Основні параметри польових транзисторів

Основними параметрами польових транзисторів є:

І_{C макс} – максимальна сила струму стоку, яка відповідає його значенню у точці “б” (рис. 3.5, а) стокової характеристики (за умови U_3B=0);

U_{CB макс} – максимальне значення напруги між стоком і витоком, яке беруть в 1,2 – 1,5 рази меншим від напруги пробиття р-n- переходу між стоком і затвором (за умови U_3B=0);

U_{3B В} – напруга відсічки, яка дорівнює напрузі U_3B, коли струм І_С близький до нуля;

| U_3B=const – внутрішній опір, який визначається для ділянки ІІ стокових характеристик;

| U_CB=const – крутість стоко-затворної характеристики, що показує вплив напруги затвору на струм стоку;

- вхідний опір, який відповідає опору р-n- переходу за наявності зворотної напруги (І_З –струм затвору);

Р_макс – максимально допустима постійна потужність польового транзистора, тобто потужність, яка розсіюється транзистором під час проходження через нього постійного струму.

4. Схема лабораторного стенду для дослідження характеристик транзисторів

На рис. 4.1, а зображена схема стенду для дослідження характеристик біполярного транзистора, а на рис. 4.1, б – схема стенду для дослідження польового транзистора.

Під час виконання лабораторної роботи студенти експериментальним шляхом повинні зняти такі вольтамперні характеристики: вхідні та вихідні статичні характеристики біполярного транзистора, увімкненого за схемою зі спільним емітером; вихідні (стокові) статичні характеристики польового транзистора з індукованим n- каналом, увімкненого за схемою зі спільним витоком.

Вхідні та вихідні кола транзисторів живляться від незалежних джерел постійної стабілізованої напруги U₁, U₂, U₃ та U₄. Регулювання напруг вхідних та вихідних кіл здійснюється реостатами R2, R3, R5 та R6, увімкненими за потенціометричною схемою. Для обмеження значення напруги вхідних кіл послідовно з реостатами R2 та R5 ввімкнені додаткові резистори відповідно R1 та R4.

Для вимірювання вхідних параметрів біполярного транзистора (струму бази та напруги між базою емітером) встановлені міліамперметр РА1 та вольтметр РV1. Вихідні параметри (струм колектора та напруга між колектором і емітером) вимірюються міліамперметром РА2 та вольтметром РV2.

В схемі стенду для дослідження польового транзистора вхідну напругу (напруга між затвором і витоком) вимірюють вольтметром РV3, вихідний струм (струм стоку) – міліамперметром РА3, а вихідну напругу (напругу між стоком і витоком) – вольтметром РV4.

Лабораторний стенд виконаний у вигляді модулів. Під час підготовки до роботи студент повинен сполучити модулі відповідно до схеми дослідження певного типу транзистора.

Рис. 4.1. Схеми лабораторного стенду для дослідження вхідних і вихідних характеристик біполярного транзистора (а) та стокових характеристик польового транзистора з індукованим n- каналом (б)

Дата добавления: 2014-01-04