Коефіцієнт підсилення струму

Вхідний опір каскаду

R_вх= (R₁ // R₂)//r_вх, (1)

де r_вх – опір вхідного кола транзистора.

Для розрахунку r_вх визначимо напругу U_бе через струм бази І_б. (Тут і надалі ми оперуємо з дієвими значеннями змінних струмів та напруг). Оскільки внутрішній опір джерела струму b×і_б великий, а r_к(е)+R_к//R_н>> r_е, тому U_бе= І_б×r_б +І_е×r_е або ж U_бе= І_б{ r_б +(1+b)×r_е}. Розділивши ліву і праву частини на І_б, отримаємо опір вхідного кола транзистора

r_вх= r_б +(1+b)×r_е. (2)

В практиці розрахунків приймають R₁ // R₂ ³ (2…5) × r_вх. За таких умов

R_вх=1…3 кОм.

К_і=І_н / І_вх. (3)

Слід виразити струм І_н через І_вх. Спершу визначаємо струм бази за коефіцієнтом токорозподілу між паралельними вітками (див. заступну схему рис. 6)

І_б=І_вх× R_вх / r_вх. (4)

З врахуванням того, що опір r_е дуже малий, його не враховують, а вітку з r_е вважають закороченою. За такої умови струм джерела струму b×і_б розподіляється між трьома паралельними вітками R_к , R_н, r_к(е) . Зокрема у вітці R_н він визначається як

І_н=b×І_б× і з врахуванням (4) отримаємо

І_н =b×І_вх×× . (5)

Звідси визначаємо

К_і=b×× . (6)

Для орієнтовної оцінки К_і можна вважати R_вх » r_вх та r_к(е)>> R_к // R_н. Тоді

К_і»b×»b×. (7)

Отже, К_і для схеми з загальним емітером досить великий. К_і® b за умови R_к>> R_н.

Дата добавления: 2014-01-04