Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Паралельне з’єднання напівпровідникових діодів

Електричний і тепловий пробій напівпровідникового діода

У залежності від причин, які обумовлюють появу додаткових носіїв заряду, розрізняють електричний та тепловий пробій p/n- переходу. Електричний пробій в свою чергу буває лавинним або тунельним.

Лавинний пробій обумовлений ударною іонізацією атомів швидкими носіями зарядів. За наявності високих напруг неосновні носії розганяються настільки, що під час зіткнення з атомами кристалічної решітки вибивають валентні електрони, ті в свою чергу розганяються і також здатні вибити інші і т. д. Лавинний пробій виникає у товстих (широких) p/n- переходах, де є можливість для розгону.

Тунельний пробій це безпосередній відрив валентних електронів від атомів кристалічної решітки під дією електричного поля. Тунельний пробій розвивається у вузьких p/n- переходах, де за наявності відносно невисоких напруг створюється висока напруженість електричного поля.

Обидва типи електричного пробою являються зворотніми, тобто під час зняття напруги вони зникають і не викликають руйнування p/n- переходу.

Тепловий пробій виникає внаслідок термогенерації носіїв у p/n- переході під час підвищення температури p/n- структури. Підвищення струму ще більше розігріває p/n- структуру і, як результат, повне руйнування структури. Причини: неоднорідність p/n- структури, дефекти тощо. Для уникнення теплового пробою слід прикладати зворотні напруги 0,5…0,8 U ном. eл. пробою.

 

3. Умови вибору напівпровідникового діода:

 

а) Ia нoм ³ Ia; б) Uв ном ³ Uв,

де Ia нoм – номінальне середнє значення струму (задається в паспортних даних);

Uв ном – номінальне максимальне значення зворотньої напруги (напруга, яку витримає р-n перехід без електричного пробою; задається в паспортних даних);

Ia – середнє значення струму, яке задає відповідна схема його увімкнення (той чи інший електронний пристрій);

- максимальне значення зворотньої напруги, яку задає відповідна схема його увімкнення (той чи інший електронний пристрій).

 

Паралельне з’єднання діодів використовується тоді, коли один діод не може забезпечити покладене на нього стумове навантаження, тобто для збільшення сумарного прямого струму. Однак тут слід приймати додаткові заходи щодо вирівнювання струмів у паралельних вітках діодів. Це необхідно для уникнення перевантаження окремих діодів, що входять в групу.

 

 

Рис. 5. Розподіл струму між паралельними вітками діодів

 

Причиною нерівномірного розподілу струму між паралельними вітками є незбіжність прямих віток вольтамперних характеристик цих діодів (див. рис. 5). Для вирівнювання струмів прямих віток застосовуються:

а) вибір діодів з одинаковими характеристиками;

б) застосування індуктивностей, які увімкнені послідовно з діодами;

в) застосування додаткових резисторів, які увімкнені послідовно з діодами.

За наявносі у паралельних вітках індуктивностей під час зміни струму (зменшення чи збільшення) виникає е.р.с. самоіндукції, яка протидіє зміні струму. Це приводить до зменшення різниці у струмах.

Додаткові опори також зменшують різницю у струмах в паралельних вітках. Наприклад (див. рівняння 1), збільшення струму 1-го діода (а, значить, зменшення струму 2-го діода) приводить до збільшення ΔUR1 першої вітки (зменшення ΔUR2 другої вітки), а значить до зменшення ΔUа1 (збільшення ΔUа2). Останнє згідно характеристики 1-го діода (див. рис. 6) приведе до зменшення його струму, тобто до зменшення струму у першій паралельній вітці. Збільшення ΔUа2 згідно характеристики 2-го діода приведе до збільшення його струму, тобто до збільшення струму у другій паралельній вітці.

 

 

 

Рис. 6. Ефект уведення додаткових опорів у паралельні вітки

 

ΔUа= ΔUа1+ ΔUR1

} (1)

ΔUа= ΔUа2+ ΔUR2

 

Зауваження. Уведення додаткових опорів повязано з додатковими втратами потужності.

Необхідна кількість паралельних діодів n

 

n = Ia / (k×Ia ном),

де Ia – сумарний струм; Ia ном – номінальний струм вибраного типу діода; k = 0,5…0,8 – коефіцієнт завантаження за струмом.

 

Значення додаткового опору R

R=(5…10)× Rа; Rа=ΔUa ном / Ia ном ,

 

де Rа опір діода; ΔUa ном – номінальний спад напруги (задається у каталогах).

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Будова та принцип роботи напівпровідникового діода | Послідовне з’єднання напівпровідникових діодів
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-04; Просмотров: 1688; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.012 сек.