г.

ФГОУ ВПО «Уральский государственный
университет физической культуры

Издательский центр «Академия»

Лицензия ЛР № 021290 от 21.05.98 г., выд. ГК РФ по печати.

454091, г. Челябинск, ул Орджоникидзе, 1.

тел. [phone]

Полупроводниковый диод – это прибор с двухслойной P-N структурой и одним P-N переходом.

Слой Р - акцепторная примесь (основные носители - дырки). Слой N - донорная примесь (основные носители - электроны).

Обозначение на схемах:

Катод

V или VD - обозначение диода VS – обозначение диодной сборки

V7 Цифра после V, показывает номер диода в схеме Анод – это полупроводник P-типа Катод – это полупроводник N-типа

Анод

При приложении внешнего напряжения к диоду в прямом направлении («+» на анод, а «-» на катод) уменьшается потенциальный барьер, увеличивается диффузия – диод открыт (закоротка).

При приложении напряжения в обратном направлении увеличивается потенциальный барьер, прекращается диффузия – диод закрыт (разрыв).

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) полупроводникового диода

U_{эл.проб.} = 10 ÷1000 В – напряжение электрического пробоя.

U_нас. = 0,3 ÷ 1 В – напряжение насыщения.

I_a и U_a – анодный ток и напряжение.

Участок I: – рабочий участок (прямая ветвь ВАХ)

Участки II, III, IV, - обратная ветвь ВАХ (не рабочий участок)

Участок II: Если приложить к диоду обратное напряжение – диод закрыт, но все равно через него будет протекать малый обратный ток (ток дрейфа, тепловой ток), обусловленный движением не основных носителей.

Участок III: Участок электрического пробоя. Если приложить достаточно большое напряжение, неосновные носители будут разгоняться и при соударении с узлами кристаллической решетки происходит ударная ионизация, которая в свою очередь приводит к лавинному пробою (вследствие чего резко возрастает ток)

Электрический пробой является обратимым, после снятия напряжения P-N-переход восстанавливается.

Участок IV: Участок теплового пробоя. Возрастает ток, следовательно, увеличивается мощность, что приводит к нагреву диода и он сгорает.

Тепловой пробой - необратим.

Вслед за электрическим пробоем, очень быстро следует тепловой, поэтому диоды при электрическом пробое не работают.

Вольт-амперная характеристика идеального диода (вентиля)

Дата добавления: 2013-12-11