Квантовые ямы на дельта-слоях

Полупроводник с неоднородным профилем легирования, в котором ионы легирующей примеси не распределены однородно по объему, а сосредоточены в очень тонком слое в один или несколько периодов решетки, называется полупроводником с дельта-слоем.

В полупроводниках с дельта-слоем подвижные носители, образованные вследствие ионизации примеси, удерживаются зарядами неподвижных ионов вблизи плоскости слоя.

Электрическое поле слоя ионов экранируется зарядом электронов.

В результате зонная диаграмма приобретает следующий вид:

Отличительной характеристикой дельта-слоев является возможность получить в них очень высокой концентрации (до 10¹⁴см^-2) размерноквантованных носителей (которые находятся на уровнях Е₁, Е₂, Е₃). Это значительно больше, чем во всех рассмотренных прежде структурах. Однако подвижность носителей в них относительно невелика из-за эффекта рассеяния на большом количестве ионов, находящихся непосредственно в дельта-слое.

Дата добавления: 2014-01-04