Импульсные и избирательные усилители

Импульсному (ключевому) режиму работы транзистора соответствует два крайних состояния: транзистор или заперт, или полностью открыт. В этом режиме транзисторы используют как бесконтактные переключающие устройства. Рассмотрим работу схемы, приведенной на рис. 36.

Рис. 36. Схема каскада в импульсном режиме работы транзистора	Рис. 37. Графики запускающего напряжения (а) и выходного напряжения (б)

В интервалы времени 0 – t₁, t₂ – t₃ и т. д., когда напряжение отсутствует (рис. 37, а), переход эмиттер – база заперт и ток коллектора равен нулю. Следовательно, напряжение на коллекторе равно напряжению источника питания (– Е_к) (рис. 37, б) и транзистор заперт. Когда на вход схемы подают отрицательные запускающие импульсы (интервалы времени t₁ – t₂, t₃ – t₄), переход эмиттер – база открывается и в коллекторной цепи проходит ток. Амплитуда импульсов U_и (рис. 37, а) выбирается такой, чтобы коллекторный ток при заданных R_к и Е_к достигал максимального значения, равного току насыщения I_{к нас} ≈ Е_к / R_к (рис. 38). При этом напряжение на коллекторе U_{кэ нас} близко к нулю (рис. 37, б), т. е. транзистор полностью открыт.

Избирательные усилители применяют в тех случаях, когда необходимо усилить сигнал в достаточно узком диапазоне частот. Распространенным типом избирательных усилителей являются резонансные (рис. 39).

В них в качестве нагрузки коллекторной цепи используют параллельный колебательный L_кC_к -контур, настроенный на частоту сигнала f_с. Для сигнала с резонансной или близкой к ней частотами контур имеет большое сопротивление R_{к рез}. Для частот, далеких от резонансной, сопротивление контура мало.

Рис. 38. Семейство вольтамперных характеристик и нагрузочная прямая CD каскада в импульсном режиме работы транзистора	Рис. 39. Схема резонансного транзисторного усилителя

Таким образом, контур позволяет выделить напряжение резонансной и близких к ней частот.

Специальные типы полупроводниковых диодов

Дата добавления: 2013-12-13