Общие сведения. Дополнительный материал к лекции 12 для самостоятельной работы

Дополнительный материал к лекции 12 для самостоятельной работы

Усилители класса D

Усиления электрических сигналов

Интегральные микросхемы предназначенные для

Общие сведения

План (логика) изложения материала

Задачи для самостоятельной работы

1 Рассчитаем данные широкополосного каскада (рисунок 1.74) с

низкочастотной корректирующей цепочкой R_фС_ф, работающего на высокоомную нагрузку (R_г >R<R_н) и имеющего R = 2000 Ом, R_Н=10⁶ Ом, допустимое падение

напряже­ния на Rф, равное U_ф=10 В, и постоянную составляющую тока выходной цепи I_о=5мА. Относительное усиление каскада У_н на низшей частоте f_н = 15 Гц должно быть равно 1,15 (подъем в 2 дБ).

2 Рассчитаем данные широкополосного транзисторного каскада с параллельной высокочастотной коррекцией индуктивностью (рисунок 1.73), имеющего

частот­ную характеристику с наибольшим подъемом У_макс = 1,3 на частоте

f_B=8-10⁶ Гц и амплитуду выходного сигнала U_{вых m} = ±20 В; каскад работает на модулятор кинескопа, имеющего С_н = 6 пФ.

3 Определите площадь усиления резисторного каскада на биполярном транзисторе, если коэффициент усиления усилителя Кср = 100, верхняя граничная частота усиления равна f_гр.в.= 14 кГ

Литература

1. Гольцев В.Р., Богун В.Д., Хиленко В.И. Электронные усилители -М.:

Стандарты, 1990. с.150.,.183.

2. Федосеева Е.О. Усилительные устройства киноустановок. М.: Искусство,

1979.-255 с., с.198…199.

3 Цыкина А.В. Электронные усилители: Учеб. пособие для техникумов

связи, 1982. – 288 с., с.184…200.

Лекция 12

Экспресс - проверка знаний пройденного материал:

1 Нарисуйте схему резисторного каскада с внутренними ёмкостями транзистора

2 Нарисуйте принципиальную схему каскодного выходного каскада

широкополосного усилителя

3 Нарисуйте параллельную высокочастотную коррекцию индуктивностью

4 Нарисуйте низкочастотную коррекцию цепочкой С_фR_ф

5 Нарисуйте схему принципиальную низкочастотной коррекции

6 Нарисуйте эмиттерную высокочастотную коррекцию

После изучения лекции 12 студент должен знать: особенности построения усилителей на интегральных микросхемах, усилителей класса D.

Уметь: нарисовать схему усилителя класса D.

ТЕМА 1.6 Усилители на интегральных микросхемах

ТЕМА 1.6 Усилители на интегральных микросхемах

Промышленность выпускает большое количество серий интегральных микросхем, в состав которых входят многочисленные микросхемы, используемые в усилительных устройствах. Достоинствами их являются большая надёжность, малые габаритные размеры и масса, снижая стоимость. Всё это позволяет создавать усилительные устройства, имеющие высокие эксплуатационные показатели.

В зависимость от технологии изготовления интегральные микросхемы могут быть полупроводниковыми, плёночными или гибридными; в зависимости от функционального назначения они делятся на две группы - аналоговые и цифровые. К цифровым относятся микросхемы, с помощью которых преобразуются и обрабатываются сигналы, изменяющие по закону дискретной функции.

Аналоговые интегральные микросхемы предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции.

В соответствии с принятой системой условных обозначений все выпускаемые микросхемы делятся по конструктивно-технологическому исполнению на три группы:

1, 5, 6, 7 - полупроводниковые;

2, 4, 8 - гибридные;

3 - прочие (плёночные, вакуумные, керамические и т.п.

По характеру функций, выполняемых в радиоэлектронной аппаратуре, интегральные микросхемы подразделяются на подгруппы (например, генераторы, усилители, преобразователи и т.п.) и виды (например, преобразователи частоты, фазы и т.п.).

Рассмотрим подробнее классификацию подгруппы “ УСИЛИТЕЛИ ”. Усилители подразделяются на виды интегральных микросхем по их функциональному назначению и имеет соответствующие обозначения: УВ – усилители высокой частоты, УР – усилители промежуточной частоты, УН – усилители низкой частоты, УИ – усилители импульсные, УД- усилители операционные и дифференциальные, УЕ – повторители, УТ- усилители постоянного тока, УП – прочие усилители. По принятой системе обозначения интегральных микросхем (ИМС) должно состоять из четырёх элементов. Первый элемент – это цифра, соответствующая конструктивно - технологической группе. Второй элемент - три (от 000 до 999) цифры, или две цифры (от 00 до 99), присвоенные данной серии ИМС как порядковый номер разработки. Таким образом, первые два элемента составляют три-четыре цифры, определяющие полный номер серии ИМС. Третий элемент – две буквы, соответствующие подгруппе и виду ИМС. Четвёртый элемент - порядковый номер разработки ИМС в данной серии, в которой может быть несколько одинаковых по функциональному признаку ИМС. Он может состоять как из одной цифры, так и нескольких.

Для ИМС, используемых в устройствах широкого применения, в начале обозначения ставится буква К. Например, К174УН12.

Иногда в конце условного обозначения добавляется буква, определяющая технологический разброс электрических параметров данного типа. Конкретные значения электрических параметров приводятся в технической документации

(например, параметры К140УД1 А отличаются от параметров У140УД1 Б).

Для характеристики материала и типа корпуса перед цифровым обозначением серии могут добавлены, например, буквы: Р- для пластмассового корпуса, М- для керамического, металлокерамического и стеклокерамического корпуса.

В качестве примера можно привести ИМС типов КР119УН1, КМ551УД2А.

Интегральные микросхемы разрабатываются и выпускаются предприятиями-изготовителями в виде серий. Серия интегральных микросхем - это совокупность типов интегральных микросхем, которые могут выполнять различные функции, имеют единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначены для совместного применения.

Серии существенно различаются по области применения, функциональному составу и количеству входящих в них интегральных микросхем. Самая большая по составу – серия К155. Она содержит более 100 типономиналов.

Дата добавления: 2014-01-04