КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Трансформаторные (взаимоиндуктивные) преобразователи
Индуктивные ПИП: физические и математические основы. Расчет бесконтактного индуктивного ПИП с переменным воздушным зазором по магнитной проводимости с использованием свойств аналогии потенциальных полей
Схема индуктивного ПИП представлена на рисунке: Индуктивность обмотки, расположенной на магнитопроводе будет определяться: . (1) Полное магнитное сопротивление: (2) Активное магнитное сопротивление: (3) где li, Si и μi – соответственно длина, площадь поперечного сечения и относительная магнитная проницаемость i -го участка магнитопровода, 2d - величина воздушного зазора. Площадь поперечного сечения воздушного участка магнитопровода: . Реактивное магнитное сопротивление: где P – потеря мощности в магнитопроводе от гистерезиса, ω – угловая частота, Фм – магнитный поток. Для нашего преобразователя: (4) где h – глубина проникновения переменного магнитного поля в объект перемещения. Для того чтобы исключить погрешности, связанные с изменением характеристик магнитопровода, необходимо выполнить условия:
т.е. (5) (6) В выражении (6) (7) где f – частота электрического поля, - электропроводность контролируемого материала. Оптимальным значением параметра h будет значение h = 2 b. Тогда формула (6) принимает вид: (8) При этих условиях из формулы (7) получим частоту магнитного поля: (9) Для малогабаритных преобразователей мощностью потерь P можно пренебречь. Тогда XM = 0, a ZM = RM, и выражение (1) примет вид: L = W2 Gм (10) Так как магнитная проницаемость зависит от напряженности магнитного поля, то ферриты для магнитопровода следует выбирать из справочных таблиц. Для выбранной марки феррита значение ампер-витков: , (11) где lk – длина катушки, I – ток катушки, W – число витков, H – напряженность магнитного поля. Выбор диаметра провода определяется допустимым нагревом: (12) Тогда ток через катушку: (13) где (14) Т.к. активное сопротивление катушки , то . (15) Напряжение, подаваемое на катушку: (16) При заданной площади S окна катушки число витков определяется: (17) где Ку – коэффициент заполнения, значение которого находится в пределах от 0,8 до 0,9. Сопротивление катушки: (18) где ρ – удельное сопротивление материала, Dcp – средний диаметр витков катушки, S – площадь сечения. Рассчитаем электромеханическую силу притяжения объекта: (19)
Расчет магнитной проводимости
Для этого используем метод непосредственного определения напряженности магнитного поля в сочетании с методом конформных преобразований. Это возможно с учетом математических аналогий между магнитными и электростатическими полями. Таким образом, вектор напряженности магнитного поля соответствует вектору электростатического поля: Разность магнитных потенциалов: Магнитный поток на единицу длины: , где τ – заряд проводника на единицу длины. Магнитная проницаемость: μ → ε, где ε – диэлектрическая проницаемость. Магнитная проводимость на единицу длины: GM → C, где С – электрическая емкость на единицу длины. На основании указанных методов магнитная проводимость: где K (k 0) – элептические интегралы 1-го рода. Приближенная формула для расчета магнитной проводимости примет вид: (20) где d0 - контролируемое расстояние от объекта до магнитопровода. Если то погрешность формулы (20) не превышает 4%.
Расчет и проектирование индуктивного измерителя микроперемещений
1. Выбор типа преобразователя Обычно используются преобразователи с П-образным магнитным сердечником. 2. Расчет номинальной статической характеристики При выполнении условий (5), (8), (9) и с учетом выражения (20) номинальная статическая характеристика для индуктивного преобразователя примет вид:
(21) Для того, чтобы уменьшить предельную относительную погрешность необходимо выполнить следующие условия: (22) (23) (24) (25) (26) где f - частота источника питания.
3. Расчет относительной чувствительности В общем виде относительная чувствительность: . Тогда на основании выражения (21) чувствительность: (27) Если d/b → 0, b/a >> 1 => . Минус говорит о том, что с увеличением перемещения индуктивность уменьшается.
4. Выявление и классификация составляющих результирующей погрешности Результирующая погрешность складывается из большого числа составляющих погрешностей, обусловленными внешними влияющими факторами, к которым относятся: - внешнее электромагнитное поле; - магнитоупругий эффект; - тензометрический эффект; - старение материалов; - температура окружающей среды, которая изменяет геометрические размеры ПИП b, a, L’; - погрешность от нелинейности номинальной статической характеристики. Последние две – существенные. Обозначим эти погрешности: , где - от ошибки измерения индуктивности.
5. Составление и анализ уравнения погрешности Относительная погрешность от нелинейности номинальной статической характеристики является системотической и наиболее существенной, потому примем: . (28) Остальные погрешности как и для емкостного микромера примут вид: . (29) Поэтому: (30)
6. Определение составляющих результирующей погрешности прибора Составляющие результирующей погрешности в аналитической форме определяются из выражения: и с учетом выражений для номинальной статической характеристики и чувствительности преобразователя примут вид: (31) (32) (33) (34) (35) где - температурный коэффициент линейного расширения материала магнитопровода, D – половина диапазона преобразования, – расстояние от объекта до магнитопровода. Т.к. погрешности , , вызваны одним источником (температурой), то они складываются алгебраически: , (36) где (37) Обычно в техническом задании на проектирование прибора дается диапазон 0 ± D и абсолютная погрешность измерения, при этом относительная результирующая погрешность и приведенная связаны между собой соотношением: (38) На основании выражения (38) формулы для определения составляющих результирующей погрешности будут выглядеть: (39) (40) (41) При этом (42) (43) (44)
7. Определение конструктивно-технологических параметров ПИП Параметры прибора выбирают путем приравнивания правой и левой частей соответствующих уравнений (39)-(44) и формул, полученных в данном разделе, т.е. (45) (46) (47)
8. Выбор измерителя индуктивности. Для измерения индуктивности обычно используются мосты переменного тока. В таком случае схема включения преобразователя примет вид, где
- измерительный ПИП, - компенсационный ПИП. В основу этих преобразователей положено явление взаимоиндукции между первичной и вторичной обмотками. Схема дифференциального трансформаторного ПИП показана на рисунке Если сравнить схемы индуктивного и взаимоиндуктивного ПИП то можно отметить, что конструкции их магнитной цепи одинаково, а отличаются они только числом обмоток. При центральном расположении сердечника ЭДС вторичных обмоток равны между собой и суммарная выходная ЭДС Е2=0, так как обмотки включены встречно. При совмещении сердечника ЭДС Е2 определяется по формуле Пологая, что , а , можно упросить это выражение:
Дата добавления: 2013-12-11; Просмотров: 1298; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |