КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Транзистор зі спільною базою
Схему підключення транзистора p-n-p в схемі зі СБ зображено на рис. 9.1. Струм бази транзистора залежить від знака напруги U ЕБ: Вхідним струмом цієї схеми є струм I Е, тому вона буде визначатися диференційним коефіцієнтом передавання струму емітера Практичні значення коефіцієнту лежать в межах 0,95÷0,99. Значення коефіцієнта α можна знайти через фізичні параметри за формулою (8.2) Рис. 9.1. Схема та структура БТ зі СБ: а – схема електрична; б – структура
Вхідний опір схеми зі СБ визначається приростами напруги та струму за формулою і оскільки великий, то вхідний опір транзистора зі СБ буде малим. Низький вхідний опір схеми зі СБ є її суттєвим недоліком, оскільки він шунтує опір навантаження попереднього каскаду, що знижує його коефіцієнт підсилення. Схема зі СБ підсилює напругу і потужність.
9.1.2. Транзистор зі спільним емітером
Схему підключення p-n-p транзистора з СЕ наведено на рис. 9.2. Струм бази транзистора залежить від знака напруги U ЕБ: Вхідним струмом цієї схеми є струм I Б, тому її визначають диференційним коефіцієнтом передавання струму бази , Знайдемо зв’язок між коефіцієнтами передавання струму в схемі зі СЕ (β) і СБ (α).
Рис. 9.2. Схема та структура БТ зі СЕ: а – схема електрична; б –структура
Звідси Тоді з формули (8.2) можна записати Таким чином, коефіцієнт β збільшується зі зменшенням товщини бази w, однак при цьому зменшується допустима напруга колектора, з якої випливає, що як і в формулі для (8.2) коефіцієнт передавання β залежить від параметрів . Вхідний опір транзистора зі СЕ визначають за формулою і оскільки , то що є перевагою схем з СЕ. До недоліків схеми зі СЕ відносять низьку, порівняно зі схемою зі СБ, температурна стабільність. Доведемо це. Як відомо для схеми зі СБ I К= αI Е+ I КБ0, (9.1) де I К=(I К +I Б)+ I КБ0
I К(1- α)= αI Б+ I КБ0 ,
Представимо цей вираз у формі 9.1 і отримуємо співвідношення для схеми з СЕ, ,
де b = - диференціальний коефіцієнт передавання в схемі зі СЕ, а . (9.2)
При I Б =0, I К = I КЕ0, тому струм I КЕ0 називають початковим колекторним струмом в схемі зі СЕ. З формули (9.2) випливає, що при α = 0,98...0,99, струм I КЕ0 в десятки разів більший за струм I КБ0, тому він при температурній зміні α змінюється більше, ніж I КБ0. Це зменшує температурну стабільність БТ з СЕ. Схема зі СЕ підсилює струм та напругу.
Дата добавления: 2014-01-04; Просмотров: 1363; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |